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韓國政府稱未發(fā)現(xiàn)NAND閃存行業(yè)操縱價格證據(jù)
據(jù)國外媒體報道，韓國公平交易委員會周三表示，未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)的NAND閃存芯片制造商涉嫌價格操縱的證據(jù)，因此針對NAND行業(yè)可能違反反壟斷法將近3年的調(diào)查宣告結(jié)束?！ ≡撐瘑T會發(fā)布公告稱，所有涉及DRAM芯片、
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傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題
據(jù)業(yè)者透露，韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露，這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯
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NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)
根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均
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美光第一財季扭虧盈利2.04億美元
位于美國芯片制造商美光科技(MicronTechnology)周二公布，受惠于存儲處理器旺銷，公司第一財季扭虧為盈。 財報顯示，美光第一財季實現(xiàn)凈利潤2。04億美元，合每股收益23美分。去年同期，美光虧損7。18億美元，合每股
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存儲器產(chǎn)業(yè)狂想曲
任何技術(shù)的成功都應(yīng)該在距它首次應(yīng)用多年后才能衡量，而不是在剛走出開發(fā)實驗室之時。許多技術(shù)先進(jìn)的產(chǎn)品失敗了，也有許多較簡單的產(chǎn)品在許多年內(nèi)取得了巨大收入。對任何新興技術(shù)未來的預(yù)測都要求在新產(chǎn)品提供的較少
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中國臺灣芯片公司改變策略應(yīng)對市場下滑危機(jī)
臺灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)?！ ∮捎谛酒袠I(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司
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三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可
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NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，
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FormFactor將MEMS探針卡應(yīng)用于多值NAND閃存
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 美國FormFactor已將該公司300mm晶圓檢查用MEMS探針卡應(yīng)用于NAND型閃存。由于存在裝置成本和交貨期等問題，迄今一直
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英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限
據(jù)國外媒體報道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！ ∮⑻貭栄芯繂T和內(nèi)存
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東芝將投產(chǎn)配備32nm工藝NAND閃存的SSD
東芝發(fā)布了配備基于32nm級半導(dǎo)體工藝多值（MLC）NAND閃存的SSD（固態(tài)硬盤）。存儲容量分別為30GB和62GB。與原來的2.5英寸 SSD相比，除了體積縮小至1/7左右、重量減少至1/8左右之外，耗電量也削減了約1/2。預(yù)定2009年
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NAND閃存價格恐上揚(yáng)，緣于廠商減產(chǎn)效應(yīng)
市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights最近發(fā)布的McClean Report年中更新數(shù)字指出，閃存產(chǎn)業(yè)將在接下來幾年由原本的買方市場轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場。 IC Insights表示，閃存的單位出貨量與位元需求都將有所成長，不過閃存制造商卻在這幾
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受廠商減產(chǎn)效應(yīng)影響，NAND閃存價格恐上揚(yáng)
市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights最近發(fā)布的McClean Report年中更新數(shù)字指出，閃存產(chǎn)業(yè)將在接下來幾年由原本的買方市場轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場。 IC Insights表示，閃存的單位出貨量與位元需求都將有所成長，不過閃存制造商卻在這幾
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強(qiáng)勁的需求和疲弱的資本支出使閃存供應(yīng)商受益
據(jù)市場調(diào)研公司IC Insights最近發(fā)表的McClean報告年中更新，閃存市場的供需平衡狀態(tài)正在發(fā)生明顯變化，將在未來幾年極大地有利于NAND閃存供應(yīng)商。單位出貨量和比特需求量繼續(xù)增加。但與此同時，閃存方面的資本支出嚴(yán)
