車用MOSFET：尋求性能與保護的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在

飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET

21ic訊 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設(shè)計人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET

21ic訊 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設(shè)計人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

汽車電子保護電路設(shè)計

汽車環(huán)境對電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對的問題包括負載突降、冷車發(fā)動、電池反向、雙電池助推、尖峰信號、噪聲和極寬的溫度范圍。在

Vishay Siliconix 30 V P溝道芯片級MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件，擴充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.

汽車電子保護電路設(shè)計

汽車環(huán)境對電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對的問題包括負載突降、冷車發(fā)動、電池反向、雙電池助推、尖峰信號、噪聲和極寬的溫度范圍。在

汽車電子保護電路設(shè)計

汽車環(huán)境對電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對的問題包括負載突降、冷車發(fā)動、電池反向、雙電池助推、尖峰信號、噪聲和極寬的溫度范圍。在

鋰電池過充電、過放電、短路保護電路詳解

該電路主要由鋰電池保護專用集成電路DW01，充、放電控制MOSFET1(內(nèi)含兩只N溝道MOSFET)等部分組成，單體鋰電池接在B+和B-之間，電池組從P+和P-輸出電壓。充電時，充電器輸出電壓接在P+和P-之間，電流從P+到單體電池的

Vicor展出其最新產(chǎn)品

1981年Vicor公司成立, 并致力開發(fā)、生產(chǎn)及銷售功率轉(zhuǎn)換組件和方案。 除了電源組件以外，Vicor還生產(chǎn)及銷售完整的配置式電源、配件模塊、和定制式電源系統(tǒng)。Vicor的產(chǎn)品主要供應(yīng)通訊、數(shù)據(jù)處理、工業(yè)控制、檢測設(shè)備、

快捷與英飛凌共同簽訂車用MOSFET H-PSOF TO無導(dǎo)線封裝授權(quán)協(xié)議

賴品如／臺北 英飛凌和快捷半導(dǎo)體宣布，針對英飛凌先進的車用 MOSFET 封裝技術(shù) H-PSOF(帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)簽訂授權(quán)協(xié)議，該技術(shù)是符合JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的TO無導(dǎo)線封裝(MO-299)。該封裝適用于高電流汽車應(yīng)用，

瑞薩電子推出推出八款低功耗MOSFET

21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品，理想用于包括智能手機和筆記本在內(nèi)的便攜式電子產(chǎn)品。具有業(yè)界領(lǐng)先的低

電源設(shè)計小貼士 43：分立器件——一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設(shè)計小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分

電源設(shè)計小貼士42：可替代集成 MOSFET 的分立器件

　　在電源設(shè)計中，工程師通常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者面臨由于柵極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大的問題。為緩解這一問題，工程師通常會采用外部驅(qū)動器。半導(dǎo)體廠商（包括 TI 在內(nèi)）擁有現(xiàn)成的 MOSFE

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種

創(chuàng)新型汽車MOSFET H-PSOF TO無鉛封裝技術(shù)

飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技公司日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術(shù)達成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。這款封裝專為包括混合

Fairchild與Infineon簽訂車用MOSFET 封裝技術(shù)協(xié)議

英飛凌(Infineon) 和快捷半導(dǎo)體(Fairchild)日前宣布，針對英飛凌先進的車用MOSFET 封裝技術(shù)H-PSOF（帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝）簽訂授權(quán)協(xié)議，該技術(shù)是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO 無導(dǎo)線封裝(MO-299)。該封裝適用于高電

Infineon與Fairchild簽訂車用MOSFET封裝授權(quán)協(xié)議

(Fairchild)宣布針對英飛凌先進的車用 MOSFET 封裝技術(shù) H-PSOF (帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)簽訂授權(quán)協(xié)議，該技術(shù)是符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 TO 無導(dǎo)線封裝(MO-299)。 該封裝適用于高電流汽車應(yīng)用，包括油電混合車電

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種

SI9114采用MOSFET電路圖