Gartner：半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%

Gartner指出，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長(zhǎng)10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過于求，將導(dǎo)致2012年半導(dǎo)體資本設(shè)備支

海力士轉(zhuǎn)換NAND Flash制程 主打26納米產(chǎn)品

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Fla

海力士轉(zhuǎn)換NAND Flash制程　主打26納米產(chǎn)品

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NANDFlash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NANDFlash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)ANDFlash比

NAND Flash價(jià)格滑落　創(chuàng)27個(gè)月來(lái)新低

據(jù)韓國(guó)媒體指出，NAND Flash價(jià)格連續(xù)大幅滑落，寫下27個(gè)月來(lái)新低。最具代表性的NAND Flash產(chǎn)品16Gb 2Gx8 MLC在5月下半的合約價(jià)為3.12美元，由于平板計(jì)算機(jī)需求未達(dá)預(yù)期，造成產(chǎn)品囤積，且大陸強(qiáng)化取締非法手機(jī)產(chǎn)品，

NAND Flash價(jià)格滑落　創(chuàng)27個(gè)月來(lái)新低

據(jù)韓國(guó)媒體指出，NANDFlash價(jià)格連續(xù)大幅滑落，寫下27個(gè)月來(lái)新低。最具代表性的NANDFlash產(chǎn)品16Gb2Gx8MLC在5月下半的合約價(jià)為3.12美元，由于平板計(jì)算機(jī)需求未達(dá)預(yù)期，造成產(chǎn)品囤積，且大陸強(qiáng)化取締非法手機(jī)產(chǎn)品，低容

美光NAND封測(cè)釋單 力成最樂

美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光科技（Micron）25納米NAND快閃存儲(chǔ)器上半年開出大量，為了提升后段封測(cè)產(chǎn)能的運(yùn)用彈性，美光首度將NAND芯片封測(cè)委外釋單，包括力成（6239）、矽品（2325）、南茂等3家封測(cè)廠均獲認(rèn)證通過。 其中

蘋果等大客戶需求疲軟致NAND價(jià)格大跌約20%

（蕭諤）北京時(shí)間6月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于蘋果等大客戶需求不旺，5月NAND閃存--出現(xiàn)在如iPhone和iPad等設(shè)備中的固態(tài)內(nèi)存--合約價(jià)據(jù)說(shuō)“迅速”下跌了。 臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》稱，今年5月芯片用NAND的價(jià)格下

SanDisk推出iNAND™ Extreme®嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器系列

21ic訊 SanDisk日前宣布推出全新iNAND™ Extreme®嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器（Embedded Flash Drive; EFD）系列；這是針對(duì)運(yùn)行在高級(jí)操作系統(tǒng)下以及數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的高端平板電腦所推出的首款系列產(chǎn)品，每秒連續(xù)寫入

日本再震 面板擴(kuò)大釋單臺(tái)廠

日本二度發(fā)生強(qiáng)震，中小尺寸面板與存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈都將繼續(xù)有短期轉(zhuǎn)單效應(yīng)，為奇美電、群聯(lián)、旺宏、力成等業(yè)者淡季營(yíng)運(yùn)添柴火。 日立顯示器公司宣布因工廠位于限電區(qū)，工廠生產(chǎn)受到影響，將把更多智能型手機(jī)使用的小

NAND Flash需求急凍　模組廠瀕臨警戒線

全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營(yíng)收

基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，提高了整

DRAM產(chǎn)業(yè)為徹底復(fù)蘇爭(zhēng)取時(shí)間

茂德在2010年已將新竹12?晶圓廠賣給旺宏，是賣廠止血的第1步，當(dāng)時(shí)出售價(jià)格超過新臺(tái)幣80億元，業(yè)界認(rèn)為此價(jià)格對(duì)茂德算有利；之后DRAM價(jià)格進(jìn)入二度崩盤，業(yè)界也點(diǎn)名重慶渝德廠應(yīng)該是下一個(gè)處分目標(biāo)，因此市場(chǎng)對(duì)于茂德

DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠爭(zhēng)取時(shí)間　治標(biāo)難治本

據(jù)DIGITIMES Research，中國(guó)大陸早在1988年就有由恩智浦(NXP)與上海化學(xué)工業(yè)區(qū)投資實(shí)業(yè)合資成立第1家IC制造廠商上海先進(jìn)半導(dǎo)體(ASMC)，其后尚有首鋼日電(SGNEC)、無(wú)錫華潤(rùn)上華(CSMC)、華虹NEC (HH NEC)等晶圓代工廠

NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

0 引言　　計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來(lái)要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來(lái)產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管

三星電子在全球率先量產(chǎn)“超高速NAND ”

日前，記者從三星電子得知，從本月起三星電子將在全球率先量產(chǎn)采用“Toggle DDR 2.0”標(biāo)準(zhǔn)的20納米級(jí)(1納米: 十億分之一米)超高速M(fèi)LC NAND Flash，今后NAND Flash全線產(chǎn)品將采用“Toggle DDR 2.0&rd

臺(tái)系芯片封測(cè)公司4月營(yíng)收普遍走跌

封測(cè)廠4月營(yíng)收除了力成逆勢(shì)走揚(yáng)外，普遍較3月衰退達(dá)個(gè)位數(shù)幅度，隨著電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈疑慮逐漸消除，封測(cè)廠對(duì)于第2季營(yíng)運(yùn)展望樂觀以待。日月光預(yù)計(jì)，在代工價(jià)格不變的情況下，出貨量可望增加7~9%，硅品估計(jì)營(yíng)收季增率有

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換 下半年20納米當(dāng)?shù)?/a>

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換　下半年20納米當(dāng)?shù)?/a>

日本再震 中小尺寸面板擴(kuò)大釋單臺(tái)灣工廠

日本二度發(fā)生強(qiáng)震，中小尺寸面板與存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈都將繼續(xù)有短期轉(zhuǎn)單效應(yīng)，為奇美電、群聯(lián)、旺宏、力成等業(yè)者淡季營(yíng)運(yùn)添柴火。日立顯示器公司宣布因工廠位于限電區(qū)，工廠生產(chǎn)受到影響，將把更多智能型手機(jī)使用的小尺寸

三星與海力士紛紛提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星和海力士2011年NAND Flash位元成長(zhǎng)率(Bi