MOSFET
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高電壓輸入的降壓DC-DC變換器設(shè)計
本文介紹一種以TL494為控制器，可以工作在60V輸入的降壓變換器。
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高電壓輸入的降壓DC-DC變換器設(shè)計
本文介紹一種以TL494為控制器，可以工作在60V輸入的降壓變換器。
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Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅(qū)動器
21ic訊 Intersil公司今天推出業(yè)內(nèi)首款雙6A峰值電流驅(qū)動能力的雙通道MOSFET驅(qū)動器---ISL89367。此款獨特器件為設(shè)計人員提供了高速驅(qū)動多個并聯(lián)大電流功率MOSFET的集成解決方案，非常適合用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動器和D
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準(zhǔn)諧振反激式電源架構(gòu)及應(yīng)用
低成本和高可靠性是離線電源設(shè)計中兩個最重要的目標(biāo)。準(zhǔn)諧振 (Quasi resonant) 設(shè)計為設(shè)計人員提供了可行的方法，以實現(xiàn)這兩個目標(biāo)。準(zhǔn)諧振技術(shù)降低了MOSFET的開關(guān)損耗，從而提高可靠性。此外，更軟的開關(guān)改善了電源
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路設(shè)計
首先要進行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間
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安森美半導(dǎo)體推出非同步升壓控制器NCV8871
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為
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航空和國防應(yīng)用的電源保護
凌力爾特向國防工業(yè)供應(yīng)高性能模擬集成電路已經(jīng)近 30 年了，一直奉獻各種資源來支持該市場的專門需求。凌力爾特提供包括工業(yè)、汽車和軍用溫度范圍在內(nèi)的多種產(chǎn)品級別以及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量和 0.1 FIT 級的“同類最
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航空和國防應(yīng)用的電源保護
凌力爾特向國防工業(yè)供應(yīng)高性能模擬集成電路已經(jīng)近 30 年了，一直奉獻各種資源來支持該市場的專門需求。凌力爾特提供包括工業(yè)、汽車和軍用溫度范圍在內(nèi)的多種產(chǎn)品級別以及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量和 0.1 FIT 級的“同類最
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歐姆龍與IceMos Technology量產(chǎn)采用MEMS超結(jié)構(gòu)造MOSFET
圖1：開發(fā)的MOSFET（點擊放大） 美國IceMos Technology與歐姆龍開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)（Super-Junction）構(gòu)造MOSFET（圖1）。IceMos Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計和開發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)
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一種求解每個熱源功率損耗的新方法
一 引言 DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)?？梢詼y量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進行表達： 效率 = 輸出功率 / 輸入功率 （1） 功率損耗 = 輸入功率-輸出功率
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一種求解每個熱源功率損耗的新方法
一 引言 DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)?？梢詼y量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進行表達： 效率 = 輸出功率 / 輸入功率 （1） 功率損耗 = 輸入功率-輸出功率
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用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。
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完全自保護MOSFET功率器件分析
為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全
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完全自保護MOSFET功率器件分析
為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全
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80V浪涌吸收器原理與設(shè)計
摘要 針對飛機直流電源上的浪涌干擾，分析了采用電壓鉗位和開關(guān)式穩(wěn)壓電路兩種方法，實現(xiàn)80V浪涌吸收器的可行性。經(jīng)過設(shè)計和試驗，較好地解決了這一問題。 關(guān)鍵詞 機載電子設(shè)備；80V浪涌吸收器；浪涌干擾 隨
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IR推出新系列40V至75V車用MOSFET
21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種
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IR推出新系列40V至75V車用MOSFET
21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。IR堅固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種
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基于混合SET/MOSFET的比較器
據(jù)2001 年的國際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra
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基于混合SET/MOSFET的比較器
據(jù)2001 年的國際半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra
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基于UC3844的反激開關(guān)電源設(shè)計
引言 隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展，開關(guān)電源正朝著小、輕、薄的方向發(fā)展。反激變換器因具有電路拓?fù)浜唵?、輸入電壓范圍寬、輸入輸出電氣隔離、體積重量小、成本低、性能良好、工作穩(wěn)定可靠等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于實際變
