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2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡
2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成
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NAND Flash管理算法的設計及實現(xiàn)
給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
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全球平板電腦持續(xù)火爆 NAND營收創(chuàng)歷史新高
據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電
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東芝第二財季利潤8.8億美元同比增長一倍
日本東芝公司今天發(fā)布第二財季財報。在7至9月這個季度，東芝利潤同比增長超過一倍，但是由于日元強勢可能造成影響，并且全球經(jīng)濟前景并不明朗，該公司維持全年運營利潤預測不變。由于蘋果iPhone等智能手機以及iPad等
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NAND Flash的壞塊管理設計
NAND Flash的壞塊管理設計
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NAND Flash的壞塊管理設計
NAND Flash的壞塊管理設計
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東芝第二財季利潤8.8億美元 同比增長一倍
日本東芝公司今天發(fā)布第二財季財報。在7至9月這個季度，東芝利潤同比增長超過一倍，但是由于日元強勢可能造成影響，并且全球經(jīng)濟前景并不明朗，該公司維持全年運營利潤預測不變。由于蘋果iPhone等智能手機以及iPad等
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三星半導體轉頭生產(chǎn)NAND Flash
三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線，將于201
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美光和英特爾利用25納米硅工藝技術推出3-bit-per-cell NAND 閃存
----雙方稱該業(yè)界容量最大、尺寸最小的 NAND 設備，為眾多消費存儲應用帶來成本優(yōu)勢。美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特爾公司 (IntelCorporation)近日聯(lián)合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc)
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DRAM上游廠慘淡 模塊廠難置身事外
隨著DRAM和NAND Flash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入
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三星半導體16產(chǎn)線將轉生產(chǎn)NAND Flash
三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線，將于201
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2011年全球固態(tài)硬盤年增長將超過150%
DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出，固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內(nèi)建式應用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤
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關于電子產(chǎn)業(yè)前景的5個好/壞預兆
時間已經(jīng)進入第四季，但 2010年的最后這幾個月與 2011年的前景卻一片陰霾，以下是電子產(chǎn)業(yè)界目前顯現(xiàn)的一些好預兆與壞預兆。好預兆 1. Semiconductor Intelligence分析師Bill Jewell表示，2010年會是半導體市場表
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Spansion走出破產(chǎn)保護陰影 執(zhí)著鎖定嵌入式市場
高調(diào)宣布走出破產(chǎn)保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報，公司非GAAP調(diào)整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元；GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財季相比，仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定
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力成2010年第3季財報
內(nèi)存封測廠力成科技26日召開法人說明會，公布第3季營運結果，表現(xiàn)依舊亮麗，董事長蔡篤恭笑稱「要留給大家一點驚喜」。根據(jù)力成財報顯示，第3季合并營收及獲利同創(chuàng)歷史新高紀錄，單季營收為新臺幣98.37億元，季增5.9
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明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
海力士社長權五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當順利。2011年中計劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢，然而NAND Flash產(chǎn)品技術方面在過去1、2年落后其它競爭
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海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
韓國半導體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長權五哲表示，自
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分析師預言英特爾美光將在NAND市場分道揚鑣
英特爾(Intel)與美光(Micron)將在 NAND 閃存業(yè)務上分道揚鑣嗎？一位市場分析師斷言，美光將撇下英特爾自己走自己的NAND之路。但英特爾拒絕對此發(fā)表評論，表示該分析師的說法純屬臆測，缺乏實際左證。英特爾與美光的合
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異業(yè)結盟潮起 次世代內(nèi)存再掀熱戰(zhàn)
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術研發(fā)掀起跨領域結盟熱潮，內(nèi)存業(yè)者預期，未
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NAND Flash價格瀕臨成本線
全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線，若價格再跌，恐會讓
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