MOSFET
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瑞薩將上市SiC功率半導體
瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調等白色家電外，預計還可用于通信基站和服務器等配備的PFC(功率因
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意法半導體上市LED燈泡用驅動IC MOSFET
意法合資的意法半導體(STMicroelectronics)上市了小型LED燈泡用驅動IC“HVLED805”。該IC用在反激型絕緣AC-DC轉換器的一次側，在一個芯片上集成了PWM控制IC和+800V耐壓的功率MOSFET。無需使用電流檢測電阻便可檢測出
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IR將攜最新節(jié)能電源管理解決方案參展IIC-China 2011
全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）宣布將攜行業(yè)領先的節(jié)能電源管理解決方案參展第十六屆國際集成電路研討會暨展覽會（IIC-China 2011）?！ R的工程師和
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS? 晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS™ 晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功奠
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LED恒流驅動器件MOSFET選擇
常用的是NMOS.原因是導通電阻小,應用較為廣泛,也符合LED驅動設計要求.所以開關電源和LED恒流驅動的應用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主. 功率MOSFET的開關特性:MOSFET功率場效應晶體管是用柵極電壓來
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LED恒流驅動器件MOSFET選擇
常用的是NMOS.原因是導通電阻小,應用較為廣泛,也符合LED驅動設計要求.所以開關電源和LED恒流驅動的應用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主. 功率MOSFET的開關特性:MOSFET功率場效應晶體管是用柵極電壓來
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同步MOSFET柵極驅動器LTC4444/-5的H級版本（Linear）
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅動器，為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設
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利用STR F6656設計34寸彩色電視機開關電源
摘要：介紹Sanken公司的混合型開關電源ICSTR?F6600系列的原理和應用，作為實例，介紹了使用STR?F6656設計一個34″彩電用的開關電源，并給出滿意的實驗結果。1引言 混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS™ 晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功奠
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS™ 晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功奠
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利用STR F6656設計34寸彩色電視機開關電源
摘要：介紹Sanken公司的混合型開關電源ICSTR?F6600系列的原理和應用，作為實例，介紹了使用STR?F6656設計一個34″彩電用的開關電源，并給出滿意的實驗結果。1引言 混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
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飛兆半導體在IIC China 2011展示先進功率與便攜技術
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)將在2月24日至26日舉行的IIC China 2011展會上，展示其最新的功率技術和便攜技術，公司展臺位于深圳會展中心2號展館2J19展臺。 飛兆半導體華南地區(qū)銷售總監(jiān)藍仕偉表示：
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車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術，包括 55V 和 150V 標準柵極驅動
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在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率，設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言 在開關電源設計中，效率是一個關鍵性的參
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遼寧工學院 TOPSwitch的特點及設計時需注意的問題
摘要：對TOPSwitch的特點作了進一步的分析，并講述了設計中如何求得一個最佳電感值的問題。1引言 對于200W以下的開關電源，應用TOPSwitch與應用UC3842相比，所需的元器件要少得多，從而使電路簡化，體積和重量進一
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車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術，包括 55V 和 150V 標準柵極驅動
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關注架構級和元件級優(yōu)化的改進，以實現(xiàn)最高效的設計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關注架構級和元件級優(yōu)化的改進，以實現(xiàn)最高效的設計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關注架構級和元件級優(yōu)化的改進，以實現(xiàn)最高效的設計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
