MOSFET
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mosfet是什么電子元件
MOSFET?zhǔn)且环N場效應(yīng)晶體管(FET)，全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
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意法半導(dǎo)體車規(guī)MDmesh DM9超結(jié)MOSFET提升硅片能效
2024 年 3 月 28 日，中國– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規(guī)600V/650V超結(jié) MOSFET為車載充電機(jī)(OBC)和采用軟硬件開關(guān)拓?fù)涞腄C/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用帶來卓越的能效和魯棒性。
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)
【2024年3月20日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品系列為客戶提供更高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性，樹立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展
【2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統(tǒng)和電動汽車充電應(yīng)用。
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開關(guān)電源維修方法步驟
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)
【2024年3月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動了低碳化進(jìn)程。
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Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
專業(yè)研發(fā)提供節(jié)省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET。
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意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶
STGAP系列隔離柵極驅(qū)動器具有穩(wěn)健性能、簡化設(shè)計、節(jié)省空間和高可靠性的特性
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mosfet驅(qū)動電路原理
MOSFET，全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它集輸入級與輸出級為一體，由P型和N型兩種不同類型的高效溝道增強(qiáng)型功率二極管組成。
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英飛凌與安克聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心，攜手發(fā)力PD快充領(lǐng)域并推動節(jié)能減碳
【2024年1月25日，德國慕尼黑和中國深圳訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX /OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其與全球充電技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者安克創(chuàng)新(Anker Innovations) 在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心。該創(chuàng)新應(yīng)用中心全面投入運(yùn)營之后，將為開發(fā)能夠減少二氧化碳排放的高能效充電解決方案鋪平道路，從而推動低碳化進(jìn)程。
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利用低電平有效輸出驅(qū)動高端MOSFET輸入開關(guān)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)
在無線收發(fā)器等應(yīng)用中，系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū)，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場進(jìn)行干預(yù)，此類應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無活動或掛起后，需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位，可以切斷電源電壓，斷開系統(tǒng)電源，然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。
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意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進(jìn)軍高壓純電動車市場
2023年12月22日，中國北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。
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英飛凌推出帶有集成溫度傳感器的全新 CoolMOS S7T
【2023年12月19日，德國慕尼黑訊】為提高結(jié)溫傳感的精度，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS? S7T產(chǎn)品系列。通過在系統(tǒng)中集成該系列半導(dǎo)體產(chǎn)品，可提升許多電子應(yīng)用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS? S7T具有出色的導(dǎo)通電阻和高精度嵌入式傳感器，最適合用于提高固態(tài)繼電器(SSR)應(yīng)用的性能和可靠性。
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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
【2023年12月7日，德國慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心和計算應(yīng)用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設(shè)計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。
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Littelfuse推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動器為隔離開關(guān)應(yīng)用提供浮動電源
提供高電壓與大電流，可驅(qū)動不同行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET/IGBT
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Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道增強(qiáng)模式功率MOSFET
要求嚴(yán)苛的高電壓汽車與工業(yè)應(yīng)用理想解決方案
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)估2023年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴(kuò)大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進(jìn)制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際(SMIC)、華虹集團(tuán)(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴(kuò)產(chǎn)最為積極。
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Littelfuse宣布推出采用改進(jìn)型SOT-223-2L封裝的800V N溝道耗盡型MOSFET
非常適合工業(yè)、能源、電信和LED照明市場的電源應(yīng)用
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美浦森半導(dǎo)體通過SGS可靠性檢測 獲AEC-Q101認(rèn)證
深圳2023年9月21日 /美通社/ -- 近日，國際公認(rèn)的測試、檢驗和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：美浦森半導(dǎo)體）SLH60R041GTDA型號MOSFET產(chǎn)品頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。美浦森半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)龐方杰、品質(zhì)工程經(jīng)理胡烺、SGS中國半導(dǎo)體及...
