恩智浦半導(dǎo)體4月23日發(fā)布了符合汽車(chē)行業(yè)Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝(緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)耗封裝)功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技術(shù),面積比DPAK封裝減小了46%,熱性能與DPAK封裝近似。 主要特點(diǎn)為:LFPAK封裝利用銅
英飛凌科技于近日宣布,2009/10財(cái)年第二季度公司營(yíng)收額預(yù)計(jì)將環(huán)比增長(zhǎng)約10%,與此同時(shí),英飛凌還預(yù)計(jì)在剛結(jié)束的這個(gè)季度,公司分部利潤(rùn)率有望達(dá)到10%以上。 在本財(cái)年第三季度,英飛凌預(yù)計(jì)公司營(yíng)收將取得持續(xù)增長(zhǎng),
上海華虹NEC成立于1997年7月,資本額為9億美元,是大陸第1家8吋晶圓廠(chǎng),目前擁有2條8吋生產(chǎn)線(xiàn),月產(chǎn)能8.5萬(wàn)片,客戶(hù)遍及大陸、臺(tái)灣、南韓、日本以及美國(guó)等。 上海華虹NEC的Power MOSFET和分離件組件(Discrete)制程
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日成為首個(gè)發(fā)布以L(fǎng)FPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝)全系列汽車(chē)功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn),新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LF
Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護(hù)器MAX14544/MAX14545,有效避免主機(jī)因過(guò)載故障和/或輸出過(guò)壓而損壞。器件本身的集成功能,結(jié)合開(kāi)關(guān)斷開(kāi)狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力,使其成為外設(shè)供電端口保護(hù)的理想選擇。目標(biāo)
國(guó)際整流器公司(IR)推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組,為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR
國(guó)際整流器公司(IR)推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組,為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列,適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列,適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列,適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ,特征,驅(qū)動(dòng)以及運(yùn)用 電路?!? 在運(yùn)用 MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)思慮 M
S Components于今日宣布,通過(guò)其在線(xiàn)目錄RS Online渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品。此次推出的產(chǎn)品中,除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)
在節(jié)能環(huán)保意識(shí)的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動(dòng)下,提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。與反激、正激、雙開(kāi)關(guān)反激、雙開(kāi)關(guān)正激和全橋等硬開(kāi)關(guān)技術(shù)相比,雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對(duì)稱(chēng)半橋(AH
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列,可應(yīng)對(duì)工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對(duì)更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。FDMC7570S是采用3m
S Components于今日宣布,通過(guò)其在線(xiàn)目錄RS Online渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品。此次推出的產(chǎn)品中,除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù),是該公司首批采
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工程師對(duì)在其設(shè)計(jì)中加入節(jié)省空間的高效器件的需求,推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ,這兩款器件使用
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工程師對(duì)在其設(shè)計(jì)中加入節(jié)省空間的高效器件的需求,推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ,這兩款器件使用
BUCK電路拓?fù)銽是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),當(dāng)時(shí),T導(dǎo)通。 D:續(xù)流二極管。 L和C組成LPF。二、工作原理四、假設(shè)及參數(shù)計(jì)算 1.T,D均為理想器件 2.L較大,使得在一個(gè)周期內(nèi)電流連續(xù)且無(wú)內(nèi)阻 3.直流輸出電壓
“熱插拔”是指將板卡從加有電源的主機(jī)(背板、服務(wù)器等)上插入或拔出,主要應(yīng)用在基站、磁盤(pán)冗余陣列(RAID)、遠(yuǎn)程接入服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由路、網(wǎng)絡(luò)交換器以及ISDN等系統(tǒng)。當(dāng)板卡插入主機(jī)時(shí),主機(jī)已處于穩(wěn)態(tài)工作狀態(tài),所