欲知詳情，請(qǐng)下載word文檔
下載文檔
本站聲明： 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
中國(guó)上海，2025年9月10日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國(guó)大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)(總部位于德國(guó)赫爾佐根奧拉赫，以下簡(jiǎn)稱“舍弗勒”)宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開(kāi)始量產(chǎn)...
關(guān)鍵字：
SiC
MOSFET
電動(dòng)汽車
在電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電磁干擾(EMI)問(wèn)題備受關(guān)注。
關(guān)鍵字：
MOSFET
【2025年8月1日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOS...
關(guān)鍵字：
MOSFET
電動(dòng)汽車
伏逆變器
7月18日，由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園、北航確信可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的第三屆用戶大會(huì)在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會(huì)以“開(kāi)啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門”為主題，吸引了來(lái)自全...
關(guān)鍵字：
SiC
MOSFET
功率半導(dǎo)體
許多電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用都需要支持寬輸入或輸出電壓范圍。ADI公司的一款大電流、高效率、全集成式四開(kāi)關(guān)降壓-升壓型電源模塊可以滿足此類應(yīng)用的需求。該款器件將控制器、MOSFET、功率電感和電容集成到先進(jìn)的3D集成封裝中，實(shí)現(xiàn)了緊...
關(guān)鍵字：
穩(wěn)壓器
控制器
MOSFET
在電力電子系統(tǒng)中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為核心開(kāi)關(guān)器件，其可靠性直接影響系統(tǒng)壽命。據(jù)統(tǒng)計(jì)，功率器件失效案例中，MOSFET占比超過(guò)40%，主要失效模式包括雪崩擊穿、熱失控、柵極氧化層擊穿等。本文從...
關(guān)鍵字：
MOSFET
電力電子系統(tǒng)
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進(jìn)的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開(kāi)關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EM...
關(guān)鍵字：
碳化硅
MOSFET
直流EMI
美國(guó)賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。
關(guān)鍵字：
MOSFET
功率器件
IGBT
協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術(shù)與臺(tái)達(dá)智能節(jié)能解決方案，加速可持續(xù)應(yīng)用開(kāi)發(fā)
關(guān)鍵字：
碳化硅
電源管理
MOSFET
【2025年7月17日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球領(lǐng)先的交通出行解決方案供應(yīng)商DENSO在其年度北美商業(yè)合作伙伴大會(huì)(NABPC)上，為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQ...
關(guān)鍵字：
自動(dòng)駕駛
可持續(xù)發(fā)展
MOSFET
【2025年7月1日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型Coo...
關(guān)鍵字：
功率電子
MOSFET
光伏逆變器
基于多個(gè)高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢(shì)，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個(gè)區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)：設(shè)計(jì)自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合...
關(guān)鍵字：
功率模塊
MOSFET
SiC
【2025年6月13日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）為電源管理解決方案領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者光寶科技(2301.tw)提供600 V...
關(guān)鍵字：
數(shù)據(jù)中心
MOSFET
服務(wù)器
【2025年5月28日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP）。這款緊湊的全集成式系統(tǒng)功率...
關(guān)鍵字：
功率控制器
MOSFET
AI服務(wù)器
穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個(gè)電源。使用多個(gè)不同電源為器件供電時(shí)，需要部署若干開(kāi)關(guān)以將電源相互分隔開(kāi)，以防損壞。對(duì)此，固然可在電源路徑中使用多個(gè)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類理想二極管的...
關(guān)鍵字：
二極管
電源
MOSFET
【2025年5月16日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強(qiáng)大，對(duì)板級(jí)電源的要求也越來(lái)越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對(duì)于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈...
關(guān)鍵字：
AI服務(wù)器
DC-DC功率轉(zhuǎn)換
MOSFET
全新屏蔽式功率電感系列具備高耐熱、高飽和電流能力及低磁場(chǎng)輻射特性
關(guān)鍵字：
功率電感
電源電路
濾波
【2025年4月10日, 中國(guó)上海訊】在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場(chǎng)需求持續(xù)攀升，對(duì)能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。 近日，英飛凌宣布與深圳科士達(dá)科技股份有限...
關(guān)鍵字：
MOSFET
驅(qū)動(dòng)器
功率半導(dǎo)體
