0 引言 眾所周知,今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。近年來(lái),內(nèi)核CPU所需的電源電流每?jī)赡昃头环?,即便攜式內(nèi)核CPU電源電流需求會(huì)高達(dá)40A之大,而電壓在0.9V和1.75
本文針對(duì)皮衛(wèi)星電源系統(tǒng)的特點(diǎn)開(kāi)發(fā)了一套智能化、高效率的數(shù)字化電源系統(tǒng),其智能化設(shè)計(jì)主要體現(xiàn)在:通過(guò)多種測(cè)量電路對(duì)電源系統(tǒng)各關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的電壓、電流等重要信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)采集、處理與分析,隨時(shí)掌握電源系統(tǒng)的能量
本文針對(duì)皮衛(wèi)星電源系統(tǒng)的特點(diǎn)開(kāi)發(fā)了一套智能化、高效率的數(shù)字化電源系統(tǒng),其智能化設(shè)計(jì)主要體現(xiàn)在:通過(guò)多種測(cè)量電路對(duì)電源系統(tǒng)各關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的電壓、電流等重要信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)采集、處理與分析,隨時(shí)掌握電源系統(tǒng)的能量
21ic訊 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(NS)宣布推出業(yè)界首款內(nèi)置全部4個(gè)初級(jí)端橋接MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的全橋脈沖調(diào)制(PWM)控制器。這兩款型號(hào)分別為L(zhǎng)M5045及LM5046的控制器芯片可以提高1/4及1/8磚電源模塊的效率和功率密度,其
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在3月15至17日于上海新國(guó)際博覽中心舉行的electronica China 2011展會(huì)上,展示超過(guò)20款用于高能效電子應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案,展臺(tái)編
瑞薩電子計(jì)劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開(kāi)始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外,預(yù)計(jì)還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因
意法合資的意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)上市了小型LED燈泡用驅(qū)動(dòng)IC“HVLED805”。該IC用在反激型絕緣AC-DC轉(zhuǎn)換器的一次側(cè),在一個(gè)芯片上集成了PWM控制IC和+800V耐壓的功率MOSFET。無(wú)需使用電流檢測(cè)電阻便可檢測(cè)出
全球功率半導(dǎo)體和管理方案廠商國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)宣布將攜行業(yè)領(lǐng)先的節(jié)能電源管理解決方案參展第十六屆國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)(IIC-China 2011)?! R的工程師和
2011年1月19日,英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功奠
常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小,應(yīng)用較為廣泛,也符合LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求.所以開(kāi)關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主. 功率MOSFET的開(kāi)關(guān)特性:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來(lái)
常用的是NMOS.原因是導(dǎo)通電阻小,應(yīng)用較為廣泛,也符合LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求.所以開(kāi)關(guān)電源和LED恒流驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS.下面的介紹中,也多以NMOS為主. 功率MOSFET的開(kāi)關(guān)特性:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來(lái)
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本,該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)
摘要:介紹Sanken公司的混合型開(kāi)關(guān)電源ICSTR?F6600系列的原理和應(yīng)用,作為實(shí)例,介紹了使用STR?F6656設(shè)計(jì)一個(gè)34″彩電用的開(kāi)關(guān)電源,并給出滿意的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。1引言 混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功奠
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功奠
摘要:介紹Sanken公司的混合型開(kāi)關(guān)電源ICSTR?F6600系列的原理和應(yīng)用,作為實(shí)例,介紹了使用STR?F6656設(shè)計(jì)一個(gè)34″彩電用的開(kāi)關(guān)電源,并給出滿意的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。1引言 混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在2月24日至26日舉行的IIC China 2011展會(huì)上,展示其最新的功率技術(shù)和便攜技術(shù),公司展臺(tái)位于深圳會(huì)展中心2號(hào)展館2J19展臺(tái)。 飛兆半導(dǎo)體華南地區(qū)銷(xiāo)售總監(jiān)藍(lán)仕偉表示:
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出車(chē)用平面 MOSFET 系列,適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù),包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)