MOSFET
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如何選擇 MOSFET，基于各方面考量
在復(fù)雜的電源設(shè)計(jì)中，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的選擇往往是事后才考慮的。畢竟，它只是一個(gè)三針設(shè)備。它有多復(fù)雜，對吧？但是任何喜歡生蠔的人都會(huì)（試圖）告訴你，外表可能是騙人的。嘗試選擇正確的 MOSFET 或“FET”可能比我們想象的要復(fù)雜。
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Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
在LFPAK封裝中采用新型SOA(安全工作區(qū)) Trench技術(shù)，可提供出色的瞬態(tài)線性模式性能，為設(shè)計(jì)人員帶來體積更小、更可靠的選擇。
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安森美推出全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET
新器件縮小封裝尺寸60%，增強(qiáng)性能并減少損耗
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如何為 SiC MOSFET 選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了重大進(jìn)展，這要?dú)w功于與硅基開關(guān)相比的一系列優(yōu)勢。這些包括更快的開關(guān)、更高的效率、更高的工作電壓和更高的溫度，從而產(chǎn)生更小、更輕的設(shè)計(jì)。 這些屬性導(dǎo)致了一系列汽車和工業(yè)應(yīng)用。但是像 SiC 這樣的寬帶隙器件也帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，包括電磁干擾 (EMI)、過熱和過壓條件，這些可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決。
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TI的FemtoFET功率 MOSFET 減少PCB體積
《星際迷航》如何預(yù)測未來的技術(shù)進(jìn)步繼續(xù)讓我感到驚訝。《星際迷航：原始系列》中的手持通訊器在 1960 年代作為道具出現(xiàn)在電視節(jié)目中時(shí)似乎是一個(gè)奇跡。然而，它又大又笨重，而且在幾集中，通訊器丟失或停止工作，這使得傳送回船上是不可能的。
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如何使用柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)備來控制繼電器
雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于以短時(shí)間高峰值電流驅(qū)動(dòng)高頻容性負(fù)載，但我們知道它們還可以驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載，例如功率繼電器線圈嗎？這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器的秘密生命。 這不是新概念。當(dāng)它們驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，它們通常以低得多的頻率切換，驅(qū)動(dòng)電流受線圈電阻的限制。柵極驅(qū)動(dòng) IC 已用于驅(qū)動(dòng)電感負(fù)載，例如柵極驅(qū)動(dòng)變壓器，但頻率范圍為數(shù)十至數(shù)百千赫。
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同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和超低導(dǎo)通電阻的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”
非常有助于降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的功耗
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最全！盤點(diǎn)20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃
MOSFET作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域。在全球節(jié)能減排大環(huán)境下， MOSFET相比于IGBT和三極管器件功耗低、工作頻率高，無電流拖尾等現(xiàn)象產(chǎn)生。世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)匯聚國產(chǎn)知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低壓，中壓，高壓MOSFET，工作溫度最高可達(dá)175℃，推動(dòng)研發(fā)項(xiàng)目快速國產(chǎn)化選型。
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ST幾款高壓半橋驅(qū)動(dòng)器介紹
ST的高壓驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化矢量電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，在高開關(guān)頻率和智能關(guān)機(jī)時(shí)具有優(yōu)異的性能，以保護(hù)最終應(yīng)用。 STDRIVE MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成了一個(gè)比較器保護(hù)，一個(gè)運(yùn)放電流傳感和一個(gè)集成的引導(dǎo)二極管，從而減少了系統(tǒng)級(jí)別所需的外部組件的數(shù)量。
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級(jí)聯(lián) MOSFET 中高壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”的極性不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車等大趨勢的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電池化成等。
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Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍
新模型還可在原型設(shè)計(jì)前對EMC性能進(jìn)行調(diào)查
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雙向DC/DC性能分析及研究
摘要:通過對雙向DC/DC變換器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及功率損耗的分析研究,以尋求合理的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和性能參數(shù),達(dá)到提高雙向DC/DC變換性能的目的。通過對系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)及工作原理的分析、核心器件參數(shù)的計(jì)算和選擇、功率損耗的分析,首先進(jìn)行了理論仿真,再經(jīng)過實(shí)驗(yàn)測試,研究了在雙向DC/DC變換中驅(qū)動(dòng)脈沖占空比及頻率、輸出電流等對雙向DC/DC性能及參數(shù)所產(chǎn)生的影響,從而確定了其最佳工作條件及參數(shù)。
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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)
【2022年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優(yōu)勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對服務(wù)器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無人機(jī)中，應(yīng)用于小型無刷電機(jī)的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知，無人機(jī)通常需要尺寸小、重量輕的元器件。
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國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12寸晶圓中低壓MOSFET，月產(chǎn)能可達(dá)100KK~150KK
新能源汽車和5G需要搭載大量電源管理IC，其中新能源汽車需要負(fù)荷瞬間大電流，因此需要更多的中高壓MOSFET。在疫情影響導(dǎo)致產(chǎn)能降低的情況下，IDM大廠為搶占新興市場，將部分中低壓MOSFET產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至中高壓MOSFET，使中低壓MOSFET出現(xiàn)供給短缺。中低壓MOSFET供應(yīng)商的交期平均為十幾周，有的甚至超過30周。銳駿憑借自建封裝廠和合作國內(nèi)封裝大廠，月產(chǎn)能100KK~150KK，中低壓MOSFET交期只需要2~4周。
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英飛凌推出新一代MOTIX?半橋驅(qū)動(dòng)IC
繼發(fā)布BTN89xx獲得成功之后，英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx（NovalithIC?+）系列智能半橋驅(qū)動(dòng)集成芯片。
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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
近年來，因?yàn)樾履茉雌?、光伏及?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求。
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如何最大限度地減少電池供電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的 MOSFET 傳導(dǎo)損耗
許多應(yīng)用使用低壓電池（2-10 節(jié)鋰離子）供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，如電動(dòng)工具、園林工具和真空吸塵器。這些工具使用有刷或無刷直流電機(jī)(BLDC)。BLDC 電機(jī)效率更高，維護(hù)更少，噪音更低，使用壽命更長。
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使用 30V 柵極驅(qū)動(dòng)器管理電源噪聲
世界是一個(gè)嘈雜的地方——電源也不例外。為了追求更高的效率，電源轉(zhuǎn)換器以越來越快的速度切換會(huì)產(chǎn)生意想不到的問題，包括增加系統(tǒng)對瞬態(tài)和噪聲的敏感性。在選擇如何設(shè)計(jì)電源以及使用哪些組件來設(shè)計(jì)電源時(shí)，考慮到這種敏感性很重要。
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