據(jù)了解,由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)需求暴增,三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年雙雙提升NANDFlash芯片產(chǎn)量。據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),三星和海力士2011年NANDFlash位元成長(zhǎng)率(
由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),三星和海力士2011年NAND Flash位元成長(zhǎng)率(Bi
由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)需求暴增,三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年雙雙提升NANDFlash芯片產(chǎn)量。據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),三星和海力士2011年NANDFlash位元成長(zhǎng)率(BitGrowt
力成(6239)首季財(cái)報(bào)繳出亮麗成績(jī)單,本季營(yíng)收可望持續(xù)成長(zhǎng),激勵(lì)力成上周五股以漲停板104元作收,股價(jià)突破所有短中長(zhǎng)期均線反壓,投信、外資分別回補(bǔ)持股。 力成上周召開法說會(huì),董事長(zhǎng)蔡篤恭對(duì)第2季營(yíng)運(yùn)展望樂
摘要:NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇,當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證,揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。引
美光(Micron)企業(yè)發(fā)展副總裁MichaelSadler表示,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)正從谷底復(fù)蘇,最壞情況已過,未來DRAM產(chǎn)業(yè)將處于供給平衡狀態(tài),NANDFlash產(chǎn)業(yè)則會(huì)供不應(yīng)求,且在平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)、固態(tài)硬盤(SSD)等應(yīng)用對(duì)于NANDFlash芯
由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長(zhǎng),加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NANDFlash供貨銳減50%,美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求,除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能
力晶(5346)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM未來將轉(zhuǎn)為爾必達(dá)代工生產(chǎn),在自身的產(chǎn)能調(diào)配上將更加靈活,力晶發(fā)言人譚仲民說,接下來將全力沖刺晶圓代工業(yè)務(wù),預(yù)估今年底將占超過一半產(chǎn)能,另外,由于公司矽晶圓的料源供應(yīng)相當(dāng)分散,其中一
東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨,2011年第三季度(2011年7~9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品,還計(jì)劃推出
NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析
在去年,Intel與美光的NAND合資的IMFT公司邁入25nm,不過一向崇尚摩爾定律的半導(dǎo)體業(yè)界又怎可能把技術(shù)卡在這里,而果不其然,它們又再度攜手,將技術(shù)推至20nm,并且打造出僅118mm平方大小的8GBMLC Flash,比
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今,傳出5年合約已屆期滿,將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動(dòng)新加坡廠IM Flash Tech
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾和美光周四推出一種新型閃存存儲(chǔ)制造技術(shù),這一技術(shù)使電子存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)更加密集化,有利于縮小產(chǎn)品占據(jù)的空間。此款20納米級(jí)的 NAND芯片產(chǎn)品估計(jì)可在今年下半年大量生產(chǎn)。英特爾和美光曾經(jīng)合
在去年,Intel與美光的NAND合資的IMFT公司邁入25nm,不過一向崇尚摩爾定律的半導(dǎo)體業(yè)界又怎可能把技術(shù)卡在這里,而果不其然,它們又再度攜手,將技術(shù)推至20nm,并且打造出僅118mm平方大小的8GB MLC Flash,比起25nm更
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今,傳出5年合約已屆期滿,將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動(dòng)新加坡廠IM Flash Tec
摘要:先對(duì)ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹,然后再設(shè)計(jì)了一種支持ONFI2.1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器,包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì),接口的設(shè)計(jì)等。對(duì)設(shè)計(jì)中遇到的源同步模式下,信號(hào)的對(duì)齊問題進(jìn)行了說明,并提出了一種解決方
研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli周三稱,今年全球半導(dǎo)體銷售可能上升7%至3,252億美元,因上個(gè)月發(fā)生的日本地震提振電腦存儲(chǔ)芯片價(jià)格.該公司2月時(shí)的預(yù)估為成長(zhǎng)5.8%至3,201億美元.iSuppli預(yù)計(jì),動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)受到的影響將最
日本老牌存儲(chǔ)器模塊廠荻原系統(tǒng)(Hagiwara Sys-Com)由于負(fù)債累累,日前驚傳申請(qǐng)日本民事再生法,亦即破產(chǎn)保護(hù),讓業(yè)界相當(dāng)震驚。荻原過去在存儲(chǔ)器模塊領(lǐng)域曾經(jīng)紅極一時(shí),成立時(shí)間也超過30 年,與NAND Flash大廠東芝(T
存儲(chǔ)器封測(cè)廠力成科技(6239)公布去年合并營(yíng)收達(dá)378.3億元,稅后凈利為76.47億元,每股凈利達(dá)10.89元,賺進(jìn)一個(gè)股本,而力成也決議今年擬配發(fā)5元股利,包括4元現(xiàn)金股利及1元股票股利。力成上周五股價(jià)上漲2.8元,以9
存儲(chǔ)器封測(cè)廠力成科技(6239)公布去年合并營(yíng)收達(dá)378.3億元,稅后凈利為76.47億元,每股凈利達(dá)10.89元,賺進(jìn)一個(gè)股本,而力成也決議今年擬配發(fā)5元股利,包括4元現(xiàn)金股利及1元股票股利。力成上周五股價(jià)上漲2.8元,以9