MOSFET
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MOSFET和IGBT電源開關(guān)驅(qū)動的基本概念和作用?
它們的原理基于PN結(jié)及其組合、變形，同時還有結(jié)構(gòu)更為簡單的二極管、BJT、JFET等元件。本節(jié)將重點(diǎn)介紹電機(jī)控制器中常用的場效應(yīng)晶體管——Mosfet。
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英飛凌推出專為AI服務(wù)器優(yōu)化的新型48 V熱插拔控制器，擴(kuò)展其XDP?數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列
【2025年3月14日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY)擴(kuò)展旗下XDP? 數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列，推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數(shù)字熱插拔控制器，具備可編程安全操作區(qū)域(SOA)控制且專為高功率 AI 服務(wù)器設(shè)計。該控制器擁有出色的輸入及輸出電壓監(jiān)控與報告功能，精度達(dá) ≤0.4%，還有系統(tǒng)輸入電流監(jiān)控與報告功能，在全 ADC 范圍內(nèi)精度達(dá)≤0.75% ，可提升系統(tǒng)的故障檢測和報告準(zhǔn)確性。
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浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動器
半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開關(guān)模式配置的核心是柵極驅(qū)動器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號向高端和低端MOSFET功率開關(guān)提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號。
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MOSFET開關(guān)管損失了解嗎？限制MOSFET開關(guān)速度的因素有哪些
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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如何計算MOSFET驅(qū)動電流？哪些因素影響MOSFET開關(guān)損耗
在下述的內(nèi)容中，小編將會對MOSFET的相關(guān)消息予以報道，如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET和JFET在性能特點(diǎn)上有什么區(qū)別？MOSFET和晶體管有什么區(qū)別
以下內(nèi)容中，小編將對MOSFET的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對MOSFET的了解，和小編一起來看看吧。
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分階段解讀MOSFET工作原理！功率MOSFET等效電路分享
本文中，小編將對MOSFET予以介紹，如果你想對MOSFET的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進(jìn)對MOSFET的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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并聯(lián)MOSFET有何優(yōu)勢？MOSFET開關(guān)損耗是怎么回事
MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOSFET的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET
實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度
【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進(jìn)一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。
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DC-DC轉(zhuǎn)換器如何調(diào)整電流限制閾值
最近的進(jìn)展已經(jīng)通過在低側(cè)MOSFET(同步整流器)上取代壓降來消除電流檢測電阻。這種拓?fù)涔?jié)省了感測電阻的成本和空間，并且還提供了效率的適度提高。
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設(shè)計同步整流電源：MOSFET選擇與驅(qū)動電路設(shè)計
在電力電子領(lǐng)域，同步整流技術(shù)以其高效率、低損耗的特點(diǎn)，成為現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的重要組成部分。特別是在直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器中，同步整流技術(shù)通過使用兩個MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）來控制電流的方向，從而實(shí)現(xiàn)了電能的有效傳輸。本文將深入探討在設(shè)計同步整流電源時，如何選擇合適的MOSFET以及設(shè)計其驅(qū)動電路，以確保電源的高效率和穩(wěn)定性。
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首先ALN MOSFET展示承諾和挑戰(zhàn)
超寬的帶隙(UWBG)材料可以擴(kuò)大寬帶蓋(WBG)材料(例如碳化硅)(SIC)和氮化碳(GAN)在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供的改進(jìn)范圍。在本文中，我們總結(jié)了基于UWBG鋁(ALN)的MOSFET設(shè)備的最初初始演示 。開創(chuàng)性的工作突出了在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用該材料的一些承諾和挑戰(zhàn)。
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e絡(luò)盟正式開售 Diotec Semiconductor 產(chǎn)品
面向工業(yè)、汽車、能源、照明和消費(fèi)電子市場，產(chǎn)品價格富有競爭力，交貨期短
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如何為WLED構(gòu)建一個RGB PWM LED驅(qū)動程序
在這個項目中，我將為WLED構(gòu)建一個RGB PWM LED驅(qū)動程序。您可以使用此項目無線驅(qū)動12v RGB LED條。這個項目是WLED兼容，這使得控制容易得多。你可以用它驅(qū)動高達(dá)100w的RGB LED條。WLED運(yùn)行在XIAO ESP32C3上，LED驅(qū)動器使用IRLFZ44N邏輯級MOSFET。讓我們開始建造吧。
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當(dāng)過壓持續(xù)較長時間時，使用開關(guān)浪涌抑制器
在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET散熱超過其處理能力時切斷電流。
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柵極驅(qū)動器的工作原理是什么？柵極驅(qū)動器電壓范圍是多少
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)頄艠O驅(qū)動器的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對柵極驅(qū)動器具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設(shè)計的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET？
眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。
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首款新型TPSMB非對稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅(qū)動器保護(hù)
專為下一代電動汽車基礎(chǔ)設(shè)施而設(shè)計，為高能效車載充電和逆變器提供結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案
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詳解PWM死區(qū)的意義
電路中出現(xiàn)的死區(qū)是指輸入電壓在一定范圍內(nèi)時輸出電壓不變的現(xiàn)象。例如，在脈沖寬度調(diào)制(PWM)電路中，當(dāng)輸入信號的幅值超過某一閾值時，開關(guān)管就會打開，輸出信號的幅值就會隨之增加。但是，當(dāng)輸入信號幅值降至某一范圍內(nèi)時，輸出信號的幅值保持不變，從而產(chǎn)生了死區(qū)。
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