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基于NAND FLASH的大容量視頻存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
摘要：針對(duì)MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù)，給出了采用NAND FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，以FPGA為存儲(chǔ)陣列的控制器，并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元，來(lái)完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，同時(shí)對(duì)壞塊的檢測(cè)處理等關(guān)鍵問(wèn)題提出了
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5月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)下跌
根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受到季底效應(yīng)(Quarter-end effect)影響，5月上旬NAND Flash合約價(jià)下跌8-14%水平。某NAND Flash賣方傾向在進(jìn)入公司季報(bào)的最后一個(gè)月時(shí)，透過(guò)較具吸引力的價(jià)格來(lái)刺激銷
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第一季NAND Flash廠營(yíng)收排名 三星第一東芝第二
2012年第一季NAND Flash市場(chǎng)在全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇緩慢及中國(guó)農(nóng)歷年長(zhǎng)假銷售不如業(yè)者預(yù)期情況下，除了少數(shù)平板計(jì)算機(jī)及智能型手機(jī)客戶的OEM需求較穩(wěn)定外，多數(shù)的系統(tǒng)產(chǎn)品客戶及記憶卡與隨身碟通路市場(chǎng)客戶需求，受淡季效應(yīng)及
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TDK推出工業(yè)用內(nèi)嵌mSATA型SMG3B系列
21ic訊 TDK株式會(huì)社開(kāi)發(fā)出支持串行ATA 3Gbps的mSATA型小型SSD模塊 SMG3B系列，并從7月份開(kāi)始銷售。SMG3B系列是一款使用mSATA接口，在約30mm×50mm的面積上實(shí)現(xiàn)最大64GByte容量，有效速度達(dá)到170MByte/s的高速mS
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基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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2012年Q1 NAND Flash廠營(yíng)收排名，三星維持第一東芝緊追在后
2012年Q1 NAND Flash廠營(yíng)收排名，三星維持第一東芝緊追在后
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東芝重返DRAM產(chǎn)業(yè)無(wú)可能
4月28日消息，在爾必達(dá)第2輪競(jìng)標(biāo)案登場(chǎng)前夕，唯一具有日系色彩的東芝傳出棄權(quán)，讓整個(gè)爾必達(dá)競(jìng)標(biāo)案變成美、韓、大陸3方較勁的戰(zhàn)場(chǎng)，傳出東芝棄權(quán)主因是日本政府不愿意注資，東芝無(wú)力扛起DRAM錢坑，加上與爾必達(dá)談判只
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東芝重返DRAM產(chǎn)業(yè)無(wú)可能
4月28日消息，在爾必達(dá)第2輪競(jìng)標(biāo)案登場(chǎng)前夕，唯一具有日系色彩的東芝傳出棄權(quán)，讓整個(gè)爾必達(dá)競(jìng)標(biāo)案變成美、韓、大陸3方較勁的戰(zhàn)場(chǎng)，傳出東芝棄權(quán)主因是日本政府不愿意注資，東芝無(wú)力扛起DRAM錢坑，加上與爾必達(dá)談判只
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NAND Flash的應(yīng)用推動(dòng)18寸晶圓的誕生
因?yàn)楹馁M(fèi)成本高，所以過(guò)去2年業(yè)界都不看好18寸晶圓，設(shè)備商也不愿意在開(kāi)發(fā)相關(guān)機(jī)臺(tái)上投資，而Global 450 Consortium聯(lián)盟的形成，加上SSD需求崛起，NAND Flash將會(huì)有大消耗，而臺(tái)積電、英特爾、三星態(tài)度也越來(lái)越明朗
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存儲(chǔ)技術(shù)漸成電子設(shè)計(jì)變革主力，本土廠商抱團(tuán)融合創(chuàng)新
如今，不管是從成本考量還是從設(shè)計(jì)重要性考慮，存儲(chǔ)已經(jīng)成為電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一，2012年，隨著智能手機(jī)、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā)，有一種半導(dǎo)體器件會(huì)受到產(chǎn)業(yè)的萬(wàn)眾矚目——這就是NAND Flash，Gar
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蘋(píng)果發(fā)力，今年NAND營(yíng)收達(dá)229億美元
IHS iSuppli日前發(fā)布的最新研究顯示，2012年全球NAND FLASH市場(chǎng)將增長(zhǎng)8%。這主要得益于包括超級(jí)本（配備了固態(tài)硬盤(pán)SSD）在內(nèi)的終端市場(chǎng)的火爆。2012年全球NAND FLASH營(yíng)收預(yù)計(jì)將從2011年的212億美元增長(zhǎng)至229億美元。
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庫(kù)存跌價(jià)預(yù)期，4月上旬NAND Flash合約價(jià)再降
根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下DRAMeXchange的調(diào)查，進(jìn)入傳統(tǒng)銷售淡季后，零售通路與OEM客戶的需求力道持續(xù)疲軟，使得4月上旬NAND Flash合約價(jià)下跌4-8%。在未來(lái)終端需求能見(jiàn)度不高的情況下，NAND Flash買方為了
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基于DSP的語(yǔ)音編解碼算法G.723.1優(yōu)化
Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)立，
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基于DSP的語(yǔ)音編解碼算法G.723.1優(yōu)化
Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)立，
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記憶體封測(cè)業(yè)務(wù)增力成/華東Q2估較Q1成長(zhǎng)
封測(cè)廠力成 (6239)、華東 (8110)今年第一季雖受爾必達(dá)聲請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)的利空襲擊，惟與爾必達(dá)的業(yè)務(wù)往來(lái)實(shí)際上已逐步回歸正常，今年第二季營(yíng)運(yùn)估將較第一季雙雙增溫，且力成本季開(kāi)始合并計(jì)入超豐 (2441) 營(yíng)收，成長(zhǎng)動(dòng)能
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Spansion與SK海力士就NAND達(dá)成合作
近日Spansion公司與SK海力士公司聯(lián)合宣布達(dá)成合作，雙方就NAND產(chǎn)品的研發(fā)推廣等方面進(jìn)行深入探討合作。并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品。基于雙方合作開(kāi)發(fā)的首款Spansion SLC NAND產(chǎn)品
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Spansion與SK Hynix結(jié)成策略聯(lián)盟
Spansion 和 SK Hynix 共同宣布已組成策略聯(lián)盟，為嵌入式市場(chǎng)提供4x、3x、和2x制程節(jié)點(diǎn)的 Spansion SLC NAND 產(chǎn)品。首款根據(jù)此結(jié)盟推出的 Spansion SLC NAND 產(chǎn)品將于 2012年第二季初正式上市。此外，兩家公司亦達(dá)成
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嵌入式系統(tǒng)中Nand Flash寫(xiě)平衡的研究
隨著嵌入式技術(shù)在電子信息等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備容量和性能的要求也日益提高。Nand Flash在這一領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，由于Nand Flash在寫(xiě)操作之前需要擦除整塊且使用壽命有限，因此，如何更有效的管理好
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固態(tài)存儲(chǔ)新時(shí)代，Nand Flash當(dāng)家做主站起來(lái)
近年來(lái)，隨著智能手機(jī)，平板電腦等移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的火爆，其對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)元件Nand Flash也出現(xiàn)井噴之勢(shì)。2012年，在Intel最新處理器平臺(tái)Ivy Bridge的帶動(dòng)下，Ultrabook（超極本）和搭載USB 3.0的PC也將大幅消耗Nand Flas
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存儲(chǔ)技術(shù)革命爆發(fā) 本土制造商受益
2012年，隨著后PC時(shí)代來(lái)臨、平板電腦和智能手機(jī)的井噴式爆發(fā)，存儲(chǔ)介質(zhì)泰斗DRAM將落幕讓位給新生代存儲(chǔ)NAND Flash，其應(yīng)用亮點(diǎn)主要體現(xiàn)在eMMC、SSD和USB3.0等新的技術(shù)層面。對(duì)此，本土存儲(chǔ)制造商的機(jī)遇在哪里？如何迎
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