MOSFET
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IR推出堅(jiān)固的車用雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC AUIRB24427S
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用大電流雙低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC AUIRB24427S，適合混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 、電動(dòng)車 (EV) 和大功率工業(yè)轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)電源
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盤點(diǎn)關(guān)于開關(guān)電源設(shè)計(jì)的經(jīng)典問答題
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。
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為便攜式設(shè)備快速充電
移動(dòng)設(shè)備正日益成為我們?nèi)粘Ｉ畈豢苫蛉钡囊徊糠?。以智能手機(jī)為例，除了簡單的手機(jī)呼叫功能外，智能手機(jī)現(xiàn)在還具有豐富的特性，能夠支持社交網(wǎng)絡(luò)、Web 瀏覽、消息發(fā)送、游
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2014年開關(guān)電源主力市場發(fā)展如何？
隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切，而電子設(shè)備都離不開可靠的電源，進(jìn)入80年代計(jì)算機(jī)電源全面實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源化，率先完成計(jì)算機(jī)
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IR擴(kuò)充60V StrongIRFET MOSFET系列
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多種標(biāo)準(zhǔn)和高性能功率封裝。全新MOSFET適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的
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德州儀器推出業(yè)界首批支持集成型MOSFET的大電流PMBus轉(zhuǎn)換器
20A 及 30A SWIFT™ DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器支持電壓、電流以及溫度監(jiān)控日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首批具有 PMBus 接口的 18V、20A 及 30A 同步 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器。該
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IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列 具備極低導(dǎo)通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變
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盤點(diǎn)2013中國十大電路保護(hù)技術(shù)廠商（下）
安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、
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超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET
最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術(shù)研討會(huì)上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生
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反激式LED驅(qū)動(dòng)中的PFC原理
作為一種固態(tài)光源，發(fā)光二級管(LED)具備使用壽命長、功效出色以及環(huán)保特性，因此得到了廣泛應(yīng)用。目前，LED正在取代現(xiàn)有的照明光源，如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點(diǎn)亮LED，需要用恒定電流進(jìn)行操作，而且必須具有
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保護(hù)敏感電子組件，抵御高壓瞬態(tài)
汽車和工業(yè)應(yīng)用中常常遇到持續(xù)時(shí)間從幾微秒到數(shù)百毫秒的高壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子產(chǎn)品不僅必須耐受瞬態(tài)電壓尖峰而不被損壞，而且在很多情況下還必須在出現(xiàn)電壓尖峰時(shí)
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基于FAN6300準(zhǔn)諧振LED路燈電源的設(shè)計(jì)
近年來，LED 由于節(jié)能環(huán)保而在路燈照明方面得到廣泛應(yīng)用。為滿足大功率LED 的電氣特性，在傳統(tǒng)的反激變換器的基礎(chǔ)上，基于飛兆FAN6300 設(shè)計(jì)了一種準(zhǔn)諧振高壓恒流LED 路燈驅(qū)動(dòng)電源。闡述了準(zhǔn)諧振開關(guān)電源的原理和優(yōu)點(diǎn)，給出了電路原理圖，以及關(guān)鍵元件的參數(shù)計(jì)算和選取方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了該設(shè)計(jì)的可行性和有效性。
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聯(lián)電在先進(jìn)材料與組件研發(fā)方面獲得重要的成果
【導(dǎo)讀】聯(lián)電在先進(jìn)材料與組件研發(fā)方面獲得重要的成果 聯(lián)電在2006超大規(guī)模集成電路技術(shù)會(huì)議中，針對先進(jìn)材料與組件研發(fā)提案報(bào)告其重要研究成果。 這些重要發(fā)現(xiàn)主要針對半導(dǎo)體組件微小化，其中包括在
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飛兆半導(dǎo)體的AEC-Q101低壓MOSFET 為汽車電子設(shè)計(jì)提供高效率等優(yōu)勢
【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體的AEC-Q101低壓MOSFET 為汽車電子設(shè)計(jì)提供高效率等優(yōu)勢 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench&
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安森美半導(dǎo)體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強(qiáng)固負(fù)載性能的方案
【導(dǎo)讀】森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)
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飛兆半導(dǎo)體為智能電話背光應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率
【導(dǎo)讀】為了應(yīng)對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導(dǎo)體 (NYSE: FCS) 開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。 1mm2的小占位面積升壓開關(guān)可節(jié)省智能電話設(shè)計(jì)的板上占位空間高達(dá)6
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飛兆半導(dǎo)體Ultra FRFET MOSFET榮獲2010年“年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”
【導(dǎo)讀】全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布，其Ultra FRFET™系列MOSFET在由《電子工程專輯》雜志舉辦的2011年中國電子成就獎(jiǎng)中，獲選為“年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”得獎(jiǎng)
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飛兆半導(dǎo)體在electronica上展示功率技術(shù)解決方案
【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在3月15至17日于上海新國際博覽中心舉行的electronica China 2011展會(huì)上，展示超過20款用于高能效電子應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案。 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semico
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Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率以達(dá)到能源之星評級
【導(dǎo)讀】Diodes公司推出同步$MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的$肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有
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兆半導(dǎo)體與英飛凌科技簽署創(chuàng)新的汽車級MOSFET H-PSOF TO-Leadless封裝工藝許可協(xié)議;協(xié)議確保設(shè)計(jì)人員可獲得可靠的創(chuàng)新封裝技術(shù)供應(yīng)渠道
【導(dǎo)讀】2012年4月5日，德國紐必堡與加州圣何塞——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)
