MOSFET
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高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告
2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國(guó)數(shù)
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LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，
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LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，
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LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告
2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國(guó)數(shù)
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高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告
2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國(guó)數(shù)
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高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告
2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國(guó)數(shù)
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響
0 引言近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)，功率MOSFET的需求也越來(lái)越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流
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華潤(rùn)上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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JFET-MOSFET耳機(jī)電路圖
一款性能極佳的JFET-MOSFET耳機(jī)電路圖 JFET-MOSFET耳機(jī)電路圖
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尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響
0 引言近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)，功率MOSFET的需求也越來(lái)越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流
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MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
摘要：率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配
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華潤(rùn)上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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五種降低離線反向電源功耗的方法
就電源而言，要想滿足當(dāng)今苛刻的效率要求是頗具挑戰(zhàn)性的。光是理解終端設(shè)備、電源點(diǎn)評(píng)以及管理機(jī)構(gòu)間眾多不同的計(jì)劃和指令就已經(jīng)很困難了。這些指令包括能源指令、加利福尼亞能源委員會(huì)以及歐盟待機(jī)效率倡議等。然而
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五種降低離線反向電源功耗的方法
就電源而言，要想滿足當(dāng)今苛刻的效率要求是頗具挑戰(zhàn)性的。光是理解終端設(shè)備、電源點(diǎn)評(píng)以及管理機(jī)構(gòu)間眾多不同的計(jì)劃和指令就已經(jīng)很困難了。這些指令包括能源指令、加利福尼亞能源委員會(huì)以及歐盟待機(jī)效率倡議等。然而
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功
