新器件具有E系列600V和650V MOSFET的相同優(yōu)點，具有高效率和高功率密度

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點。新器件的低導通電阻和柵極電荷在高功率、高性能的消費類產(chǎn)品、照明應用和ATX/桌面PC機開關(guān)電源(SMPS)里將起到節(jié)能的重要作用。

高壓MOSFET" />

Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超級結(jié)技術(shù)，為采用高性能平面技術(shù)的Vishay現(xiàn)有500V D系列器件補充了高效率產(chǎn)品。這些25A器件的導通電阻為145mΩ ，提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和細引線的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多種封裝選項，這些低外形封裝適用于薄型消費類產(chǎn)品。

新的MOSFET具有57nC的超低柵極電荷，柵極電荷與到導通電阻乘積也較低，該參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換應用里MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。與Vishay的600V和650V E系列器件類似，500V技術(shù)具有低導通電阻和優(yōu)化的開關(guān)速度，能夠提高功率因數(shù)校正(PFC)、雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和反激轉(zhuǎn)換器應用里的效率和功率密度，

器件符合RoHS，可承受雪崩和開關(guān)模式里的高能脈沖，保證極限值通過100% UIS測試。

器件規(guī)格表：

器件的首顆500V高壓MOSFET" />