蘋果去年買進(jìn)了全球 NAND 閃存的 1/4

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價(jià)格可說是出乎意料之外的低。Sacconaghi 報(bào)

2011年DRAM市場(chǎng)衰退幅度達(dá)26.6%

據(jù)工業(yè)技術(shù)研究院，隨著2011年下半年景氣看法越趨保守，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從成長5%下修至持平或衰退5%左右，全球內(nèi)存市場(chǎng)也隨之下修，從成長1.2%下修至衰退9.6%。其中DRAM衰退幅度最大達(dá)26.6%，其次Pseudo SRAM衰退10.1

蘋果去年買進(jìn)了全球 NAND 閃存的 1/4

蘋果去年買進(jìn)了全球 NAND 閃存的 1/4

東芝、爾必達(dá)再談?wù)?/a>

2011年12月下旬NAND Flash合約價(jià)下滑3%-8%

根據(jù)集邦科技（TrendForce）旗下的DRAMeXchange的調(diào)查，由于市況持續(xù)不明，部分供貨商與買方對(duì)于價(jià)格后市的看法較不一致，因此在交易冷清的情況下，12月下旬主流NAND Flash MLC合約價(jià)較12上旬的價(jià)格微幅下滑約3%-8%。

如何用LED作光敏二極管

圖1所示的簡(jiǎn)單電路是采用一只3.6V鎳鎘可充電電池供電，它能用一只LED探測(cè)光亮。電路實(shí)際上不消耗靜態(tài)功耗。兩只LED作為光敏二極管，用于探測(cè)和響應(yīng)環(huán)境光。上方的小型透明紅色LED包有一個(gè)黑套管，當(dāng)有環(huán)境光時(shí)，它的

快閃記憶體在嵌入式市場(chǎng)的創(chuàng)新應(yīng)用

快閃記憶體在嵌入式市場(chǎng)的創(chuàng)新應(yīng)用

如何用LED作光敏二極管

圖1所示的簡(jiǎn)單電路是采用一只3.6V鎳鎘可充電電池供電，它能用一只LED探測(cè)光亮。電路實(shí)際上不消耗靜態(tài)功耗。兩只LED作為光敏二極管，用于探測(cè)和響應(yīng)環(huán)境光。上方的小型透明紅色LED包有一個(gè)黑套管，當(dāng)有環(huán)境光時(shí)，它的

Q4 NAND Flash價(jià)格持續(xù)緩跌

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 調(diào)查，由于自 2011年第四季初以來市場(chǎng)已先預(yù)期今年的年終假期電子銷售旺季效應(yīng)，可能會(huì)受歐債風(fēng)暴的影響而呈現(xiàn)旺季不旺的狀況，因此 NAND Flash 價(jià)格雖已在第三季

固態(tài)硬碟出貨量同比增長66%

研究機(jī)構(gòu)IDC統(tǒng)計(jì)指出，第3季度固態(tài)硬碟（SSD）的出貨量同比增長66%，營收較去年同期增長10%，市場(chǎng)表現(xiàn)活躍，預(yù)期明年將保持增長態(tài)勢(shì)。在NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體記憶體)產(chǎn)品線當(dāng)中表現(xiàn)突出，也成為市場(chǎng)矚目焦點(diǎn)，

基于MC9328MX21的多功能開發(fā)平臺(tái)研究

基于MC9328MX21的多功能開發(fā)平臺(tái)研究

基于MC9328MX21的多功能開發(fā)平臺(tái)研究

基于MC9328MX21的多功能開發(fā)平臺(tái)研究

淡出記憶體市場(chǎng)　日月光完成收購日月鴻

李洵穎／臺(tái)北 日月光集團(tuán)旗下記憶體封測(cè)廠日月鴻在主要客戶力晶進(jìn)行轉(zhuǎn)型為代工廠的沖擊下，由母公司日月光經(jīng)公開收購程序，持有集團(tuán)內(nèi)記憶體封測(cè)廠日月鴻科技99%股權(quán)，完成收購程序。日月鴻目前力拼損益兩平，若未來

要找麻雀不找春燕

臺(tái)灣發(fā)展半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)至今已逾20年，但力成科技董事長蔡篤恭絕對(duì)是個(gè)奇跡創(chuàng)造者，因?yàn)樗粌H讓力成當(dāng)上封測(cè)股王，而且有很長一段時(shí)間，力成股價(jià)都是在百元以上，這是封測(cè)業(yè)者十分羨慕但卻望塵莫及的。 另外一個(gè)

樹立行業(yè)新標(biāo)桿：全球首款20納米制程N(yùn)AND設(shè)備

英特爾公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元（MLC）NAND設(shè)備，在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標(biāo)桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存，進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方在NAND制程工藝技

臺(tái)股弱 日月光矽品抗跌

(中央社記者鐘榮峰臺(tái)北2011年12月5日電)臺(tái)股早盤指數(shù)雖小幅反彈仍震蕩走弱，主要封裝股表現(xiàn)疲軟，成交量相對(duì)萎縮，日月光(2311)和矽品(2325)相對(duì)抗跌。 日月光平盤上震蕩相對(duì)抗跌，股價(jià)上攻28元，站上短線均線，上

泰國水災(zāi)過后固態(tài)硬盤的需求大增

自今年夏末以來，傳統(tǒng)硬盤的價(jià)格一直在穩(wěn)步上揚(yáng)，因?yàn)槿?0%左右的硬盤相關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)來自泰國，而泰國洪水造成了硬盤供應(yīng)的短缺。最近惠普(微博)CEO梅格·惠特曼(Meg Whitman)就曾表示，該公司大客戶近期受到了硬盤缺

愛發(fā)科開發(fā)鎳及鈷的CVD裝置，面向3D-NAND及Cu布線襯底用途

愛發(fā)科開發(fā)出了可使鎳（Ni）及鈷（Co）成膜的CVD裝置“ENTRON-EX2 W300 CVD-Ni/CVD-Co”。設(shè)想應(yīng)用于三維（3D）構(gòu)造的NAND閃存單元及20nm以后的金屬布線和Fin FET等領(lǐng)域。在“Semicon Japan 2011”（2011年1

日本地震過后，NAND營業(yè)收入回升：可供泰國硬盤產(chǎn)業(yè)參考

據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入記憶體市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，在日本3月地震之后，NAND閃存產(chǎn)業(yè)快速復(fù)蘇，為目前遭受泰國洪水沖擊的硬盤廠商提供了寶貴經(jīng)驗(yàn)。第三季度NAND閃存營業(yè)收入增長9.9%，達(dá)到52億美元，扭轉(zhuǎn)了第二季度下滑

力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來，力