MOSFET
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150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應用，讓消費者體驗到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設備。因而消費者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價格更低的電視機。采用高壓背
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半導體激光管驅動電源設計與實現(xiàn)
為提高半導體激光器光功率輸出穩(wěn)定性，并保證激光器安全、可靠工作，設計了半導體激光器的驅動電源。驅動電源主電路采用同步DC／DC方式，輸出效率高；驅動電路可以產(chǎn)生200 kHz觸發(fā)脈沖，降低了輸出電流的紋波，保證激光器輸出功率穩(wěn)定；驅動電路帶有過壓比較器及過流比較器，保證激光器安全工作。經(jīng)過仿真和實驗表明：該驅動電源在20 A工作時效率達到85％以上，紋波小于5％。
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應用，讓消費者體驗到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設備。因而消費者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價格更低的電視機。采用高壓背
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應用，讓消費者體驗到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設備。因而消費者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價格更低的電視機。采用高壓背
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月產(chǎn)能全滿載 元隆將虧轉盈
中小尺寸晶圓代工廠元隆電子總經(jīng)理陳弘元表示，元隆6吋廠產(chǎn)能已全部滿載，由于今年包括金屬氧化物半導體場效晶體管（MOSFET）等模擬IC需求強勁，下半年已陸續(xù)與客戶洽談調漲報價事宜。 元隆完成減資及私募后，
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高能效同步穩(wěn)壓器（安森美半導體）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出高能效2安培(A)至4 A集成同步穩(wěn)壓器新系列，應用于消費電子，如機頂盒(STB)、數(shù)字視盤(DVD)/硬盤驅動器、液晶顯示器/液晶電視、免提電話、線纜調制解調器和電信/數(shù)據(jù)通信設備。 N
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Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設計者在制造原型前，對器件進行細
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功率半導體行業(yè)的春天
功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設計者在制造原型前，對器件進行細
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功率半導體行業(yè)的春天
功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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意法半導體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢
意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度。 在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小
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意法半導體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢
意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度。 在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評
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為節(jié)能式電源選擇正確的拓撲
世界各地有關降低電子系統(tǒng)能耗的各種倡議，正促使單相交流輸入電源設計人員采用更先進的電源技術。為了獲得更高的功率級，這些倡議要求效率達到87% 及以上。由于標準反激式 (flyback) 和雙開關正激式等傳統(tǒng)電源拓撲都
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恩智浦發(fā)布符合汽車工業(yè)標準的LFPAK封裝功率SO-8MOSFET系列
恩智浦半導體4月23日發(fā)布了符合汽車行業(yè)Q101標準的LFPAK封裝（緊湊型熱增強無耗封裝）功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技術，面積比DPAK封裝減小了46%，熱性能與DPAK封裝近似。 主要特點為：LFPAK封裝利用銅
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英飛凌Q2業(yè)績勁升，攜手飛兆推動MOSFET封裝標準化
英飛凌科技于近日宣布，2009/10財年第二季度公司營收額預計將環(huán)比增長約10%，與此同時，英飛凌還預計在剛結束的這個季度，公司分部利潤率有望達到10%以上。 在本財年第三季度，英飛凌預計公司營收將取得持續(xù)增長，
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上海華虹NEC介紹
上海華虹NEC成立于1997年7月，資本額為9億美元，是大陸第1家8吋晶圓廠，目前擁有2條8吋生產(chǎn)線，月產(chǎn)能8.5萬片，客戶遍及大陸、臺灣、南韓、日本以及美國等。 上海華虹NEC的Power MOSFET和分離件組件(Discrete)制程
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業(yè)界最全無損耗封裝（LFPAK）功率SO-8 MOSFET系列產(chǎn)品隆重登場
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強無損耗的封裝）全系列汽車功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標準的LF
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內(nèi)置28V MOSFET雙向過流保護器MAX14544/MAX14545（Maxim）
Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護器MAX14544/MAX14545，有效避免主機因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結合開關斷開狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設供電端口保護的理想選擇。目標
