MOSFET
-
飛兆半導(dǎo)體推出低功率LED驅(qū)動器集成MOSFET
21ic訊 隨著LED照明市場持續(xù)增長，設(shè)計(jì)人員需要能夠適合有限的線路板占位面積、滿足電路保護(hù)和系統(tǒng)可靠性要求并簡化供應(yīng)鏈物流，同時(shí)符合全球能源法規(guī)要求的解決方案。為了幫助設(shè)計(jì)人員滿足這些要求，飛兆半導(dǎo)體公司
-
實(shí)現(xiàn)高效率和低待機(jī)功耗的雙管反激式轉(zhuǎn)換器
高效率和低待機(jī)功耗是現(xiàn)今開關(guān)電源設(shè)計(jì)的兩大難題，由于諧振拓?fù)浠騆LC拓?fù)淠軌驖M足高效率的要求，因而日益流行。然而在這種拓樸中，前PFC級必須在輕負(fù)載期間保持運(yùn)作，造成諧振回路中存在內(nèi)循環(huán)損耗，待機(jī)功耗成為一
-
實(shí)現(xiàn)高效率和低待機(jī)功耗的雙管反激式轉(zhuǎn)換器
高效率和低待機(jī)功耗是現(xiàn)今開關(guān)電源設(shè)計(jì)的兩大難題，由于諧振拓?fù)浠騆LC拓?fù)淠軌驖M足高效率的要求，因而日益流行。然而在這種拓樸中，前PFC級必須在輕負(fù)載期間保持運(yùn)作，造成諧振回路中存在內(nèi)循環(huán)損耗，待機(jī)功耗成為一
-
瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET
21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管（超級結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這
-
MOSFET驅(qū)動器及功耗計(jì)算方法
我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容
-
簡析高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
-
MOSFET驅(qū)動器及功耗計(jì)算方法
我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容
-
簡析高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
-
簡析高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
-
準(zhǔn)諧振反激的原理介紹及應(yīng)用參數(shù)計(jì)算
如果不用固定的時(shí)鐘來初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會
-
用于反激變換器中BIMOSFET的相關(guān)性能
1 引言反激變換器一個典型的應(yīng)用場合是在逆變器中給IGBT的驅(qū)動提供輔助電源。此時(shí)反激變換器的開關(guān)管需要有比較高的擊穿電壓和快的開關(guān)速度。為了降低開關(guān)損耗，開通和關(guān)段的能量也要小。BIMOSFET的一個主要的優(yōu)點(diǎn)就
-
雙低電壓理想二極管控制器
LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來實(shí)現(xiàn)一個理想的二極管功能。它取代了兩個高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節(jié)省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應(yīng)滯留應(yīng)用的。LTC4353調(diào)節(jié)橫跨正向
-
恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
恩智浦半導(dǎo)體(NXP)近日推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。 即將
-
為升壓轉(zhuǎn)換器提供關(guān)斷功能的外接元件
圖1是升壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器電路，它有一個眾所周知的問題：如果將升壓轉(zhuǎn)換器IC1的輸入拉低來關(guān)斷升壓轉(zhuǎn)換器，外接電感L1和正向偏置肖特基二極管D1就可以讓負(fù)載繼續(xù)引出電流。對于電池供電的設(shè)備來說，這是一個沉重的負(fù)載（
-
雙低電壓理想二極管控制器
LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來實(shí)現(xiàn)一個理想的二極管功能。它取代了兩個高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節(jié)省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應(yīng)滯留應(yīng)用的。LTC4353調(diào)節(jié)橫跨正向
-
恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的
-
恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的
-
D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
-
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
21ic訊 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的
-
開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路介紹及分析
開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
