本文中，小編將對(duì)MOSFET予以介紹，如果你想對(duì)MOSFET的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)MOSFET的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。

一、分階段解讀MOSFET工作原理

MOSFET的工作原理可以簡(jiǎn)單地分為三個(gè)階段：

恢復(fù)階段(Charge Accumulation)：當(dāng)MOSFET的柵極電壓為零時(shí)，正電荷和負(fù)電荷會(huì)均勻地分布在柵極和氧化物界面上。此時(shí)，源極和漏極之間形成一個(gè)導(dǎo)電通道，電流可以自由地流動(dòng)。

調(diào)制階段(Depletion)：當(dāng)MOSFET的柵極電壓開(kāi)始增加時(shí)，會(huì)在氧化物表面形成一個(gè)電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)會(huì)使得半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子向柵極靠近，從而形成一個(gè)空穴和電子的夾雜區(qū)，即MOSFET中的亞閾值區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域中，源漏結(jié)上的電荷被控制，電流得到調(diào)制。

放大階段(Enhancement)：當(dāng)MOSFET的柵極電壓進(jìn)一步增加時(shí)，會(huì)吸引更多的少數(shù)載流子，使得亞閾值區(qū)域擴(kuò)大，同時(shí)源漏結(jié)的電荷也被控制得更加嚴(yán)格。在這個(gè)階段中，MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)被進(jìn)一步增強(qiáng)，電流得到更加精確的控制。

MOSFET的特點(diǎn)是具有高輸入電阻、低輸出電阻和高電壓控制能力。它能夠承受高電壓和高功率，因此在高頻和高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中廣泛使用。同時(shí)，MOSFET的尺寸越小，速度越快，功耗越低，因此在集成電路和微處理器中也得到了廣泛應(yīng)用。

二、功率MOSFET等效電路分享

功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/b>