MOSFET
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IR為工業(yè)應用推出大罐式DirectFET MOSFET系列 具備極低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變
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盤點2013中國十大電路保護技術廠商（下）
安森美半導體安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、
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超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET
最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生
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反激式LED驅(qū)動中的PFC原理
作為一種固態(tài)光源，發(fā)光二級管(LED)具備使用壽命長、功效出色以及環(huán)保特性，因此得到了廣泛應用。目前，LED正在取代現(xiàn)有的照明光源，如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點亮LED，需要用恒定電流進行操作，而且必須具有
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保護敏感電子組件，抵御高壓瞬態(tài)
汽車和工業(yè)應用中常常遇到持續(xù)時間從幾微秒到數(shù)百毫秒的高壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子產(chǎn)品不僅必須耐受瞬態(tài)電壓尖峰而不被損壞，而且在很多情況下還必須在出現(xiàn)電壓尖峰時
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基于FAN6300準諧振LED路燈電源的設計
近年來，LED 由于節(jié)能環(huán)保而在路燈照明方面得到廣泛應用。為滿足大功率LED 的電氣特性，在傳統(tǒng)的反激變換器的基礎上，基于飛兆FAN6300 設計了一種準諧振高壓恒流LED 路燈驅(qū)動電源。闡述了準諧振開關電源的原理和優(yōu)點，給出了電路原理圖，以及關鍵元件的參數(shù)計算和選取方法。實驗結果證明了該設計的可行性和有效性。
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聯(lián)電在先進材料與組件研發(fā)方面獲得重要的成果
【導讀】聯(lián)電在先進材料與組件研發(fā)方面獲得重要的成果 聯(lián)電在2006超大規(guī)模集成電路技術會議中，針對先進材料與組件研發(fā)提案報告其重要研究成果。 這些重要發(fā)現(xiàn)主要針對半導體組件微小化，其中包括在
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飛兆半導體的AEC-Q101低壓MOSFET 為汽車電子設計提供高效率等優(yōu)勢
【導讀】飛兆半導體的AEC-Q101低壓MOSFET 為汽車電子設計提供高效率等優(yōu)勢 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench&
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安森美半導體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強固負載性能的方案
【導讀】森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設
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飛兆半導體為智能電話背光應用實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率
【導讀】為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢，飛兆半導體 (NYSE: FCS) 開發(fā)出結合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。 1mm2的小占位面積升壓開關可節(jié)省智能電話設計的板上占位空間高達6
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飛兆半導體Ultra FRFET MOSFET榮獲2010年“年度電源產(chǎn)品獎”
【導讀】全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布，其Ultra FRFET™系列MOSFET在由《電子工程專輯》雜志舉辦的2011年中國電子成就獎中，獲選為“年度電源產(chǎn)品獎”得獎
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飛兆半導體在electronica上展示功率技術解決方案
【導讀】飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)將在3月15至17日于上海新國際博覽中心舉行的electronica China 2011展會上，展示超過20款用于高能效電子應用的創(chuàng)新解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semico
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Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率以達到能源之星評級
【導讀】Diodes公司推出同步$MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的$肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有
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兆半導體與英飛凌科技簽署創(chuàng)新的汽車級MOSFET H-PSOF TO-Leadless封裝工藝許可協(xié)議;協(xié)議確保設計人員可獲得可靠的創(chuàng)新封裝技術供應渠道
【導讀】2012年4月5日，德國紐必堡與加州圣何塞——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)
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Mouser備貨TI公司的多款高效率NexFET MOSFET產(chǎn)品
【導讀】2012年10月26日 – Mouser Electronics， Inc.正在全面?zhèn)湄汿I公司的NexFET™功率MOSFET產(chǎn)品。TI公司的NexFET產(chǎn)品支持90%電源效率以及雙倍頻率的設計。 摘要： 2012年10月26日 – Mouser Electronic
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看好LED燈具市場 恩智浦拓展驅(qū)動產(chǎn)品線
【導讀】過去5年來，LED市場發(fā)生的變化為業(yè)者提供了新的增長點，比如恩智浦。過去幾年，該公司一直側(cè)重于室內(nèi)專業(yè)照明和高端消費領域市場，如住宅和酒店，這些市場愿意花費較高的成本享受先進的燈光體驗，所以，可調(diào)
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華微電子：率半導體龍頭整裝待發(fā)
【導讀】近年來陸續(xù)開發(fā)并量產(chǎn)高頻開關電源用功率晶體管、高清電視機用晶體管、半導體保護器件、雙向晶閘管、VDMOS功率器件、IGBT等產(chǎn)品，產(chǎn)品技術處于國內(nèi)領先，部分產(chǎn)品達到國際水平。 摘要： 近年來陸續(xù)開發(fā)并
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2012飛兆半導體收入14億美元 同比降12%
【導讀】2012年飛兆半導體全年總收入為14億美元，相比2011年下降了12%，凈收入為2500萬美元，2011年則為1.46億，經(jīng)過調(diào)整后凈利潤為7100萬美元，2011年為1.7億。 摘要： 2012年飛兆半導體全年總收入為14億美元，
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超結MOSFET前景一片利好
【導讀】SJ MOSFET技術市場有2/3皆應用于消費型產(chǎn)品，像是桌上型電腦或是游戲機的電源供應器，雖然這些產(chǎn)品的市場需求衰煺，但SJ MOSFET在其他產(chǎn)品的應用卻如雨后春筍出現(xiàn)，其中以平板電腦的電源供應器最具成長空間，
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瞄準高功率應用，廠商對LED驅(qū)動IC架構進行翻新
【導讀】發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動積體電路(IC)架構掀革新。LED驅(qū)動IC商已開始部署高功率LED驅(qū)動IC方案，將金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)獨立于LED驅(qū)動IC封裝外，以因應商業(yè)照明市場日益高漲的高瓦數(shù)照明需求。
