MOSFET
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
~可加快車載主機(jī)逆變器等的普及速度~
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尋根究底：PFC電路旁路二極管作用及MOSFET常見失效模式
劉松 劉瞻 盧森茂 艾結(jié)華 ? 中大功率的ACDC電源都會(huì)采用有源功率因數(shù)校正PFC電路來提高其功率因數(shù)，減少對(duì)電網(wǎng)的干擾。在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，在實(shí)際的使用中，通常會(huì)加一個(gè)旁路二級(jí)管D2，如圖1所示。旁路二級(jí)管D2的作用，不同的資料，不同的工
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好在哪？用在哪？為您解讀我司全新SiC MOSFET方案！
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商，是該技術(shù)的先鋒，并創(chuàng)建了最低RDSon的SiCMOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù)，全面的高能效電源方案，包括先進(jìn)的基于碳化硅(SiC)的器件如SiCMOSFET...
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提高安全性和可靠性的ST電子熔斷器，你了解嗎？
什么是提高安全性和可靠性的ST電子熔斷器?它有什么作用?意法半導(dǎo)體STEF01可編程電子熔斷器集成低導(dǎo)通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內(nèi)，能夠維持高達(dá)4A的連續(xù)電流，并且插入損耗低，將動(dòng)作快速的過載保護(hù)的優(yōu)勢(shì)延續(xù)到額定功率更高的應(yīng)用產(chǎn)品。
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新型超結(jié)MOSFET器件，你聽說過嗎？
什么是新型超結(jié)MOSFET器件?它有什么作用?更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達(dá)到最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求：用于照明、智能電表、移動(dòng)充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應(yīng)用。這種全新半導(dǎo)體解決方案能實(shí)現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產(chǎn)成本。
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LinkSwitch-XT2開關(guān)電源IC，你了解嗎？
什么是LinkSwitch-XT2開關(guān)電源IC?你知道嗎?PI最近推出集成900V初級(jí)MOSFET的新版 LinkSwitch-XT2離線式開關(guān)電源IC。
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英飛凌科聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車新技術(shù)
2019年5月14日，德國慕尼黑/施蘭貝格訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車的新技術(shù)：
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高效超結(jié)MOSFET，你聽說過嗎？
什么是高效超結(jié)MOSFET?它有什么作用?2018年12月14日 - 意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對(duì)提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)。
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使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率
由于電動(dòng)馬達(dá)佔(zhàn)工業(yè)大部分的耗電量，工業(yè)傳動(dòng)的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此，半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神，來強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。
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第四代600V E系列MOSFET器件，你了解嗎？
什么是第四代600V E系列MOSFET器件?它有什么作用?2019年1月28日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。
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60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET，你知道嗎？
什么是60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率，導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%，同時(shí)柵極電荷和輸出電荷達(dá)到同類產(chǎn)品最低水平。
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STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET，你聽說過嗎？
什么是STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對(duì)提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽能 微型逆變器等設(shè)備的功率密度。
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ROHM開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車載用超小型MOSFET
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q
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碳化硅MOSFET特性以及相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
你知道碳化硅MOSFET特性嗎?隨著半導(dǎo)體工藝不斷精進(jìn)，半導(dǎo)體的材料也隨之改朝換代，碳化硅在眾多半導(dǎo)體材料中脫穎而出。碳化硅憑借具有不可比擬的優(yōu)良性能，同時(shí)碳化硅更是寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，其最大特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，
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安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢(shì)
安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商，是該技術(shù)的先鋒，并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù)，全面的高能效電源方案，包括先進(jìn)的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅(qū)動(dòng)器及集成模塊。
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MOS管開關(guān)原理以及深入解析，值得你收藏
什么是MOS管?它有什么作用?MOS管可以說是工程師最熟悉的器件之一，不過MOS管我們天天見，但是不乏一些剛?cè)胄械墓こ處?、甚至是少?shù)行業(yè)老手對(duì)于MOS的基礎(chǔ)理論的掌握不是很牢固，所以專門寫一篇文章為大家總結(jié)一下MOS的開關(guān)原理和基礎(chǔ)知識(shí)。
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一文看明白眾說紛紜的SiC（文末報(bào)名在線研討會(huì)）
一文看明白眾說紛紜的SiC（文末報(bào)名在線研討會(huì)） ? 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化
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氮化鎵晶體管的應(yīng)用，你知道嗎？
什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化，在這個(gè)行業(yè)中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電力電子工業(yè)已經(jīng)達(dá)到硅MOSFET的理論極限，現(xiàn)在需要轉(zhuǎn)移到新的元素。氮化鎵或氮化鎵是一種高流動(dòng)性的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體(HEMT)，在滿足新的應(yīng)用方面被證明是一種真正的附加價(jià)值。
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【媒體訪談】車用級(jí)碳化硅應(yīng)用如何？
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們 安森美半導(dǎo)體： 不斷推進(jìn)與車企的各種合作項(xiàng)目 安森美半導(dǎo)體提供大范圍的車用碳化硅 （SiC） MOSFET 和車用SiC二極管，包括：650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET （現(xiàn)提供樣品，今...
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MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)你會(huì)看了嗎？
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。 極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。 VDS表示漏極與源極
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