[導(dǎo)讀]Maxim 推出MAX8655業(yè)內(nèi)首款最小封裝(8mm x 8mm x 0.8mm (高) TQFN)的內(nèi)置MOSFET降壓型開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。該器件提供高達(dá)25A的輸出電流。
Maxim 推出MAX8655業(yè)內(nèi)首款最小封裝(8mm x 8mm x 0.8mm (高) TQFN)的內(nèi)置MOSFET降壓型開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。該器件提供高達(dá)25A的輸出電流。4.5V至25V寬輸入電壓范圍使器件適用于輸入電壓具有2:1變化范圍的內(nèi)部總線(xiàn)架構(gòu)(IBA)應(yīng)用。MAX8655實(shí)現(xiàn)了電源密度、輸出電流和尺寸的突破,可理想用于對(duì)尺寸、功率以及多功能性要求嚴(yán)格的任何應(yīng)用。
電源密度與電路板空間的難題
如今,在服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信等應(yīng)用中,復(fù)雜的電路板要求必須將更多種的電壓壓縮至更小的空間。增加電路板上的電源數(shù)量會(huì)相應(yīng)增加電源密度,更為復(fù)雜的是,盡管電源管理對(duì)設(shè)計(jì)的完整性至關(guān)重要,但其往往被安排為最后解決的問(wèn)題。所以,設(shè)計(jì)者通常陷于所剩無(wú)幾的電路板空間,以及幾乎沒(méi)有時(shí)間重新設(shè)計(jì)的苦惱之中。
面對(duì)這種困境,設(shè)計(jì)者通常會(huì)轉(zhuǎn)而采用分立的電源管理方案。然而,分立方案也有其自身的問(wèn)題:使用分立元件會(huì)使電路板尺寸變得很大;電路板引線(xiàn)電感也是一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題,會(huì)產(chǎn)生EMI并干擾半導(dǎo)體器件,常常導(dǎo)致在確定最終設(shè)計(jì)前不得不進(jìn)行二次甚至三次設(shè)計(jì)。
解決電源與尺寸的挑戰(zhàn)
在當(dāng)今耗電量大的應(yīng)用中,小尺寸的通用電源管理是至關(guān)重要的。Maxim最新的擁有專(zhuān)利的PowerMind™產(chǎn)品,包括新推出的MAX8655調(diào)節(jié)器不但解決了空間受限問(wèn)題,還提供了更多的功能,并且使用簡(jiǎn)便。
MAX8655雖然為微型TQFN封裝,但其控制性能沒(méi)有受到任何影響。片內(nèi)MOSFET通過(guò)精心的布局,消除了電路板寄生電感。MAX8655片內(nèi)集成MOSFET,不僅減小了尺寸,還極大地降低了EMI的產(chǎn)生,保證了設(shè)計(jì)的一次通過(guò)率。
開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)1.2MHz的峰值電流模式控制簡(jiǎn)化了補(bǔ)償設(shè)計(jì),允許使用各種類(lèi)型的輸出電容;內(nèi)部具有前饋機(jī)制,可以獲得最佳的輸入電源調(diào)節(jié)率。精確的電流檢測(cè)功能同峰值電流模式控制架構(gòu)一起,允許器件采用多相方式并聯(lián),以此達(dá)到更高的輸出電流和更少的輸出濾波器元件。
MAX8655強(qiáng)大的可編程能力,使其具有極高的靈活性和通用性??删幊烫匦园ㄐ甭恃a(bǔ)償、OVP門(mén)限、短路保護(hù)、頻率、以及電流限制(閉鎖或具有自動(dòng)重啟功能的折返電流過(guò)流保護(hù))。同步輸入/輸出和熱保護(hù)等標(biāo)準(zhǔn)特性保證器件在所有情況下都可安全工作。
MAX8655優(yōu)勢(shì)總結(jié)
MAX8655調(diào)節(jié)器集先進(jìn)的封裝技術(shù)、制造工藝、高頻特性、以及其它標(biāo)準(zhǔn)電源管理的所有功能于一體,是業(yè)內(nèi)的一個(gè)重要?jiǎng)?chuàng)新,完全免去了分立方案的需要。
當(dāng)分配給電源管理的空間固定且有限時(shí),MAX8655的微型TQFN封裝可以很容易地滿(mǎn)足要求。由于消除了寄生電感并提供可參考的簡(jiǎn)易布局,任何工程師都能將MAX8655安置到自己的電路板上,有助于提高產(chǎn)品的一次通過(guò)率。該器件可顯著地節(jié)省設(shè)計(jì)時(shí)間,尤其是重要的最終階段設(shè)計(jì)。
MAX8655可通用在服務(wù)器、電信和數(shù)據(jù)通信設(shè)備等高端應(yīng)用中,具有強(qiáng)大的功能。在小封裝和電源可靠性為關(guān)鍵因素的應(yīng)用中,MAX8655尤為適合。此類(lèi)典型應(yīng)用包括尺寸要求嚴(yán)格的筆記本電腦和平板電視,還有一些重點(diǎn)需要寬輸入范圍的工業(yè)應(yīng)用。
Maxim新推出的PowerMind產(chǎn)品,如MAX8655,為電源管理提供了小且簡(jiǎn)單的解決方案,使設(shè)計(jì)者可專(zhuān)注于其他部分的設(shè)計(jì)工作。評(píng)估板將于近期提供,MAX8655芯片起價(jià)為$3.78 (10,000片起,美國(guó)離岸價(jià))。
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搶答系統(tǒng)的基本功能就是搶答雙方,誰(shuí)先按下?lián)尨痖_(kāi)關(guān),誰(shuí)的答題指示燈就亮。主持人根據(jù)答題指示燈即可知道誰(shuí)先按下了開(kāi)關(guān)。
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搶答系統(tǒng)
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開(kāi)關(guān)
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線(xiàn)性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
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MOSFET
數(shù)字開(kāi)關(guān)
為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
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柵極驅(qū)動(dòng)器
MOSFET
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真,帶來(lái)更多的工程洞見(jiàn)。然而,與制造商精細(xì)的器件模型相比,這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...
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英飛凌
MOSFET
該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
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意法半導(dǎo)體
穩(wěn)壓器
MOSFET
續(xù)流二極管
2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制,使其成為...
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MOSFET
柵極驅(qū)動(dòng)
在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間太長(zhǎng),尤其是在高功率時(shí)。這樣,它們不能保證良好的飽和度,因此開(kāi)關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù),使用稱(chēng)為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開(kāi)關(guān)器件,這個(gè)問(wèn)題...
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電力電子
MOSFET
IGBT
作者:趙曉凱,IBM大中華區(qū)科技事業(yè)部可持續(xù)發(fā)展軟件業(yè)務(wù)總經(jīng)理 北京2022年8月24日 /美通社/ -- 近年來(lái),在“工業(yè)4.0”和“智能制造”的大背景下,越來(lái)越多的企業(yè)...
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IBM
MAXIM
工業(yè)4.0
BSP
碳化硅 (SiC) 因其更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱(chēng)為汽車(chē)行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外,在過(guò)去五年中,汽車(chē)行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場(chǎng)。事實(shí)證明,通過(guò) SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 A...
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碳化硅 (SiC)
MOSFET
工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見(jiàn)的電動(dòng)機(jī)類(lèi)型,它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。它可以吸收一個(gè)行業(yè)高達(dá) 60% 的全部電力需求,因此對(duì)于驅(qū)動(dòng)器提供高...
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Si
MOSFET
工業(yè)電源
本文追溯了電力電子的歷史,可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的電子負(fù)載時(shí)。讓我們通過(guò)描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界,了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的,因?yàn)樾碌?SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開(kāi)...
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MOSFET
GaN
SiC
與低功率同類(lèi)產(chǎn)品不同,MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會(huì)產(chǎn)生大量熱量。因此,有效的熱管理對(duì)于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要,包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)...
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MOSFET
IGBT
冷卻系統(tǒng)
今天的汽車(chē)配備了種類(lèi)繁多的電子配件和電子安全輔助裝置,使車(chē)輛更具吸引力、更安全和更易于使用。此外,傳統(tǒng)的液壓系統(tǒng)(如動(dòng)力轉(zhuǎn)向和自動(dòng)變速箱)正在被電動(dòng)等效系統(tǒng)取代,以幫助減輕整體重量并提高燃油經(jīng)濟(jì)性。
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預(yù)驅(qū)動(dòng)器
MOSFET
電力設(shè)計(jì)是由市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)的,以提高效率和生產(chǎn)力,同時(shí)符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶(hù)需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng),這得益于功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長(zhǎng)期以來(lái)一直在功率半導(dǎo)體中占據(jù)主...
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碳化硅
MOSFET
2022年3月24日,世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)與成都方舟微電子有限公司(下稱(chēng)“方舟微“)簽署合作協(xié)議,方舟微授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)代理旗下耗盡型MOSFET、增強(qiáng)型MOSFET和保護(hù)器件等全線(xiàn)產(chǎn)品。
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世強(qiáng)
MOSFET
保護(hù)器件
在幾家造車(chē)新勢(shì)力高調(diào)推出搭載碳化硅芯片模組的主驅(qū)逆變器大功率平臺(tái)電動(dòng)汽車(chē)后,中國(guó)功率半導(dǎo)體上車(chē)進(jìn)程開(kāi)始進(jìn)入白熱化,電車(chē)廠(chǎng)紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。
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世強(qiáng)
碳化硅
MOSFET
【2022 年 05 月 26 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出創(chuàng)新高電流、高熱效率且符合電動(dòng)車(chē) (EV) 產(chǎn)品應(yīng)用需求的功率封裝 PowerDI?8080-...
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Diodes
MOSFET
汽車(chē)應(yīng)用
在線(xiàn)性模式工作時(shí),MOSFET必須在惡劣工作條件下工作,承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS),然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿(mǎn)足一些技術(shù)要求才能提高耐用性,還必須符合熱管理限制,才能避免熱失控。
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意法半導(dǎo)體
MOSFET
漏極電流
2022 年 5 月 18日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)。
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意法半導(dǎo)體
MOSFET
數(shù)據(jù)中心