力晶在2012年起將會大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量,以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展,并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm4Gb生產(chǎn),而空出的產(chǎn)能將會以NANDFLASH填補(bǔ),后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來,力晶
力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時(shí),也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏,董事長黃崇仁表示,不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了,力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷,同時(shí)也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)
IC封測三雄包括日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)同步公布10月合并營收,其中日月光IC封測與材料收入與上月相較之下,增加幅度達(dá)6.3%,至于矽品、力成幾近與上月持平,變化不大。 雖然日月光對于第四季IDM廠的訂
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查,因?yàn)殡S身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色,而高容量產(chǎn)品也因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)與平板計(jì)算機(jī)銷售不如預(yù)期而下滑,終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補(bǔ)庫存力道疲弱,
存儲器封測大廠力成科技(6239)接單再傳捷報(bào),拿下美光(Micron)及新帝(SanDisk)NAND快閃存儲器封測大單!,加上原大客戶東芝加碼釋單,力成第4季營收可望優(yōu)于第3季 由于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、Ultrabook等
近來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)回應(yīng)臺積電(2330)董事長張忠謀日前發(fā)表2012年看不到春燕的看法,日月光(2311)董事長張虔生強(qiáng)調(diào),要自己找燕子;矽品(2325)董事長林文伯則說,春燕本來就不會在冬天來。力成(6239)董事長蔡篤恭表示
存儲器產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)兩樣情,不同于DRAM景氣遲遲無法觸底,NAND型快閃存儲器受到智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)需求帶動(dòng),加以Ultrabook激勵(lì)固態(tài)硬盤(SSD)的滲透率,集邦科技推估,2012年NANDFlash產(chǎn)值將直達(dá)260億美元,較今年
這是Spansion公司戰(zhàn)略產(chǎn)品營銷副總裁 RobertFrance為我們描述的場景:在高速行駛的汽車?yán)铮瑐鹘y(tǒng)的圖像導(dǎo)航界面被換成了立體3維畫面,實(shí)時(shí)繪制車窗外詳細(xì)路況,更直觀也更精準(zhǔn)的讓駕駛員觀察路面情況以及周邊建筑情況
李洵穎 力成DRAM客戶減產(chǎn)的效應(yīng)第4季仍持續(xù)發(fā)酵,不過NAND Flash的需求強(qiáng)勁,多少可彌補(bǔ)DRAM訂單下滑的部分。該公司希望力守第4季營運(yùn)與第3季持平,但法人預(yù)期該公司第4季營運(yùn)表現(xiàn)可能低于第3季水準(zhǔn)。 力成9月自
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查,雖然目前 NAND Flash 相關(guān)業(yè)者對歐美年終假期旺季銷售預(yù)期多偏向保守,但基于部分系統(tǒng)廠商計(jì)劃于10~11月份推出智慧型手機(jī)及 Ultrabook 新機(jī),故自9月初開
蘋果陸續(xù)推出可攜式多媒體播放裝置iPod、智慧型手機(jī)iPhone,及平板裝置iPad等系列產(chǎn)品后,確實(shí)帶動(dòng)一波可攜式電子產(chǎn)品銷售熱潮,亦讓蘋果全年?duì)I收從2006年193億美元逐年成長至2010年652.2億美元,營運(yùn)表現(xiàn)完全無視于
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起,已開始準(zhǔn)備4Q11新機(jī)型上市所需的庫存回補(bǔ)所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價(jià)大致維持平盤,雖然記憶卡及UFD通路市場
全球最大內(nèi)存芯片廠商三星電子日前宣布,最新1條閃存芯片(flashmemorychip)產(chǎn)線開始量產(chǎn),將提升平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)所需芯片產(chǎn)能。此外,采用20納米制程技術(shù)的先進(jìn)DRAM芯片產(chǎn)線也已啟動(dòng)生產(chǎn)。三星斥資12兆韓元
基于ARM和Linux的嵌入式平臺的構(gòu)建
基于ARM和Linux的嵌入式平臺的構(gòu)建
基于ARM和Linux的嵌入式平臺的構(gòu)建
受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾,2011 部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期,及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NAND Flash芯片市場買氣依然疲弱,
在日前的一場閃存高峰會中,SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出,下一代光刻技術(shù)的延遲,將導(dǎo)致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當(dāng)樂觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲,閃存的成長可
計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌,NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅,2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問世,可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升
歷經(jīng)過去2個(gè)月的不斷地交涉協(xié)商后,7月底時(shí)多數(shù)的NAND Flash買賣雙方業(yè)者,終于就多數(shù)的 NAND Flash芯片合約價(jià)格大致達(dá)成了共識。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場及系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的傳統(tǒng)淡季,再加上2Q季底