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房地產收入挹注 日月光12月集團營收創(chuàng)新高
李洵穎／臺北 2大封測廠日月光、力成6日相繼公告2010年12月合并營收，皆創(chuàng)歷史新高紀錄。日月光單月集團營收在房地產銷售收入挹注下，實績月增率達16%，惟封測業(yè)務營收則與上月相當；力成則以0.12%些微差距刷新單月歷
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英特爾亞太NAND Flash操盤手變更調整
英特爾(Intel)跨足NAND Flash產業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操
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英特爾亞太NAND Flash操盤手換將 存儲器廠嘩然
英特爾(Intel)跨足NANDFlash產業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤
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2011年平板計算機起飛 帶動NAND Flash需求
集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模，可說是平板計算機起飛年，將帶動內建式NAND Flash
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2011年平板計算機起飛 帶動NAND Flash需求
2011年平板計算機起飛 帶動NAND Flash需求
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美光新加坡廠明年投產 NAND Flash卡位戰(zhàn)再起
美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴產速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產，對于三星電
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突破技術藩籬 臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
臺灣長久缺席的快閃存儲器產業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NANDFlash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術架構下，研發(fā)出
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臺灣插足快閃存儲器產業(yè)
全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器
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突破技術藩籬 臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
臺灣長久缺席的快閃存儲器產業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研
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東芝日本廠跳電受影響產能恐達20%
華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。東芝表示，這次的
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東芝日本廠跳電 受影響產能恐達20%
華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。東芝表示，這次
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Intel-鎂光公布25nm NAND細節(jié) 采用Airgap技術
在本月6日至8日舉辦的IEDM2010舊金山大會上，Intel與鎂光兩家公司合作展示了其25nm NAND制程的細節(jié)，有趣的是，這種制程竟然會是首款將曾被IBM熱捧的AirGap（空氣隙型介電層）技術商用化的產品。當初IBM用來解釋Airg
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美光發(fā)布25nm閃存芯片ClearNAND
正當涉足NAND閃存業(yè)務整整一年之際，美光于12月2日新推出一種功能強大且封裝緊密的25nm MLC處理器，這可使美光在當前的閃存市場處于更加有利的地位。這款命名為ClearNAND的芯片分為標準型和增強型兩個版本，標準版的
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Intel、三星、東芝攜手，打算在2016年邁進10nm制程
在日本官方組織經濟產業(yè)省的贊助下，Intel以及分屬全球NAND產量第一與第二大的三星以及東芝（還有一些與半導體相關的日商），開始著手針對半導體制程合作；這項總支出達100億日圓的合作案，有一半是由經濟產業(yè)省埋單
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應用材料：2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長
針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業(yè)，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
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朝鮮半島交鋒 臺DRAM產業(yè)仍難救贖
南朝鮮軍事緊張情勢再度升高，由于韓國是全球存儲器DRAM和NAND Flash生產重鎮(zhèn)，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合計囊括全球超過60%市占率，NAND Flash則合計有超過50%市占，加上臺灣DRAM產業(yè)近2年來被
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多芯片封裝(MCP)解決方案供貨商科統(tǒng)
多芯片封裝(MCP)解決方案供貨商科統(tǒng)成立于2000年9月，目前股本為5.57億元，主要股東包括聯(lián)電集團、硅統(tǒng)科技及聯(lián)陽半導體等，目前產品線除了MCP解決方案之外，還包括隨身碟、快閃記憶卡、固態(tài)硬盤(SSD)等，2010年第1季
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東芝為提高獲利 有意關閉芯片廠
日廠東芝(Toshiba)計劃于2010年內關閉旗下4座NAND Flash廠中的1座舊世代廠房，以利將資源集中于2011年即將投產的新廠房。此外，東芝亦擬自2011年起將系統(tǒng)芯片生產委外，以提振獲利。 負責東芝半導體事業(yè)的子公司Semi
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術的比較
相變存儲器(PCM)與存儲器技術的比較
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42奈米制程 明年Q2量產
支應集團DRAM事業(yè)制程升級大計，南科（2408）規(guī)劃辦理99億元現(xiàn)增，臺塑四寶依持股，連手斥資40.8億元大力相挺。南科董事長吳嘉昭昨（16）日表示，集團DRAM在年底華亞科全面導入50奈米制程后，亦即完成導入堆棧式改變
