MOSFET
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英飛凌在線研討會：超低壓MOSFET你不可不知的那些事兒
【英飛凌在線研討會】 將于4月22日震撼來襲 ? 作為電子工程師 MOSFET絕對是一門必修課 ? 英飛凌近日推出超低壓MOSFET (20-45V) 系列 針對服務器電源、主板電源、車充/充電寶、充電器、無線充電、馬達驅動等應用 如此廣闊應用之下 這款產(chǎn)品的優(yōu)點也不容小覷 喜
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請舉手回答，穩(wěn)壓器是怎么工作的？
穩(wěn)壓器會產(chǎn)生具有恒定預設幅度的固定輸出電壓，無論其輸入電壓或負載條件是否變化。穩(wěn)壓器分為兩類：線性和開關式。 線性穩(wěn)壓器采用受高增益差分放大器控制的有源(BJT或MOSFET)通流器件(串聯(lián)或并聯(lián))。它將輸出電壓與精密基準電壓源相比較，并對通流器件進行調
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PI公司宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認證
美國加利福尼亞州圣何塞，2020年3月17日 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級
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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)
采用易于使用的封裝，適用于可穿戴設備和大批量應用
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宜普電源轉換公司(EPC)發(fā)布第十一階段可靠性測試報告 - 失效性測試顯示氮化鎵器件的穩(wěn)定性比硅功率MOSFET器件更具優(yōu)勢
繼第一至第十階段可靠性測試報告后，EPC公司的第十一階段可靠性測試報告進一步豐富知識庫。此報告對受測器件進行超過1230億元件-小時應力測試，并且展示氮化鎵器件的穩(wěn)定性是硅功率器件所不能實現(xiàn)的。
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明緯電源“1+1”并機冗余設計
全彩LED小間距顯示屏能在更小的屏體上，顯示更真實的效果，應用范圍越來越廣泛，特別在一些特殊應用場合，例如劇場劇院、大型演出、國際賽事現(xiàn)場直播與重要視頻會議等。顯示屏的高可靠性、低故障、免維護的特性也是受到人們青睞的主因之一。傳統(tǒng)冗余電源接法是由2個或多個電源于正端分別串接二極管的方式并聯(lián)輸出至電源總線上?？梢宰?個電源單獨工作，也可以讓多個電源同時工作。當其中1個電源出現(xiàn)故障時，由于二極管的單向導通特性，不會影響電源總線的輸出。
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東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率
–進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–
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IGBT工作原理解析
什么是IGBT？它的工作原理是什么？IGBT是元器件家族的成員之一，有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。那么，IGBT是如何完成開關過程的?
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SiC MOSFET在汽車和電源中的應用
科學技術的不斷發(fā)展推動者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。
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安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件實現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴苛條件下工作
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東芝面向中大電流IGBT/MOSFET，推出內置保護功能的光耦
中國上海，2020年3月10日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調節(jié)系統(tǒng)。
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英飛凌推出600 V CoolMOSTM S7
對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領先的功率密度和能效。
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市
這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。
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CISSOID推出用于電動汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊
比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。
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性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS? S7超結MOSFET
【2020年3月3日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領先的功率密度和能效。
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英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合，推出650V器件。
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英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
【2020年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰(zhàn)，來實現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進。
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網(wǎng)站上供應這款MOSFET器件。
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安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴展市場領先的低RDS(on) MOSFET性能
同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷
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Vishay高效80 V MOSFET，優(yōu)值系數(shù)達到最佳
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8單體封裝的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET® 第四代n溝道功率MOSFET。
