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近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術(shù)
目前，限制SSD普及的門(mén)檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來(lái)更具性價(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合作，使兩家公司在技術(shù)和創(chuàng)新上走在了其他公
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東芝停電事故將導(dǎo)致NAND閃存芯片價(jià)格上漲15%
亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì)上漲15%。Dramexchange分析師希恩-楊（SeanYang）表示，32G
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硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下
“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議
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三星主題演講:通過(guò)導(dǎo)入新技術(shù)，硅CMOS可延長(zhǎng)至10nm以下工藝
“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器（ReRAM）以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。 半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議“2
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Micron 推出創(chuàng)新閃存裝置，延長(zhǎng) NAND閃存生命周期
2010年12月6日 美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來(lái)延長(zhǎng)數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過(guò)在同一個(gè) NAND 封裝內(nèi)整合錯(cuò)誤管理技術(shù)， 新的 Micron? ClearNAND? 裝置解決了 NAND
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Micron推出創(chuàng)新閃存延長(zhǎng)NAND閃存生命周期
美光科技近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來(lái)延長(zhǎng)數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過(guò)在同一個(gè) NAND 封裝內(nèi)整合錯(cuò)誤管理技術(shù)， 新的 Micron? ClearNAND? 裝置解決了NAND在傳統(tǒng)上面臨的由工藝微縮方面所帶來(lái)的問(wèn)題。
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南北韓危機(jī)致MLC NAND閃存芯片漲價(jià)
據(jù)inSpectrum報(bào)道，由于擔(dān)心南北韓之間最近發(fā)生的沖突事件會(huì)對(duì)產(chǎn)品的運(yùn)輸狀況造成不良影響，不少NAND閃存代理商，商家等紛紛增加了NAND閃存芯片的訂貨量，結(jié)果導(dǎo)致NAND閃存芯片價(jià)格持續(xù)走高。本周16Gb密度MLC NAND閃
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明年NAND閃存價(jià)格將下跌35%
集邦科技發(fā)布近日?qǐng)?bào)告稱(chēng)，明年全球閃存芯片銷(xiāo)售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價(jià)格將同比下降35%。集邦科技稱(chēng)，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購(gòu)將緩解明年一季度閃存市場(chǎng)受到的季節(jié)性銷(xiāo)售因
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明年NAND閃存價(jià)格將下跌35%
集邦科技發(fā)布近日?qǐng)?bào)告稱(chēng)，明年全球閃存芯片銷(xiāo)售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價(jià)格將同比下降35%。集邦科技稱(chēng)，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購(gòu)將緩解明年一季度閃存市場(chǎng)受到的季節(jié)性銷(xiāo)售因
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2010年NAND閃存營(yíng)收將創(chuàng)新高 但面臨供應(yīng)過(guò)
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%，部分利益于智能手機(jī)和蘋(píng)果iPad等消費(fèi)電
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2010年NAND閃存營(yíng)收將創(chuàng)新高但面臨供應(yīng)過(guò)剩
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%，部分利益于智能手機(jī)和蘋(píng)果iPad等消費(fèi)電
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全球平板電腦持續(xù)火爆 NAND營(yíng)收創(chuàng)歷史新高
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%，部分利益于智能手機(jī)和蘋(píng)果iPad等消費(fèi)電
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2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%，部分利益于智能手機(jī)和蘋(píng)果iPad等消費(fèi)電子
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2010年NAND閃存營(yíng)收創(chuàng)歷史最高紀(jì)錄
----營(yíng)業(yè)收入將超過(guò)180億美元，但面臨供應(yīng)過(guò)剩隱憂。
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爾必達(dá)和夏普共同開(kāi)發(fā)ReRAM填補(bǔ)DRAM與NAND閃存的性能差
新一代存儲(chǔ)器的大型共同開(kāi)發(fā)項(xiàng)目即將在日本啟動(dòng)。爾必達(dá)存儲(chǔ)器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開(kāi)發(fā)Gbit級(jí)可變電阻式存儲(chǔ)器（ReRAM）。此次開(kāi)發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達(dá)存儲(chǔ)器擁
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三星宣布導(dǎo)入20nm級(jí) NAND閃存芯片
三星電子稱(chēng)正在采用20nm級(jí)的工藝生產(chǎn)64G 每單元三位的NAND閃存。該存儲(chǔ)芯片適合用于USB閃存和數(shù)碼存儲(chǔ)卡。三星稱(chēng)該芯片技術(shù)已于今年4月導(dǎo)入，但有意見(jiàn)質(zhì)疑稱(chēng)三星此舉是為了宣布27nm工藝已應(yīng)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手宣布的26nm、25
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IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào) 9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)
目前模擬、存儲(chǔ)器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢(shì)。 VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開(kāi)始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說(shuō)工業(yè)開(kāi)始減緩，停頓或者是可怕的
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IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào)9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)
目前模擬、存儲(chǔ)器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢(shì)。VLSI的總裁DanHutcheson認(rèn)為在2010年初開(kāi)始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說(shuō)工業(yè)開(kāi)始減緩，停頓或者是可怕的再次下
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IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào) 9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)
目前模擬、存儲(chǔ)器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢(shì)。VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開(kāi)始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說(shuō)工業(yè)開(kāi)始減緩，停頓或者是可怕的再次下
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德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買(mǎi)入評(píng)級(jí)2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)16%
9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報(bào)告》出版，涉及項(xiàng)目包括有：庫(kù)存補(bǔ)充、企業(yè)升級(jí)周期、智能電話作為主要趨勢(shì)、移動(dòng)性長(zhǎng)期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：AMD公司（AMD）、ARM集團(tuán)（ARMH）、AT&；T公司（T
