MOSFET
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計，第五部分EPAD MOSFET 開關(guān)
EPAD MOSFET 在以適當(dāng)?shù)臇艠O電壓開啟時充當(dāng)開關(guān)，其中在漏極和源極端子之間形成導(dǎo)電通道。源極端子作為輸入，漏極端子作為輸出。開關(guān)的導(dǎo)通電阻取決于由柵極電壓控制的溝道導(dǎo)通電流。在這種情況下，如果使用增強型器件，則可以通過柵極端子上的正偏置電壓打開開關(guān)，信號從源極傳播到漏極端子。信號本質(zhì)上可以是數(shù)字的或模擬的，只要用戶考慮相對于開關(guān)通道導(dǎo)通電阻的輸入和輸出阻抗水平。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計，第四部分EPAD MOSFET 隔離和（二極管）鉗位介紹
許多電路需要將其輸入和輸入阻抗與輸出阻抗隔離，以便輸出負(fù)載不會干擾輸入信號。這有時可以通過使用晶體管緩沖器或運算放大器緩沖器來實現(xiàn)，每種緩沖器都存在許多設(shè)計權(quán)衡。例如，使用 ALD110800 零閾值 MOSFET，可以提供這種隔離，同時提供偏置到與輸入電平范圍相同的電壓電平的電路輸出。這是零閾值 MOSFET 的基本能力。輸入和輸出電平也可以偏置在固定電壓附近，例如 0.0V。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計，第三部分使用超低電源電壓驅(qū)動
在 5V、3.3V 或更低電壓下運行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對于模擬設(shè)計，該閾值電壓直接影響工作信號電壓范圍。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征
EPAD MOSFET 專為實現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設(shè)計。這些器件專為實現(xiàn)最小失調(diào)電壓和差分熱響應(yīng)而構(gòu)建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹
在電路設(shè)計中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導(dǎo)體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會使新電路獲得成功。
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ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進(jìn)行自動平衡
一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調(diào)節(jié)額定電壓更高的超級電容器——適用于廣泛的應(yīng)用，如執(zhí)行器、遠(yuǎn)程信息處理、太陽能電池板、應(yīng)急照明、安全設(shè)備、條形碼掃描儀、高級計量箱和備用電池系統(tǒng)。
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SiC材料的進(jìn)擊路 從國產(chǎn)工規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET的發(fā)布談起
據(jù)東方衛(wèi)視報道，我國首款基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級)認(rèn)證的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品在上海正式發(fā)布。9月4日，一則 “我國將把大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”的消息引爆市場，引起第三代半導(dǎo)體概念股集體沖高漲停，場面十分壯觀。不可置否，政策是最大的商機。2020年，新基建產(chǎn)業(yè)站在了風(fēng)口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中，第三代半導(dǎo)體承擔(dān)著重要角色。
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SiC-MOSFET終端區(qū)對開關(guān)損耗的物理分析
盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在大功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的相關(guān)因素，因為高帶隙在高溫、電壓和頻率下的操作方面具有優(yōu)勢。硅的帶隙為 1.12 eV，而碳化硅的帶隙值高 3 倍，為 3.2 eV，因此性能和效率更高，開關(guān)頻率更高，總占位面積更小。
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通過使用具有頂部冷卻功能的 SMD 封裝來提高 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能
本文分析了表面貼裝 (SMD) 封裝中的硅 MOSFET在熱性能方面與底部冷卻封裝相比在熱性能方面的效率，從而降低了熱阻和工作溫度。它將展示如何降低結(jié)溫有助于提高功率效率，因為主要硅 MOSFET 參數(shù)會因溫度變化(如 RDS (on)和 Vth 電平)而發(fā)生更平滑的變化，以及降低總導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
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具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展，對具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構(gòu)成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質(zhì)摻雜硅。SB MOSFET 的一個顯著特征是一個特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當(dāng)在邏輯電路中應(yīng)用此類器件時，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會發(fā)生這種情況。
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基礎(chǔ)電路學(xué)習(xí)（3）-- MOSFET驅(qū)動電路小結(jié)
這幾天準(zhǔn)備測試DCDC電源的時候，發(fā)現(xiàn)沒有負(fù)載，想著要不買一個看看，淘寶搜了一下，看到網(wǎng)上好多都是給電池放電，測試放電曲線用的，價格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程電源大師課中有設(shè)計好的負(fù)載demo板，立即便下載下來準(zhǔn)備打樣，自己做一個動態(tài)負(fù)載切換的PCBA負(fù)載切換的原理很簡單，主要通過PWM控制MOS管導(dǎo)通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路，其中TP2為DCDC輸出電壓。
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貿(mào)澤電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的英飛凌通用MOSFET
(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET。英飛凌豐富多樣的高壓和低壓MOSFET產(chǎn)品組合為各種應(yīng)用提供靈活性、適應(yīng)性和高價值，可幫助設(shè)計師滿足項目、價格或物流要求。
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ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高無線耳機和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運行安全性！
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動應(yīng)用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA
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安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET
頂部冷卻簡化設(shè)計并降低成本，實現(xiàn)小巧緊湊的電源方案
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電機驅(qū)動設(shè)計：集成驅(qū)動器與柵極驅(qū)動器的區(qū)別
在設(shè)計電機控制電路時，確定如何提供驅(qū)動電機所需的大電流至關(guān)重要。設(shè)計人員必須選擇是使用具有內(nèi)部功率器件的單片集成電路 (IC)，還是使用柵極驅(qū)動器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。
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最新的 dc/dc 控制器與 NexFET 功率 MOSFET 的組合可以提高電源效率
全球能源價格的上漲以及與電子產(chǎn)品相關(guān)的運營費用的增加正在成為設(shè)備和/或消費品采購決策的重要組成部分。因此，研發(fā)工程師一直在尋找降低產(chǎn)品功耗的方法。過去，這主要適用于電池供電的應(yīng)用，因為效率會嚴(yán)重影響設(shè)備的運行時間。然而，這種趨勢近年來已經(jīng)擴大到包括許多離線供電的消費品。
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對比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率零組件。
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最新行業(yè)新聞，英飛凌推出 LITIX Power,Diodes Inc. 發(fā)布 PowerDI8080-5器件
英飛凌推出 LITIX Power 雙通道 DC/DC 控制器，無需額外的微控制器即可驅(qū)動 LED 前照燈。 Infineon Technologies AG通過雙通道獨立 DC/DC 控制器擴展了其LITIX Power 系列。該公司聲稱新的 TLD6098-2ES是第一款無需額外微控制器即可驅(qū)動全 LED 前照燈的產(chǎn)品。該控制器還可以操作四種標(biāo)準(zhǔn) LED 前燈 功能：遠(yuǎn)光燈 (HB)、近光燈 (LB)、日間行車燈 (DRL) 和轉(zhuǎn)向燈 (TURN)。LITIX Power 產(chǎn)品還可用作外部 LED 照明中動畫的電壓源。
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選擇功率 MOSFET 的簡單指南
鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來越小，使用可靠、一致的方法來選擇正確的 MOSFET 變得越來越重要。這種方法可以加快開發(fā)周期，同時優(yōu)化特定應(yīng)用的設(shè)計。
