MOSFET
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明緯電源“1+1”并機(jī)冗余設(shè)計
全彩LED小間距顯示屏能在更小的屏體上，顯示更真實的效果，應(yīng)用范圍越來越廣泛，特別在一些特殊應(yīng)用場合，例如劇場劇院、大型演出、國際賽事現(xiàn)場直播與重要視頻會議等。顯示屏的高可靠性、低故障、免維護(hù)的特性也是受到人們青睞的主因之一。傳統(tǒng)冗余電源接法是由2個或多個電源于正端分別串接二極管的方式并聯(lián)輸出至電源總線上?？梢宰?個電源單獨(dú)工作，也可以讓多個電源同時工作。當(dāng)其中1個電源出現(xiàn)故障時，由于二極管的單向?qū)ㄌ匦裕粫绊戨娫纯偩€的輸出。
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東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率
–進(jìn)一步擴(kuò)展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–
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IGBT工作原理解析
什么是IGBT？它的工作原理是什么？IGBT是元器件家族的成員之一，有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。那么，IGBT是如何完成開關(guān)過程的?
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SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用
科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展推動者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動等電路設(shè)計。
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安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件實現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴(yán)苛條件下工作
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東芝面向中大電流IGBT/MOSFET，推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦
中國上海，2020年3月10日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
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英飛凌推出600 V CoolMOSTM S7
對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市
這個全新的可擴(kuò)展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機(jī)驅(qū)動的電動機(jī)制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。
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CISSOID推出用于電動汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊
比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。
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性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET
【2020年3月3日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。
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英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
【2020年2月25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合，推出650V器件。
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英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
【2020年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司通過專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)，來實現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
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安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴(kuò)展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能
同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷
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Vishay高效80 V MOSFET，優(yōu)值系數(shù)達(dá)到最佳
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8單體封裝的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET® 第四代n溝道功率MOSFET。
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Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗
器件占位面積10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m?，F(xiàn)OM降至172 m?*nC，均為業(yè)內(nèi)最佳水平
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Vishay推出高效80V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平
器件采用PowerPAK?SO-8單體封裝，導(dǎo)通電阻降至2.35mW，柵極電荷為55nC，COSS為614pF
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Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平
器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝，導(dǎo)通電阻降至2.35 mΩ，柵極電荷為55 nC，COSS為614 pF。
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智能電源方案用于數(shù)據(jù)中心，減小尺寸、增強(qiáng)可靠性并降低運(yùn)營成本
身處社會，我們每天都在創(chuàng)建、使用和分享前所未有的數(shù)據(jù)，無論是在我們的個人生活中還是在我們工作的時候。
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CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年1月14日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊。
