作為特色工藝技術(shù)純代工企業(yè)，華虹NEC致力于打造特色工藝平臺(tái)，目前已形成嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、模擬/電源管理芯片、高壓CMOS/顯示驅(qū)動(dòng)、射頻和功率器件等五大特色工藝平臺(tái)。在今年IIC-China展會(huì)上，華虹NEC集中展示了上述五大特色工藝平臺(tái)的最新技術(shù)成果和解決方案。該公司銷售與市場(chǎng)副總裁高峰接受本刊專訪時(shí)，分享了華虹NEC特色工藝平臺(tái)的最新進(jìn)展以及熱點(diǎn)技術(shù)應(yīng)用情況。

嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)是華虹NEC的關(guān)鍵性戰(zhàn)略工藝平臺(tái)，華虹NEC在該領(lǐng)域持續(xù)投入，不斷開(kāi)發(fā)新工藝技術(shù)。隨著金融IC卡、M2M SIM、智能電表等高端市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品高可靠性提出的需求越來(lái)越多，要求也越來(lái)越高，針對(duì)上述情況，華虹NEC基于0.13μm SONOS嵌入式存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)，成功開(kāi)發(fā)出具有超高可靠性（UHR）的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器模塊（EEPROM/Flash IP），使0.13μm SONOS EEPROM/Flash IP的數(shù)據(jù)保存時(shí)間從常規(guī)的10年提升到了超過(guò)30年，而擦寫(xiě)次數(shù)則從100K大幅提高到超過(guò)500K。

華虹NEC銷售與市場(chǎng)副總裁高峰

“華虹NEC長(zhǎng)期以來(lái)致力于嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器工藝的研發(fā)和生產(chǎn)，從 0.35μm EEPROM工藝到0.13μm SONOS EEPROM/Flash工藝，一直保持代工領(lǐng)域嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)的全球領(lǐng)先地位?！比A虹NEC銷售與市場(chǎng)副總裁高峰表示，“這次技術(shù)的提升能幫助客戶進(jìn)一步鞏固其產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，并支持客戶產(chǎn)品在未來(lái)進(jìn)入更高端應(yīng)用市場(chǎng)。”

據(jù)悉，北京華大電子基于華虹NEC的0.13μm嵌入式存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)，成功開(kāi)發(fā)出了國(guó)內(nèi)第一顆通過(guò)銀聯(lián)認(rèn)證的國(guó)產(chǎn)移動(dòng)支付芯片（CIU98768A），北京華大智寶電子系統(tǒng)有限公司已成功將此應(yīng)用于移動(dòng)支付領(lǐng)域。

除了在嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域不斷深耕，華虹NEC在功率器件代工工藝方面也在不斷推進(jìn)。華虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服務(wù)的8英寸晶圓廠，目前已成為全球最大的8英寸功率器件代工廠，累計(jì)出貨量達(dá)300萬(wàn)片。IGBT是華虹NEC的重點(diǎn)產(chǎn)品之一，早在2011年初，華虹NEC就作為國(guó)內(nèi)首家廠商在8寸生產(chǎn)線上量產(chǎn)了非穿通型的1200V的IGBT用于民用產(chǎn)品。

2011年9月華虹NEC成功開(kāi)發(fā)出新一代創(chuàng)新型MOSFET代工方案——600-700V 超級(jí)結(jié)MOSFET(SJNFET)工藝，并開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)階段。“SJNFET技術(shù)可使終端產(chǎn)品大大降低能量轉(zhuǎn)換損耗，是實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排的關(guān)鍵半導(dǎo)體制造技術(shù)之一，具有非常廣泛的應(yīng)用市場(chǎng)。”高峰指出，該技術(shù)一直以來(lái)都掌握在國(guó)外大廠手中，每年國(guó)內(nèi)公司都要花費(fèi)大量的資金用于這類產(chǎn)品的采購(gòu)。華虹NEC經(jīng)過(guò)艱苦的技術(shù)攻關(guān)，現(xiàn)已掌握了SJNFET成套量產(chǎn)工藝技術(shù)，“該技術(shù)針對(duì)市電范圍的開(kāi)關(guān)電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，具有開(kāi)關(guān)速度更快、開(kāi)關(guān)損耗更低、芯片面積更小、導(dǎo)通電阻更小等優(yōu)點(diǎn)?！备叻灞硎?，“目前多家客戶在此平臺(tái)上已成功開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)多款產(chǎn)品，很多產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先廠商同類產(chǎn)品技術(shù)水平。”

華虹NEC工藝技術(shù)路線圖。

在BCD工藝制造方面，華虹NEC是中國(guó)大陸首家推出自主開(kāi)發(fā)的0.35μm BCD和CDMOS工藝的代工廠。2010年，華虹NEC率先推出了0.13μm的帶高容量高可靠性的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的CDMOS技術(shù)。“目前這些工藝都已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)，產(chǎn)品廣泛用于電源管理、背光源驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)、音頻功放、電池保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。”高峰介紹，2011年底，華虹NEC的700V的BCD工藝也進(jìn)入量產(chǎn)，連同超級(jí)結(jié)MOSFET和40V BCD工藝，共同為客戶提供全面AC-DC解決方案。

此外，在射頻技術(shù)代工方面，華虹NEC已完成其特有專利技術(shù)的0.18/0.13μm SiGe BiCMOS工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，今年下半年將進(jìn)入量產(chǎn)。與GaAs相比，SiGe技術(shù)在集成度、工藝兼容性以及成本上具有很大優(yōu)勢(shì)。“SiGe BiCMOS和GaAs面向不同的市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域，隨著技術(shù)的發(fā)展，部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)重疊，”高峰表示，“但這兩種技術(shù)仍將長(zhǎng)期共存?！?BR>
對(duì)于2012年的發(fā)展，高峰表示，華虹NEC將繼續(xù)推進(jìn)嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，使其保持全球業(yè)界領(lǐng)先地位；積極深化與戰(zhàn)略合作伙伴合作，進(jìn)一步完善0.13μm 嵌入式存儲(chǔ)器及其衍生工藝平臺(tái)在新興應(yīng)用熱點(diǎn)產(chǎn)品的代工方案，贏取更多熱點(diǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)。同時(shí)，持續(xù)發(fā)力新型功率器件制造技術(shù)的研發(fā)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，爭(zhēng)取更大的代工市場(chǎng)份額，以滿足綠色家電、新能源汽車(chē)、光伏、風(fēng)電等新興應(yīng)用領(lǐng)域需求。