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[導(dǎo)讀]納祥科技NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低,可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù),非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。 在性能上,NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。

納祥科技NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低,可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù),非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。

在性能上,NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。
納祥科技NX7011,應(yīng)用于電機(jī)的雙N溝道MOSFET,替代AP20G02BDF
▲NX7011芯片主圖


(一)NX7011主要特性



NX7011的主要特性有以下幾個(gè):

● 30V,30A
● RDS(ON) =7.3m? (Typ.) @ VGS = 10V
● RDS(ON)=9.8m? (Typ.) @ VGS = 4.5V
● 先進(jìn)的溝槽技術(shù)
● 提供先進(jìn)的RDS(ON)
納祥科技NX7011,應(yīng)用于電機(jī)的雙N溝道MOSFET,替代AP20G02BDF
▲NX7011功能框圖


(二)NX7011芯片亮點(diǎn)



NX7011采用小型化封裝,導(dǎo)通電阻低,電路性能優(yōu)良。

① 小型化封裝
NX7011采用PDFN3*3小型化封裝,有助于節(jié)省PCB設(shè)計(jì)空間。NX7011還具備良好的電氣性能與熱性能,通用性和兼容性強(qiáng)。

② 低漏源導(dǎo)通電阻
在柵極電壓為 10V 時(shí),NX7011的漏極與源極之間呈現(xiàn)的典型導(dǎo)通電阻為 7.3 m? ,能夠減少功率損耗,簡(jiǎn)化散熱要求,增強(qiáng)電路性能。
納祥科技NX7011,應(yīng)用于電機(jī)的雙N溝道MOSFET,替代AP20G02BDF
▲NX7011管腳配置


(三)NX7011應(yīng)用領(lǐng)域



?因其性能特質(zhì),NX7011應(yīng)用范圍廣泛,特別適用于需要高電流處理和大功率控制的場(chǎng)合,如無(wú)線充,電動(dòng)工具、液晶電視、電動(dòng)自行車、安防、電機(jī)?等領(lǐng)域中。
納祥科技NX7011,應(yīng)用于電機(jī)的雙N溝道MOSFET,替代AP20G02BDF
▲NX7011應(yīng)用示例圖

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