MOSFET
-
飛兆推出60V PowerTrench MOSFET器件
21ic訊 DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級(jí)同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。為了滿足這一需求， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild
-
飛兆推出60V PowerTrench MOSFET器件
21ic訊 DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級(jí)同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。為了滿足這一需求， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild
-
Diodes推出全新DFN3020封裝MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代
-
為你的應(yīng)用選擇合適的高壓MOSFET
高電壓MOSFET技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來(lái)了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達(dá)成其應(yīng)用的效率和成本目標(biāo)。了解不同MOSFET部件的細(xì)微差別及不同開
-
IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含 AUIRL7
-
IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含 AUIRL7
-
IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含 AUIRL7
-
采用測(cè)量放大電路推動(dòng)的功放
放大器電路，特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器，A3組成第二級(jí)差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
-
量體裁衣，如何選擇適合自己的功率器件？
功率器件的選擇是做好一個(gè)電源系統(tǒng)的基本，所謂的“量體”，就是在選擇器件的時(shí)候要首先根據(jù)我們的需要，定義出我們對(duì)功率器件的實(shí)際需求。就像定做衣服一樣，我們系統(tǒng)的電流、電壓、功率、功耗
-
技術(shù)：LED燈具驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)的五點(diǎn)忠告
進(jìn)入2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈，led燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中
-
一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
-
采用測(cè)量放大電路推動(dòng)的功放
放大器電路，特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器，A3組成第二級(jí)差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
-
一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
-
一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
-
一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jī)?chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
-
今年中國(guó)本地被動(dòng)器件市場(chǎng)增長(zhǎng)將超過(guò)30%
《國(guó)際電子商情》記者日前在中國(guó)電子展上走訪了若干家被動(dòng)器件供應(yīng)商，主要以二極管，三極管，MOSFET，大功率晶體管為主。在現(xiàn)場(chǎng)《國(guó)際電子商情》記者了解到，2010年被動(dòng)器件銷售額增長(zhǎng)幅度較大，2011需求仍然強(qiáng)勁，
-
IR推出新系列車用 MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車平臺(tái)應(yīng)用。新系列 MOSFET 器件采用 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)和 SO-8 封裝，內(nèi)含單雙 N/
-
Allegro推出新款三相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC A4938
21ic訊 Allegro MicroSystems 公司推出完整的三相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器，可為最高電源電壓為 38 V 的全 N 通道功率 MOSFET 三相橋的直接大電流門極驅(qū)動(dòng)提供輸出。 Allegro 的 A4938 具有霍爾元件輸入、一個(gè)用于整
-
IR推出新系列車用 MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車平臺(tái)應(yīng)用。新系列 MOSFET 器件采用 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)和 SO-8 封裝，內(nèi)含單雙 N/
-
MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動(dòng)器件的缺貨和供應(yīng)鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心，對(duì)此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫(kù)存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來(lái)，但
