MOSFET
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Diodes新型 MOSFET離板高度減半
Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較同類(lèi)器件
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Diodes推出采用薄型DFN2020-6封裝的MOSFET
21ic訊 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較
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車(chē)用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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ZXSC310的典型應(yīng)用電路圖
如圖所示電路提供了一種驅(qū)動(dòng)大功率白光LED的解決方案，即利用工作在“降壓”模式的標(biāo)準(zhǔn)升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED。這種解決方案的效率 高達(dá)96％，與效率只有85％的標(biāo)準(zhǔn)方案相比，它具有很多實(shí)際優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)MOSFE
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IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品
國(guó)際整流器公司推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開(kāi)關(guān)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、充電和放電開(kāi)關(guān)等低功率應(yīng)用。全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，能夠大
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車(chē)用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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車(chē)用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic訊 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic訊 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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汽車(chē)電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)
汽車(chē)環(huán)境對(duì)電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱(chēng)電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對(duì)的問(wèn)題包括負(fù)載突降、冷車(chē)發(fā)動(dòng)、電池反向、雙電池助推、尖峰信號(hào)、噪聲和極寬的溫度范圍。在
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Vishay Siliconix 30 V P溝道芯片級(jí)MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件，擴(kuò)充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.
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汽車(chē)電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)
汽車(chē)環(huán)境對(duì)電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱(chēng)電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對(duì)的問(wèn)題包括負(fù)載突降、冷車(chē)發(fā)動(dòng)、電池反向、雙電池助推、尖峰信號(hào)、噪聲和極寬的溫度范圍。在
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汽車(chē)電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)
汽車(chē)環(huán)境對(duì)電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱(chēng)電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對(duì)的問(wèn)題包括負(fù)載突降、冷車(chē)發(fā)動(dòng)、電池反向、雙電池助推、尖峰信號(hào)、噪聲和極寬的溫度范圍。在
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鋰電池過(guò)充電、過(guò)放電、短路保護(hù)電路詳解
該電路主要由鋰電池保護(hù)專(zhuān)用集成電路DW01，充、放電控制MOSFET1(內(nèi)含兩只N溝道MOSFET)等部分組成，單體鋰電池接在B+和B-之間，電池組從P+和P-輸出電壓。充電時(shí)，充電器輸出電壓接在P+和P-之間，電流從P+到單體電池的
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Vicor展出其最新產(chǎn)品
1981年Vicor公司成立, 并致力開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售功率轉(zhuǎn)換組件和方案。 除了電源組件以外，Vicor還生產(chǎn)及銷(xiāo)售完整的配置式電源、配件模塊、和定制式電源系統(tǒng)。Vicor的產(chǎn)品主要供應(yīng)通訊、數(shù)據(jù)處理、工業(yè)控制、檢測(cè)設(shè)備、
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快捷與英飛凌共同簽訂車(chē)用MOSFET H-PSOF TO無(wú)導(dǎo)線封裝授權(quán)協(xié)議
賴(lài)品如／臺(tái)北 英飛凌和快捷半導(dǎo)體宣布，針對(duì)英飛凌先進(jìn)的車(chē)用 MOSFET 封裝技術(shù) H-PSOF(帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)簽訂授權(quán)協(xié)議，該技術(shù)是符合JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的TO無(wú)導(dǎo)線封裝(MO-299)。該封裝適用于高電流汽車(chē)應(yīng)用，
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瑞薩電子推出推出八款低功耗MOSFET
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）日前宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品，理想用于包括智能手機(jī)和筆記本在內(nèi)的便攜式電子產(chǎn)品。具有業(yè)界領(lǐng)先的低
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電源設(shè)計(jì)小貼士 43：分立器件——一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案
在電源設(shè)計(jì)小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實(shí)現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動(dòng)電流。在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來(lái)了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分
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電源設(shè)計(jì)小貼士42：可替代集成 MOSFET 的分立器件
在電源設(shè)計(jì)中，工程師通常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者面臨由于柵極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大的問(wèn)題。為緩解這一問(wèn)題，工程師通常會(huì)采用外部驅(qū)動(dòng)器。半導(dǎo)體廠商（包括 TI 在內(nèi)）擁有現(xiàn)成的 MOSFE
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電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇
DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
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