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2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡
2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成
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NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級(jí)和頁級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義，同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
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全球平板電腦持續(xù)火爆 NAND營收創(chuàng)歷史新高
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%，部分利益于智能手機(jī)和蘋果iPad等消費(fèi)電
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東芝第二財(cái)季利潤8.8億美元同比增長一倍
日本東芝公司今天發(fā)布第二財(cái)季財(cái)報(bào)。在7至9月這個(gè)季度，東芝利潤同比增長超過一倍，但是由于日元強(qiáng)勢可能造成影響，并且全球經(jīng)濟(jì)前景并不明朗，該公司維持全年運(yùn)營利潤預(yù)測不變。由于蘋果iPhone等智能手機(jī)以及iPad等
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)
NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)
NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)
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東芝第二財(cái)季利潤8.8億美元 同比增長一倍
日本東芝公司今天發(fā)布第二財(cái)季財(cái)報(bào)。在7至9月這個(gè)季度，東芝利潤同比增長超過一倍，但是由于日元強(qiáng)勢可能造成影響，并且全球經(jīng)濟(jì)前景并不明朗，該公司維持全年運(yùn)營利潤預(yù)測不變。由于蘋果iPhone等智能手機(jī)以及iPad等
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三星半導(dǎo)體轉(zhuǎn)頭生產(chǎn)NAND Flash
三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于201
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美光和英特爾利用25納米硅工藝技術(shù)推出3-bit-per-cell NAND 閃存
----雙方稱該業(yè)界容量最大、尺寸最小的 NAND 設(shè)備，為眾多消費(fèi)存儲(chǔ)應(yīng)用帶來成本優(yōu)勢。美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特爾公司 (IntelCorporation)近日聯(lián)合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc)
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DRAM上游廠慘淡 模塊廠難置身事外
隨著DRAM和NAND Flash市場價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入
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三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)生產(chǎn)NAND Flash
三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于201
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2011年全球固態(tài)硬盤年增長將超過150%
DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報(bào)告指出，固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對(duì)于 NAND Flash 的使用量來說是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對(duì)于固態(tài)硬盤
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關(guān)于電子產(chǎn)業(yè)前景的5個(gè)好/壞預(yù)兆
時(shí)間已經(jīng)進(jìn)入第四季，但 2010年的最后這幾個(gè)月與 2011年的前景卻一片陰霾，以下是電子產(chǎn)業(yè)界目前顯現(xiàn)的一些好預(yù)兆與壞預(yù)兆。好預(yù)兆 1. Semiconductor Intelligence分析師Bill Jewell表示，2010年會(huì)是半導(dǎo)體市場表
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Spansion走出破產(chǎn)保護(hù)陰影 執(zhí)著鎖定嵌入式市場
高調(diào)宣布走出破產(chǎn)保護(hù)陰影的Spansion公司日前公布了其2010財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)，公司非GAAP調(diào)整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元；GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財(cái)季相比，仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定
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力成2010年第3季財(cái)報(bào)
內(nèi)存封測廠力成科技26日召開法人說明會(huì)，公布第3季營運(yùn)結(jié)果，表現(xiàn)依舊亮麗，董事長蔡篤恭笑稱「要留給大家一點(diǎn)驚喜」。根據(jù)力成財(cái)報(bào)顯示，第3季合并營收及獲利同創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄，單季營收為新臺(tái)幣98.37億元，季增5.9
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明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計(jì)劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競爭
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海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
韓國半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲(chǔ)器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長權(quán)五哲表示，自
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分析師預(yù)言英特爾美光將在NAND市場分道揚(yáng)鑣
英特爾(Intel)與美光(Micron)將在 NAND 閃存業(yè)務(wù)上分道揚(yáng)鑣嗎？一位市場分析師斷言，美光將撇下英特爾自己走自己的NAND之路。但英特爾拒絕對(duì)此發(fā)表評(píng)論，表示該分析師的說法純屬臆測，缺乏實(shí)際左證。英特爾與美光的合
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異業(yè)結(jié)盟潮起 次世代內(nèi)存再掀熱戰(zhàn)
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未
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NAND Flash價(jià)格瀕臨成本線
全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價(jià)續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價(jià)下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價(jià)格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線，若價(jià)格再跌，恐會(huì)讓
