MOSFET
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Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130ºC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度
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Diodes 封裝MOSFET有助實(shí)現(xiàn)低溫操作
DFN1212-3封裝零件可輕易替換同類SOT723封裝MOSFET Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (Rthj-a) 為130oC/W，能于持續(xù)狀態(tài)下支援高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、R
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BUCK電路拓?fù)浼捌涔ぷ髟?/a>
BUCK電路拓?fù)銽是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT)，當(dāng)時，T導(dǎo)通。 D：續(xù)流二極管。 L和C組成LPF。二、工作原理四、假設(shè)及參數(shù)計算 1.T，D均為理想器件 2.L較大，使得在一個周期內(nèi)電流連續(xù)且無內(nèi)阻 3.直流輸出電壓
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雙管正激小功率電源的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)
正激變換由于拓?fù)浜唵危?升/ 降壓范圍寬， 廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合。正激變換器的輸出功率不象反激變換器那樣受變壓器儲能的限制， 因此輸出功率較反激變換器大， 但是正激變換器的開關(guān)管電壓應(yīng)力高， 為兩倍
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雙管正激小功率電源的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)
正激變換由于拓?fù)浜唵危?升/ 降壓范圍寬， 廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合。正激變換器的輸出功率不象反激變換器那樣受變壓器儲能的限制， 因此輸出功率較反激變換器大， 但是正激變換器的開關(guān)管電壓應(yīng)力高， 為兩倍
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熱插拔控制器應(yīng)用介紹
“熱插拔”是指將板卡從加有電源的主機(jī)（背板、服務(wù)器等）上插入或拔出,主要應(yīng)用在基站、磁盤冗余陣列（RAID）、遠(yuǎn)程接入服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由路、網(wǎng)絡(luò)交換器以及ISDN等系統(tǒng)。當(dāng)板卡插入主機(jī)時,主機(jī)已處于穩(wěn)態(tài)
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先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求
本文主要探討了DC-DC應(yīng)用中轉(zhuǎn)換器功率級選擇的影響。 先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求 許多工業(yè)系統(tǒng),如測試測量設(shè)備,都需要嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器,是因?yàn)檫@些應(yīng)用所需的計算能力日益增加。這種計算能力由DSP 、FPGA 、
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先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求
本文主要探討了DC-DC應(yīng)用中轉(zhuǎn)換器功率級選擇的影響?！ ∠冗M(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求 許多工業(yè)系統(tǒng),如測試測量設(shè)備,都需要嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器,是因?yàn)檫@些應(yīng)用所需的計算能力日益增加。這種計算能力由DSP 、FPGA 、
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先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求
本文主要探討了DC-DC應(yīng)用中轉(zhuǎn)換器功率級選擇的影響?！ ∠冗M(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求 許多工業(yè)系統(tǒng),如測試測量設(shè)備,都需要嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器,是因?yàn)檫@些應(yīng)用所需的計算能力日益增加。這種計算能力由DSP 、FPGA 、
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LED Lighting市場餅漸大 閘能科技搶商機(jī)
雖然今年綠能市場一片哀嚎，無論是LED或是太陽能廠商，大多盈收不佳，甚至有些廠商走向賠錢命運(yùn)，但不可否認(rèn)的，LED Lighting市場是廠商不愿意放棄的領(lǐng)域，根據(jù)DIGITIMES電子時報的報導(dǎo)，LED晶粒價格大幅走跌，有利于
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UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計
1 引言 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮，為驅(qū)動電路的設(shè)計提供了更多的選擇和設(shè)計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計
UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計
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智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計方案
在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。 UCD
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智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計方案
在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性?！ CD
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智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計方案
在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性?！ CD
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飛兆半導(dǎo)體推出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設(shè)計的外形尺寸，并提供了所需的高效率。FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護(hù)電路和其它超便
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電源設(shè)計到位需注意--固本問題
1. 開關(guān)電源這5V輸出的問題經(jīng)常有人抱怨自己的設(shè)計的系統(tǒng)在實(shí)驗(yàn)室或生產(chǎn)車間里調(diào)試?yán)匣瘯r一點(diǎn)問題都沒有，可一到現(xiàn)查就不是頻繁復(fù)位就是采樣數(shù)據(jù)受干擾，真是干擾不斷。后來打開機(jī)箱看了之后發(fā)現(xiàn)其供電系統(tǒng)直接是用開
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電源設(shè)計到位需注意--固本問題
1. 開關(guān)電源這5V輸出的問題經(jīng)常有人抱怨自己的設(shè)計的系統(tǒng)在實(shí)驗(yàn)室或生產(chǎn)車間里調(diào)試?yán)匣瘯r一點(diǎn)問題都沒有，可一到現(xiàn)查就不是頻繁復(fù)位就是采樣數(shù)據(jù)受干擾，真是干擾不斷。后來打開機(jī)箱看了之后發(fā)現(xiàn)其供電系統(tǒng)直接是用開
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高壓電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計中，頭部、頸部、四肢的任何活動都需要各種各樣電機(jī)的支持，如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī)，但這些電機(jī)的驅(qū)動和控制要求各有不同，如何實(shí)現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案？如何
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為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET
中心議題： 同步整流基礎(chǔ)知識 優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案： 確定優(yōu)化MOSFET的負(fù)載電流 借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET 1. 引言 電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格，
