月產(chǎn)能全滿載 元隆將虧轉(zhuǎn)盈

中小尺寸晶圓代工廠元隆電子總經(jīng)理陳弘元表示，元隆6吋廠產(chǎn)能已全部滿載，由于今年包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管（MOSFET）等模擬IC需求強(qiáng)勁，下半年已陸續(xù)與客戶洽談?wù){(diào)漲報(bào)價(jià)事宜。 元隆完成減資及私募后，

高能效同步穩(wěn)壓器（安森美半導(dǎo)體）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高能效2安培(A)至4 A集成同步穩(wěn)壓器新系列，應(yīng)用于消費(fèi)電子，如機(jī)頂盒(STB)、數(shù)字視盤(DVD)/硬盤驅(qū)動(dòng)器、液晶顯示器/液晶電視、免提電話、線纜調(diào)制解調(diào)器和電信/數(shù)據(jù)通信設(shè)備。 N

Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對器件進(jìn)行細(xì)

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%.　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，

Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對器件進(jìn)行細(xì)

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%.　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢

意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢

意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小

MOSFET的UIS及雪崩能量解析

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評

為節(jié)能式電源選擇正確的拓?fù)?/a>

恩智浦發(fā)布符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝功率SO-8MOSFET系列

恩智浦半導(dǎo)體4月23日發(fā)布了符合汽車行業(yè)Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝（緊湊型熱增強(qiáng)無耗封裝）功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技術(shù)，面積比DPAK封裝減小了46%，熱性能與DPAK封裝近似。 主要特點(diǎn)為：LFPAK封裝利用銅

英飛凌Q2業(yè)績勁升，攜手飛兆推動(dòng)MOSFET封裝標(biāo)準(zhǔn)化

英飛凌科技于近日宣布，2009/10財(cái)年第二季度公司營收額預(yù)計(jì)將環(huán)比增長約10%，與此同時(shí)，英飛凌還預(yù)計(jì)在剛結(jié)束的這個(gè)季度，公司分部利潤率有望達(dá)到10%以上。 在本財(cái)年第三季度，英飛凌預(yù)計(jì)公司營收將取得持續(xù)增長，

上海華虹NEC介紹

上海華虹NEC成立于1997年7月，資本額為9億美元，是大陸第1家8吋晶圓廠，目前擁有2條8吋生產(chǎn)線，月產(chǎn)能8.5萬片，客戶遍及大陸、臺(tái)灣、南韓、日本以及美國等。 上海華虹NEC的Power MOSFET和分離件組件(Discrete)制程

業(yè)界最全無損耗封裝（LFPAK）功率SO-8 MOSFET系列產(chǎn)品隆重登場

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無損耗的封裝）全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LF

內(nèi)置28V MOSFET雙向過流保護(hù)器MAX14544/MAX14545（Maxim）

Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護(hù)器MAX14544/MAX14545，有效避免主機(jī)因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結(jié)合開關(guān)斷開狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設(shè)供電端口保護(hù)的理想選擇。目標(biāo)

新型25V芯片組IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF （IR）

國際整流器公司（IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR

新型25V芯片組IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF （IR）

國際整流器公司（IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR

堅(jiān)固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵

堅(jiān)固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）

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堅(jiān)固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵