MOSFET
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征
EPAD MOSFET 專為實(shí)現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設(shè)計(jì)。這些器件專為實(shí)現(xiàn)最小失調(diào)電壓和差分熱響應(yīng)而構(gòu)建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第一部分EPAD MOSFET器件介紹
在電路設(shè)計(jì)中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢(shì)，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對(duì)他們施加的限制。長(zhǎng)期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會(huì)使新電路獲得成功。
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ALD810030 精密MOSFET 為四個(gè)匹配的超級(jí)電容器進(jìn)行自動(dòng)平衡
一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調(diào)節(jié)額定電壓更高的超級(jí)電容器——適用于廣泛的應(yīng)用，如執(zhí)行器、遠(yuǎn)程信息處理、太陽(yáng)能電池板、應(yīng)急照明、安全設(shè)備、條形碼掃描儀、高級(jí)計(jì)量箱和備用電池系統(tǒng)。
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SiC材料的進(jìn)擊路 從國(guó)產(chǎn)工規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET的發(fā)布談起
據(jù)東方衛(wèi)視報(bào)道，我國(guó)首款基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級(jí))認(rèn)證的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品在上海正式發(fā)布。9月4日，一則 “我國(guó)將把大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”的消息引爆市場(chǎng)，引起第三代半導(dǎo)體概念股集體沖高漲停，場(chǎng)面十分壯觀。不可置否，政策是最大的商機(jī)。2020年，新基建產(chǎn)業(yè)站在了風(fēng)口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中，第三代半導(dǎo)體承擔(dān)著重要角色。
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SiC-MOSFET終端區(qū)對(duì)開關(guān)損耗的物理分析
盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在大功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的相關(guān)因素，因?yàn)楦邘对诟邷?、電壓和頻率下的操作方面具有優(yōu)勢(shì)。硅的帶隙為 1.12 eV，而碳化硅的帶隙值高 3 倍，為 3.2 eV，因此性能和效率更高，開關(guān)頻率更高，總占位面積更小。
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通過使用具有頂部冷卻功能的 SMD 封裝來提高 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能
本文分析了表面貼裝 (SMD) 封裝中的硅 MOSFET在熱性能方面與底部冷卻封裝相比在熱性能方面的效率，從而降低了熱阻和工作溫度。它將展示如何降低結(jié)溫有助于提高功率效率，因?yàn)橹饕?MOSFET 參數(shù)會(huì)因溫度變化(如 RDS (on)和 Vth 電平)而發(fā)生更平滑的變化，以及降低總導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
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具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢(shì)壘 (SB) MOSFET 的介紹
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展，對(duì)具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢(shì)壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構(gòu)成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質(zhì)摻雜硅。SB MOSFET 的一個(gè)顯著特征是一個(gè)特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當(dāng)在邏輯電路中應(yīng)用此類器件時(shí)，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會(huì)發(fā)生這種情況。
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基礎(chǔ)電路學(xué)習(xí)（3）-- MOSFET驅(qū)動(dòng)電路小結(jié)
這幾天準(zhǔn)備測(cè)試DCDC電源的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)沒有負(fù)載，想著要不買一個(gè)看看，淘寶搜了一下，看到網(wǎng)上好多都是給電池放電，測(cè)試放電曲線用的，價(jià)格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程電源大師課中有設(shè)計(jì)好的負(fù)載demo板，立即便下載下來準(zhǔn)備打樣，自己做一個(gè)動(dòng)態(tài)負(fù)載切換的PCBA負(fù)載切換的原理很簡(jiǎn)單，主要通過PWM控制MOS管導(dǎo)通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路，其中TP2為DCDC輸出電壓。
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貿(mào)澤電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的英飛凌通用MOSFET
(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET。英飛凌豐富多樣的高壓和低壓MOSFET產(chǎn)品組合為各種應(yīng)用提供靈活性、適應(yīng)性和高價(jià)值，可幫助設(shè)計(jì)師滿足項(xiàng)目、價(jià)格或物流要求。
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ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高無線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性！
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA
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安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET
頂部冷卻簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本，實(shí)現(xiàn)小巧緊湊的電源方案
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)：集成驅(qū)動(dòng)器與柵極驅(qū)動(dòng)器的區(qū)別
在設(shè)計(jì)電機(jī)控制電路時(shí)，確定如何提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流至關(guān)重要。設(shè)計(jì)人員必須選擇是使用具有內(nèi)部功率器件的單片集成電路 (IC)，還是使用柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。
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最新的 dc/dc 控制器與 NexFET 功率 MOSFET 的組合可以提高電源效率
全球能源價(jià)格的上漲以及與電子產(chǎn)品相關(guān)的運(yùn)營(yíng)費(fèi)用的增加正在成為設(shè)備和/或消費(fèi)品采購(gòu)決策的重要組成部分。因此，研發(fā)工程師一直在尋找降低產(chǎn)品功耗的方法。過去，這主要適用于電池供電的應(yīng)用，因?yàn)樾蕰?huì)嚴(yán)重影響設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。然而，這種趨勢(shì)近年來已經(jīng)擴(kuò)大到包括許多離線供電的消費(fèi)品。
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對(duì)比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率零組件。
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最新行業(yè)新聞，英飛凌推出 LITIX Power,Diodes Inc. 發(fā)布 PowerDI8080-5器件
英飛凌推出 LITIX Power 雙通道 DC/DC 控制器，無需額外的微控制器即可驅(qū)動(dòng) LED 前照燈。 Infineon Technologies AG通過雙通道獨(dú)立 DC/DC 控制器擴(kuò)展了其LITIX Power 系列。該公司聲稱新的 TLD6098-2ES是第一款無需額外微控制器即可驅(qū)動(dòng)全 LED 前照燈的產(chǎn)品。該控制器還可以操作四種標(biāo)準(zhǔn) LED 前燈 功能：遠(yuǎn)光燈 (HB)、近光燈 (LB)、日間行車燈 (DRL) 和轉(zhuǎn)向燈 (TURN)。LITIX Power 產(chǎn)品還可用作外部 LED 照明中動(dòng)畫的電壓源。
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選擇功率 MOSFET 的簡(jiǎn)單指南
鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來越小，使用可靠、一致的方法來選擇正確的 MOSFET 變得越來越重要。這種方法可以加快開發(fā)周期，同時(shí)優(yōu)化特定應(yīng)用的設(shè)計(jì)。
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如何在我們的項(xiàng)目中選擇合適的 MOSFET 器件
隨著為個(gè)人計(jì)算機(jī) (PC) 應(yīng)用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動(dòng)，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實(shí)變得更加復(fù)雜。當(dāng)我們添加其他控制損耗機(jī)制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動(dòng)電壓)時(shí)，我們需要處理更復(fù)雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導(dǎo)致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。
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電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)化秘技：?jiǎn)纹?qū)動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)
現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級(jí)，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。
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CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢(shì)，第一部分
傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只有三個(gè)端子當(dāng)柵極控制電壓在電源和地之間變化時(shí)，柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時(shí)起，耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。
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