MOSFET
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英飛凌推出全新緊湊型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP），可在寬輸入電壓范圍內提供最高60 W高效功率輸出
【2025年5月28日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP）。這款緊湊的全集成式系統(tǒng)功率控制器可在85 - 305 VAC通用輸入電壓范圍內提供最高60 W高效功率輸出。系統(tǒng)中的高壓 MOSFET采用小型SMD封裝，擁有低RDS(ON)且無需外部散熱器，從而縮小了系統(tǒng)尺寸并降低了復雜性。CoolSET? SiP支持零電壓開關（ZVS）反激式操作，在實現(xiàn)低開關損耗和低EMI特性的同時，提高系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)健性。這使其成為大型家用電器和AI服務器等應用的理想解決方案。此外，這款控制器使開發(fā)者更容易滿足嚴格的能源標準，幫助他們設計開發(fā)出與時俱進的最新功率解決方案。
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利用理想二極管，實現(xiàn)穩(wěn)健的電源
穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個電源。使用多個不同電源為器件供電時，需要部署若干開關以將電源相互分隔開，以防損壞。對此，固然可在電源路徑中使用多個二極管來實現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類理想二極管的優(yōu)勢。文中將展示兩個版本的理想二極管：一個是無需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個版本則更加簡單，始終由更高的電壓為系統(tǒng)供電。
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英飛凌OptiMOS? 6 80V MOSFET樹立領先AI服務器平臺DC-DC功率轉換效率新標準
【2025年5月16日, 德國慕尼黑訊】隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉換為較低的總線電壓，這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領先處理器制造商AI服務器平臺的 IBC級。應用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%，相當于每kW負載節(jié)省約4.3 W。如果能擴展到系統(tǒng)層面，如服務器機架或整個數(shù)據(jù)中心，則將帶來顯著的節(jié)能效果。
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英飛凌與科士達深入合作，全棧方案樹立UPS高效可靠新標桿
【2025年4月10日, 中國上海訊】在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場需求持續(xù)攀升，對能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴苛。 近日，英飛凌宣布與深圳科士達科技股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅動器等全套功率半導體解決方案，助力科士達100kVA在線式UPS系統(tǒng)實現(xiàn)關鍵突破，滿足數(shù)據(jù)中心對高可靠、高能效電源的嚴苛需求。
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英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS? 8提升能效并降低 MOSFET相關成本
【2025年3月27日, 德國慕尼黑訊】Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產品系列，簡化了系統(tǒng)設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領先供應商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統(tǒng)的 MOSFET 內阻（RDS(on)），進而減少了導通損耗，提高了整體設備效率和電流密度，而且還節(jié)省了與MOSFET相關的成本。
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納祥科技NX7011，應用于電機的雙N溝道MOSFET，替代AP20G02BDF
納祥科技NX7011采用先進的溝槽技術，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個獨立的 MOSFET且漏源導通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產品的應用。 在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。
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納祥科技30V 20A雙N溝道MOSFET NX7010，高性能PIN TO PIN AP20H03DF
納祥科技NX7010是一款30V 20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵源電壓的控制。當柵源電壓大于導通電壓時，兩個MOS管都處于導通狀態(tài)，電流從N1的源極流向N2的漏極，再從N2的源極回到N1的漏極；當柵極電壓小于截止電壓時，兩個MOS管都處于截止狀態(tài)，電路中的電流幾乎為零。 在性能上，NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF
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Nexperia推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應用場景
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MOSFET和IGBT電源開關驅動的基本概念和作用?
它們的原理基于PN結及其組合、變形，同時還有結構更為簡單的二極管、BJT、JFET等元件。本節(jié)將重點介紹電機控制器中常用的場效應晶體管——Mosfet。
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英飛凌推出專為AI服務器優(yōu)化的新型48 V熱插拔控制器，擴展其XDP?數(shù)字保護產品系列
【2025年3月14日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY)擴展旗下XDP? 數(shù)字保護產品系列，推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數(shù)字熱插拔控制器，具備可編程安全操作區(qū)域(SOA)控制且專為高功率 AI 服務器設計。該控制器擁有出色的輸入及輸出電壓監(jiān)控與報告功能，精度達 ≤0.4%，還有系統(tǒng)輸入電流監(jiān)控與報告功能，在全 ADC 范圍內精度達≤0.75% ，可提升系統(tǒng)的故障檢測和報告準確性。
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浮地非隔離半橋柵極驅動器
半橋拓撲結構廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應用的電源轉換器件中。這種開關模式配置的核心是柵極驅動器IC，其主要功能是使用脈寬調制信號向高端和低端MOSFET功率開關提供干凈的電平轉換信號。
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MOSFET開關管損失了解嗎？限制MOSFET開關速度的因素有哪些
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET具備清晰的認識，主要內容如下。
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如何計算MOSFET驅動電流？哪些因素影響MOSFET開關損耗
在下述的內容中，小編將會對MOSFET的相關消息予以報道，如果MOSFET是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET和JFET在性能特點上有什么區(qū)別？MOSFET和晶體管有什么區(qū)別
以下內容中，小編將對MOSFET的相關內容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對MOSFET的了解，和小編一起來看看吧。
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分階段解讀MOSFET工作原理！功率MOSFET等效電路分享
本文中，小編將對MOSFET予以介紹，如果你想對MOSFET的詳細情況有所認識，或者想要增進對MOSFET的了解程度，不妨請看以下內容哦。
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并聯(lián)MOSFET有何優(yōu)勢？MOSFET開關損耗是怎么回事
MOSFET將是下述內容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOSFET的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內容如下。
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ROHM開發(fā)出適用于AI服務器等高性能服務器電源的MOSFET
實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻和超寬SOA范圍
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，實現(xiàn)更高的功率密度
【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。
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DC-DC轉換器如何調整電流限制閾值
最近的進展已經(jīng)通過在低側MOSFET(同步整流器)上取代壓降來消除電流檢測電阻。這種拓撲節(jié)省了感測電阻的成本和空間，并且還提供了效率的適度提高。
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設計同步整流電源：MOSFET選擇與驅動電路設計
在電力電子領域，同步整流技術以其高效率、低損耗的特點，成為現(xiàn)代電源轉換系統(tǒng)的重要組成部分。特別是在直流-直流（DC-DC）轉換器中，同步整流技術通過使用兩個MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）來控制電流的方向，從而實現(xiàn)了電能的有效傳輸。本文將深入探討在設計同步整流電源時，如何選擇合適的MOSFET以及設計其驅動電路，以確保電源的高效率和穩(wěn)定性。
