MOSFET
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一種高效率AC/DC電源的設(shè)計(jì)
由于功率密度的增加，能量損耗的密度也更為集中。更高的效率就意味著更低的熱損耗。提高電源效率正在迅速成為提高功率密度時(shí)唯一可行的措施。本文討論的AC/DC電源，80%以上的效率就可以被視為高效率?，F(xiàn)在，市場(chǎng)上可
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兩種常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路((如圖所示)，驅(qū)動(dòng)電路工作原理如下： A.當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過(guò)Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個(gè)PIN腳功能 1 LM
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低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較
新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品?！ ”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、
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電動(dòng)自行車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
電動(dòng)自行車具有環(huán)保節(jié)能，價(jià)格合適，無(wú)噪聲，便利等特點(diǎn)，因此，電動(dòng)自行車成為當(dāng)今社會(huì)人們主要的代步工具。與此同時(shí)，消費(fèi)者和商家對(duì)整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來(lái)越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
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高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧
隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過(guò)去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場(chǎng)的
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Blade封裝技術(shù)助力 低壓MOSFET效能升級(jí)
在綠色節(jié)能熱潮持續(xù)發(fā)燒與能源規(guī)范日趨嚴(yán)格等因素驅(qū)使下，市場(chǎng)對(duì)電源供應(yīng)系統(tǒng)的效率和功率密度的要求也不斷提升。為因應(yīng)此一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌(Infineon)已研發(fā)出采用新一代Blade封裝技術(shù)的低壓金屬氧化物場(chǎng)效電晶體(
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電
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Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個(gè)PIN腳功能 1 LM
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個(gè)PIN腳功能 1 LM
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低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較
新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品?！ ”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、
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高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧
隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過(guò)去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場(chǎng)的
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高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧
隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過(guò)去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場(chǎng)的
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)
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閘能科技朝高效率綠能產(chǎn)品應(yīng)用IC發(fā)展
綠能環(huán)保已成全球電子業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，位于南港IC設(shè)計(jì)育成中心的IC設(shè)計(jì)新創(chuàng)公司閘能科技( Alfa-MOS Technology)，完成MOSFET、LED Driver、ESD等產(chǎn)品線的多項(xiàng)成果，符合手持裝置、LED燈源、LCD面板以及車載等電子系統(tǒng)在綠
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開(kāi)環(huán)推挽逆變器軟開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài),硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開(kāi)關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時(shí),D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時(shí)不為零
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開(kāi)環(huán)推挽逆變器軟開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài),硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開(kāi)關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時(shí),D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時(shí)不為零
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開(kāi)環(huán)推挽逆變器軟開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài),硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開(kāi)關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時(shí),D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時(shí)不為零
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)
田舍郎
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