李洵穎/臺(tái)北 2大封測(cè)廠日月光、力成6日相繼公告2010年12月合并營(yíng)收,皆創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。日月光單月集團(tuán)營(yíng)收在房地產(chǎn)銷(xiāo)售收入挹注下,實(shí)績(jī)?cè)略雎蔬_(dá)16%,惟封測(cè)業(yè)務(wù)營(yíng)收則與上月相當(dāng);力成則以0.12%些微差距刷新單月歷
英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操
英特爾(Intel)跨足NANDFlash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤(pán)
集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示,在Android可望逐漸成熟,市場(chǎng)接受度提高,預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬(wàn)臺(tái)大增至5000萬(wàn)臺(tái)的規(guī)模,可說(shuō)是平板計(jì)算機(jī)起飛年,將帶動(dòng)內(nèi)建式NAND Flash
2011年平板計(jì)算機(jī)起飛 帶動(dòng)NAND Flash需求
美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進(jìn),已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座,在擴(kuò)產(chǎn)速度上,美光在2011年也不會(huì)缺席,與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn),對(duì)于三星電
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出
全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器,計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲(chǔ)器
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研
華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。東芝表示,這次的
華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。東芝表示,這次
在本月6日至8日舉辦的IEDM2010舊金山大會(huì)上,Intel與鎂光兩家公司合作展示了其25nm NAND制程的細(xì)節(jié),有趣的是,這種制程竟然會(huì)是首款將曾被IBM熱捧的AirGap(空氣隙型介電層)技術(shù)商用化的產(chǎn)品。當(dāng)初IBM用來(lái)解釋Airg
正當(dāng)涉足NAND閃存業(yè)務(wù)整整一年之際,美光于12月2日新推出一種功能強(qiáng)大且封裝緊密的25nm MLC處理器,這可使美光在當(dāng)前的閃存市場(chǎng)處于更加有利的地位。這款命名為ClearNAND的芯片分為標(biāo)準(zhǔn)型和增強(qiáng)型兩個(gè)版本,標(biāo)準(zhǔn)版的
在日本官方組織經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的贊助下,Intel以及分屬全球NAND產(chǎn)量第一與第二大的三星以及東芝(還有一些與半導(dǎo)體相關(guān)的日商),開(kāi)始著手針對(duì)半導(dǎo)體制程合作;這項(xiàng)總支出達(dá)100億日?qǐng)A的合作案,有一半是由經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省埋單
針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢(shì),設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出,2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長(zhǎng),幅度將勝過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè),晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁,預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(zhǎng)幅度。
南朝鮮軍事緊張情勢(shì)再度升高,由于韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器DRAM和NAND Flash生產(chǎn)重鎮(zhèn),三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過(guò)60%市占率,NAND Flash則合計(jì)有超過(guò)50%市占,加上臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來(lái)被
多芯片封裝(MCP)解決方案供貨商科統(tǒng)成立于2000年9月,目前股本為5.57億元,主要股東包括聯(lián)電集團(tuán)、硅統(tǒng)科技及聯(lián)陽(yáng)半導(dǎo)體等,目前產(chǎn)品線除了MCP解決方案之外,還包括隨身碟、快閃記憶卡、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等,2010年第1季
日廠東芝(Toshiba)計(jì)劃于2010年內(nèi)關(guān)閉旗下4座NAND Flash廠中的1座舊世代廠房,以利將資源集中于2011年即將投產(chǎn)的新廠房。此外,東芝亦擬自2011年起將系統(tǒng)芯片生產(chǎn)委外,以提振獲利。 負(fù)責(zé)東芝半導(dǎo)體事業(yè)的子公司Semi
相變存儲(chǔ)器(PCM)與存儲(chǔ)器技術(shù)的比較
支應(yīng)集團(tuán)DRAM事業(yè)制程升級(jí)大計(jì),南科(2408)規(guī)劃辦理99億元現(xiàn)增,臺(tái)塑四寶依持股,連手斥資40.8億元大力相挺。南科董事長(zhǎng)吳嘉昭昨(16)日表示,集團(tuán)DRAM在年底華亞科全面導(dǎo)入50奈米制程后,亦即完成導(dǎo)入堆棧式改變