基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性來理解MOSFET的開關(guān)過程

　　MOSFET 的柵極電荷特性與開關(guān)過程　　盡管 MOSFET 在開關(guān)電源、電機控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師并沒有十分清楚的理解 MOSFET 開關(guān)過程，以

安世半導(dǎo)體年度產(chǎn)能超過1000億件

2月21日，全球領(lǐng)先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件制造商安世半導(dǎo)體通過其官方微信公眾號宣布：安世半導(dǎo)體被荷蘭恩智浦剝離出來作為一家獨立公司，僅用兩年時間即領(lǐng)先市場同行，實現(xiàn)收入增長超過35%，將年度產(chǎn)能擴產(chǎn)至超過1000億件。

采用P通道MOSFET管和電源監(jiān)測電路

MOSFET學(xué)習(xí)：N溝道MOS管和P溝道MOS管

MOS/CMOS集成電路簡介及N溝道MOS管和P溝道MOS管 在實際項目中，我們基本都用增強型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。 我們常用的是NMOS，因為其導(dǎo)通電阻小，且容易

Vishay推出第四代600V E系列MOSFET器件，性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。

意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)的超結(jié)MOSFET，為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來卓越性能

意法半導(dǎo)體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復(fù)體二極管，將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓?fù)?、零電壓開關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里。

英特爾14nm CPU產(chǎn)能開出，MOSFET淡季不淡！

去年一直困擾著大中、杰力等MOSFET廠的6吋及8吋晶圓代工產(chǎn)能不足問題，今年上半年也獲得解決。 由于小尺寸面板驅(qū)動IC及微控制器(MCU)投片量明顯減少，MOSFET廠第一季可以取得更多晶圓代工產(chǎn)能支持，上半年不會再有產(chǎn)能不足情況發(fā)生。

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體緊跟時代步伐，采用國際領(lǐng)先的碳化硅設(shè)計生產(chǎn)工藝，推出國內(nèi)首款通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，助推國內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。

世界先進(jìn)董事長：MOSFET需求仍旺盛，貿(mào)易戰(zhàn)對其影響不大！

中美貿(mào)易戰(zhàn)對金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)為主的分離式元件供需影響較小，他認(rèn)為，目前MOSFET需求仍十分旺盛。

MOSFET

本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET（金氧半場效晶體管）。 當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十

8吋晶圓訂單依舊滿載，需求勝于12吋！

8吋半導(dǎo)體矽晶圓大廠合晶指出，8吋訂單依舊滿載，不過6吋的需求有轉(zhuǎn)趨疲弱的跡象，稼動率有松動的情況。據(jù)悉，8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓明年上半年將延續(xù)漲勢，漲幅可望達(dá)到10%以上，而明年上半年整體的8吋矽晶圓的漲幅約落在高個位數(shù)附近。

貿(mào)澤開售TI LMG3410R070 GaN功率級產(chǎn)品 支持新型電動機的高密度需求

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級產(chǎn)品。

什么是MOSFET

“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)

MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費下載！

一種能對Vishay Siliconix MOSFET的熱性能進(jìn)行模擬，并號稱是第一款利用有限元分析以提高精確度的免費在線工具目前正在網(wǎng)上流行。 Vishay提供的ThermaSim讓設(shè)計者可以

新能源汽車應(yīng)用推動，功率半導(dǎo)體市場不斷壯大！

“功率半導(dǎo)體在節(jié)約能源方面起著重要的作用，然而之前令人無奈的是市場卻很小，但是，2017年世界市場規(guī)模超過了2兆日元(約1,200億人民幣)，特別是EV、混合動力汽車、燃料電池車等方面發(fā)展迅猛。尤其是SiC(碳化硅)被高度評價具有優(yōu)越的材料特性。”

MOSFET缺貨漲價泡湯？晶圓代工廠透露：12月接單有壓力

據(jù)報道，金氧半場效電晶體(MOSFET)市場出現(xiàn)雜音，有晶圓代工廠透露，客戶需求轉(zhuǎn)趨觀望，12月訂單調(diào)整幅度比往年大，接單感受到壓力。

意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言 散熱器在計算時會出現(xiàn)誤差，一般說來主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不齊，并不是一樣的，而且在芯片上各處的溫度也是不同的。結(jié)果是

智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

汽油機缸內(nèi)直噴是當(dāng)前轎車汽油噴射中的前沿技術(shù)，多點順序汽油噴射將各個點火線圈分別安裝在各缸的進(jìn)氣歧管中，使各缸混合氣分配較均勻，因此能很好地適應(yīng)減少排放、降低油

MOSFET的諧極驅(qū)動

1.引言 在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管（MOSFET）引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)其他領(lǐng)域的發(fā)展。由于MOSFET具有更快的開關(guān)速度，電源開關(guān)頻率可以做