www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當(dāng)前位置:首頁 > 廠商動(dòng)態(tài) > 英飛凌
[導(dǎo)讀]【2024年4月12日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù),具有出色的熱性能,可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板(PCB)。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì),并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此,SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電子機(jī)械制動(dòng)(EMB)、配電、無刷直流驅(qū)動(dòng)器(BLDC)、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

【2024年4月12日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù),具有出色的熱性能,可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板(PCB)。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì),并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此,SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電子機(jī)械制動(dòng)(EMB)、配電、無刷直流驅(qū)動(dòng)器(BLDC)、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

PG-LHDSO-10-1-2-3組合

SSO10T TSC的占板面積為5 x 7 mm2,并且基于已確立的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SSO8(5 x 6 mm2的堅(jiān)固外殼)。但由于采用了頂部冷卻,SSO10 TSC的性能比標(biāo)準(zhǔn)SSO8高出 20%以上,最高可高出50%(具體取決于所使用的熱界面(TIM)材料和TIM的厚度)。SSO10T TSC封裝被JEDEC列為開放市場(chǎng)產(chǎn)品,能夠與開放市場(chǎng)第二供應(yīng)商的產(chǎn)品進(jìn)行廣泛兼容。因此,該封裝可作為未來頂部冷卻標(biāo)準(zhǔn)快速、輕松地推出。

SSO10T半導(dǎo)體封裝能夠?qū)崿F(xiàn)高度緊湊的PCB設(shè)計(jì),減少系統(tǒng)占用空間。它還通過消除通孔降低了冷卻設(shè)計(jì)的成本,進(jìn)而減少了整體系統(tǒng)成本和設(shè)計(jì)工作量。同時(shí),該封裝還提供高功率密度和高效率,從而支持面向未來的可持續(xù)汽車的發(fā)展。

供貨情況

首批采用SSO10T的40 V汽車MOSFET產(chǎn)品現(xiàn)已上市,分別是:IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

中國(guó)上海,2025年9月10日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國(guó)大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)(總部位于德國(guó)赫爾佐根奧拉赫,以下簡(jiǎn)稱“舍弗勒”)宣布,作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑,舍弗勒開始量產(chǎn)...

關(guān)鍵字: SiC MOSFET 電動(dòng)汽車

-三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度-

關(guān)鍵字: SiC MOSFET 開關(guān)電源

在電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開關(guān)器件,其開關(guān)過程中的電磁干擾(EMI)問題備受關(guān)注。

關(guān)鍵字: MOSFET

【2025年8月1日,德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOS...

關(guān)鍵字: MOSFET 電動(dòng)汽車 伏逆變器

7月18日,由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園、北航確信可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的第三屆用戶大會(huì)在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會(huì)以“開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門”為主題,吸引了來自全...

關(guān)鍵字: SiC MOSFET 功率半導(dǎo)體

許多電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用都需要支持寬輸入或輸出電壓范圍。ADI公司的一款大電流、高效率、全集成式四開關(guān)降壓-升壓型電源模塊可以滿足此類應(yīng)用的需求。該款器件將控制器、MOSFET、功率電感和電容集成到先進(jìn)的3D集成封裝中,實(shí)現(xiàn)了緊...

關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓器 控制器 MOSFET

在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為核心開關(guān)器件,其可靠性直接影響系統(tǒng)壽命。據(jù)統(tǒng)計(jì),功率器件失效案例中,MOSFET占比超過40%,主要失效模式包括雪崩擊穿、熱失控、柵極氧化層擊穿等。本文從...

關(guān)鍵字: MOSFET 電力電子系統(tǒng)

在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進(jìn)的進(jìn)程中,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性,成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而,其高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EM...

關(guān)鍵字: 碳化硅 MOSFET 直流EMI

美國(guó)賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn),首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí),一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。

關(guān)鍵字: MOSFET 功率器件 IGBT

協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術(shù)與臺(tái)達(dá)智能節(jié)能解決方案,加速可持續(xù)應(yīng)用開發(fā)

關(guān)鍵字: 碳化硅 電源管理 MOSFET
關(guān)閉