在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關閉MOSFET。由于驅動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性。 UC
電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
衛(wèi)星用DC/DC變換器的高可靠和長壽命,是確保其完成飛行使命的基本條件之一。但人們對DC/DC變換器可靠性的認識通常集中在元器件固有質量或產品組裝工藝缺陷方面,往往忽略了系統(tǒng)設計(包括技術方案和電路拓撲設計、輸入/輸出接口設計、環(huán)境試驗條件適應性設計等)缺陷和電壓、電流和溫度應力對可靠性的影響。
衛(wèi)星用DC/DC變換器的高可靠和長壽命,是確保其完成飛行使命的基本條件之一。但人們對DC/DC變換器可靠性的認識通常集中在元器件固有質量或產品組裝工藝缺陷方面,往往忽略了系統(tǒng)設計(包括技術方案和電路拓撲設計、輸入/輸出接口設計、環(huán)境試驗條件適應性設計等)缺陷和電壓、電流和溫度應力對可靠性的影響。
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個驅動器結合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個驅動器結合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率
臺晶圓代工廠產能供應失序情形,近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓,包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產能動作,讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急
臺晶圓代工廠產能供應失序情形,近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓,包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產能動作,讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急
圖1所示的DVD或機頂盒電源是用TNY280PN(U1)設計的一個反激式轉換器。在這個設計中,10 μF的C4電容選擇了U1的增強限流點,在啟動或負載瞬態(tài)(DVD開倉)時可使電源輸出28 W的峰值功率。圖 1. 25 W連續(xù)、28 W峰值多輸出
在現(xiàn)代機器人設計中,頭部、頸部、四肢的任何活動都需要各種各樣電機的支持,如傳統(tǒng)的旋轉電機、步進電機、直線電機和其它特殊電機,但這些電機的驅動和控制要求各有不同,如何實現(xiàn)各種電機的精確控制解決方案?如何
TPS54620的面積銳減60%,作為一款完整的6A電源解決方案,其面積還不足195mm2。性能特點:SWIFT器件支持6A連續(xù)、8A峰值負載電流以及1.6~17V的功率級輸入電壓;1.6MHz同步轉換器不僅集成兩個高效MOSFET(26mΩ與19mΩ
在現(xiàn)代機器人設計中,頭部、頸部、四肢的任何活動都需要各種各樣電機的支持,如傳統(tǒng)的旋轉電機、步進電機、直線電機和其它特殊電機,但這些電機的驅動和控制要求各有不同,如何實現(xiàn)各種電機的精確控制解決方案?如何
在現(xiàn)代機器人設計中,頭部、頸部、四肢的任何活動都需要各種各樣電機的支持,如傳統(tǒng)的旋轉電機、步進電機、直線電機和其它特殊電機,但這些電機的驅動和控制要求各有不同,如何實現(xiàn)各種電機的精確控制解決方案?如何
圖1所示的隔離反激式電源是圍繞著LinkSwitch-LP產品系列的LNK564DN(U1)而設計。在90-265 VAC的通用輸入電壓范圍內輸出可達5 V/350 mA(1.75 W)。二極管D1和D2對交流輸入電壓半波整流。存儲電容(C1)和L1衰減傳導EMI。電
日前,Vishay Intertechnology宣布,推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK SC-75封裝,占位面積為1.6mm x 1.6mm,具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路?!≡谑褂肕OS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電
昭和電工宣布,成功量產了表面平滑性達到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(EpitaxialWafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實現(xiàn)單晶Si
東京大學研究生院工學系研究專業(yè)附屬綜合研究機構與日本迪思科(Disco)、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓(硅底板)打薄至7μm的技術。如果采用該技術層疊100層16GB的內存芯
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電