MOSFET
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減輕 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)過(guò)沖
由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高，并且在高功率應(yīng)用中具有卓越的性能，因此目前正在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間，從而顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)源于 SiC 器件獨(dú)特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結(jié)構(gòu)固有的快速反向恢復(fù)，這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)。在快速反向恢復(fù)事件期間，設(shè)備可能會(huì)經(jīng)歷較大的電壓尖峰，從而給設(shè)備和整個(gè)系統(tǒng)帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)。其他設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障，例如假柵極事件或寄生導(dǎo)通 。幸運(yùn)的是，您可以減輕這些影響，從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動(dòng)化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
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SiC上車提速，清純半導(dǎo)體把握國(guó)產(chǎn)替代先機(jī)
綜合自中汽協(xié)、EVvolumes.com的多方數(shù)據(jù)，新能源汽車行業(yè)增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁。我國(guó)2021、2022、2023年新能源汽車銷量分別為350萬(wàn)輛、689萬(wàn)輛、950萬(wàn)輛，市場(chǎng)占有率31.6% 預(yù)計(jì)2024年產(chǎn)銷量1200-1300萬(wàn)輛，市占率超過(guò)45%；約占全世界產(chǎn)銷量60%。
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管系列
數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇
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線性放大電路中的乙類推挽功率放大器設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
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抑制紋波提高開(kāi)關(guān)電源整體性能
開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制PWM控制IC和MOSFET構(gòu)成，控制開(kāi)關(guān)管時(shí)間比率維持穩(wěn)定的輸出電壓。
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MOSFET柵極充電機(jī)理是什么？如何提高M(jìn)OSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？
一直以來(lái)，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)MOSFET的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作
在導(dǎo)通特性方面，IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時(shí)的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個(gè)電阻輸出特性，具有更小的導(dǎo)通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。
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雙管正激式開(kāi)關(guān)電源主要組成部分詳解
雙管正激式開(kāi)關(guān)電源是一種常見(jiàn)的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用了兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)管進(jìn)行功率調(diào)節(jié)。在這篇文章中，我將詳細(xì)解釋雙管正激式開(kāi)關(guān)電源的原理、工作方式以及其應(yīng)用領(lǐng)域。
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MOSFET常見(jiàn)電路有哪些？3款MOSFET應(yīng)用電路介紹
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MOSFET的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET的應(yīng)用電路你都了解嗎？MOSFET在什么應(yīng)用條件要考慮雪崩能量？
一直以來(lái)，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)MOSFET的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有哪些要求？常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有哪些
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過(guò)這篇文章，小編希望大家可以對(duì)它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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你了解MOSFET驅(qū)動(dòng)電路嗎？2款常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路分享
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)基本電路了解嗎？雙MOS如何設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開(kāi)關(guān)？
本文中，小編將對(duì)MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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MOSFET與IGBT的定義與特性
MOSFET，全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它由金屬、氧化物（如SiO?或SiN）及半導(dǎo)體三種材料制成，具有三個(gè)主要電極：源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
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IGBT和MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為兩種重要的半導(dǎo)體功率器件，在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)缺點(diǎn)，以下是對(duì)兩者優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析：
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一文詳解MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
MOSFET的工作基于柵極電壓對(duì)導(dǎo)電溝道的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定值時(shí)，會(huì)在半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電溝道，從而控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
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降壓轉(zhuǎn)換器頂部FET Q1的典型開(kāi)關(guān)波形和損耗
MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗,真正的晶體管需要時(shí)間才能打開(kāi)或關(guān)閉。因此，在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬變期間存在電壓和電流重疊，從而產(chǎn)生交流開(kāi)關(guān)損耗。
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Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級(jí)小信號(hào)MOSFET
單/雙封裝比傳統(tǒng)封裝具有更優(yōu)異的熱性能
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比較 N 溝道 MOSFET 和 P 溝道 MOSFET：哪種最適合您的應(yīng)用？
它們的反向摻雜分布是主要區(qū)別：p 通道 MOSFET 依靠空穴作為多數(shù)電荷載流子，產(chǎn)生空穴電流，而 n 通道器件利用電子，產(chǎn)生電子電流。由于電子的遷移率較高，約為空穴的兩到三倍，因此在 p 通道器件中移動(dòng)空穴比在 n 通道器件中移動(dòng)電子更具挑戰(zhàn)性。
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