基于底部焊端元件空洞問(wèn)題的改善措施

以 QFN 和 DFN 封裝為代表的底部焊端組件 (Bottom Terminiation Components, BTCs) 市場(chǎng)在電子行業(yè)中迅速增長(zhǎng)，其主要驅(qū)動(dòng)因素是小型化和成本。

如何解決SMT加工QFN和LGA空洞不良問(wèn)題？

空洞帶來(lái)的影響是比較大的，可靠性問(wèn)題–散熱問(wèn)題–各種失效–客戶投訴;你想解決空洞嗎?

可潤(rùn)濕側(cè)翼 QFN 封裝對(duì)于汽車應(yīng)用的價(jià)值所在

為了確保汽車符合目前對(duì)于安全性和高可靠性的要求，汽車行業(yè)要求原始設(shè)備制造商 (OEM) 執(zhí)行100%的組裝后自動(dòng)視覺(jué)檢查 (AVI)。在使用四方扁平無(wú)引線 (QFN) 封裝的情況下，不太容易看到

NIS6111無(wú)鉛封裝(QFN)板安裝手冊(cè)

ON Semiconductor公司有很多器件都采用一種先進(jìn)的無(wú)鉛方形扁平封裝，也就是我們常說(shuō)的無(wú)鉛封裝。由于QFN|0">QFN（無(wú)鉛）平臺(tái)是最新的表面貼裝封裝技術(shù)，印刷電路板（PCB）的

DFN和QFN封裝板級(jí)應(yīng)用手冊(cè)

簡(jiǎn)介 ON Semiconductor公司的各種元器件都采用了先進(jìn)的雙邊或方形扁平無(wú)鉛封裝（DFN/QFN）。DFN/QFN平臺(tái)是最新的表面貼裝封裝技術(shù)。印刷電路板（PCB）的安裝墊、阻焊層

QFN封裝的特點(diǎn)

QFN（Quad Flat No-lead Package，方形扁平無(wú)引腳封裝）是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興的表面貼裝芯片封裝技術(shù)。由于底部中央大暴露的焊盤被焊接到PCB的散熱焊盤上，使得QFN具有極佳的電和熱性

凌特上市12A同步整流式降壓型穩(wěn)壓器 采用9mm×9mm QFN封裝

凌特上市12A同步整流式降壓型穩(wěn)壓器 采用9mm×9mm QFN封裝

【日經(jīng)BP社報(bào)道】美國(guó)凌特科技（Linear Technology）上市了采用9mm×9mm的64引腳QFN封裝，且連續(xù)輸出電流最大為12A的同步整流式降壓型穩(wěn)壓器“LTC3610”（發(fā)布資料）?？蓱?yīng)用于多節(jié)鋰離子充電電池、鉛蓄電池、最大24

小間距QFN封裝PCB設(shè)計(jì)串?dāng)_抑制分析

由小間距QFN封裝的器件引入的PCB走線扇出區(qū)域的串?dāng)_問(wèn)題也隨著傳輸速率的升高而越來(lái)越突出。對(duì)于8Gbps及以上的高速應(yīng)用更應(yīng)該注意避免此類問(wèn)題，為高速數(shù)字傳輸鏈路提供更多裕量。本文針對(duì)PCB設(shè)計(jì)中由小間距QFN封裝引入串?dāng)_的抑制方法進(jìn)行了仿真分析，為此類設(shè)計(jì)提供參考。

Linear 推出采用 3mm x 5mm QFN 封裝的雙通道、低噪聲偏置發(fā)生器 LT3095

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 IC LT3095，該器件從單一輸入提供兩路非常低噪聲、低紋波的偏置電源。每個(gè)通道都納入了單片升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，一個(gè)集成的超低噪聲和高 PSRR (電源抑制比) 線性穩(wěn)壓器對(duì)該轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了后置穩(wěn)壓。LT3095 在輸出電壓高達(dá) 20V 時(shí)提供高達(dá) 50mA 的連續(xù)輸出電流，總紋波和噪聲

IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN頂部外露電源模塊器件

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴(kuò)充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級(jí)的傳統(tǒng)電

IR堅(jiān)固可靠的高壓柵級(jí)驅(qū)動(dòng)IC采用PQFN4x4封裝

【導(dǎo)讀】全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級(jí)驅(qū)動(dòng)IC采用該封裝，為家用電器、工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)工具和替代

安博：從技術(shù)和市場(chǎng)定位上打造自身優(yōu)勢(shì)

【導(dǎo)讀】雖然現(xiàn)在已有各種先進(jìn)封裝技術(shù)出現(xiàn)，但是很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)傳統(tǒng)封裝形式將會(huì)與之并存，可能數(shù)量會(huì)減少，但并不會(huì)被替代，因?yàn)榭蛻艉褪袌?chǎng)有需求，就如同DIP封裝技術(shù)雖然歷史悠久，但依然有很多客戶愿意沿用這種封

蘇州固锝:銀漿項(xiàng)目產(chǎn)品性能達(dá)業(yè)界主流

全景網(wǎng)4月14日訊 蘇州固锝（002079）周一披露的《投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表》顯示，目前，公司投資的銀漿項(xiàng)目產(chǎn)品性能達(dá)到業(yè)界主流的水平，正銀產(chǎn)品已經(jīng)在數(shù)家客戶實(shí)行了穩(wěn)定的大規(guī)模生產(chǎn)。公司介紹，2014年,通過(guò)產(chǎn)品認(rèn)

英飛凌XMC1000微控制器系列進(jìn)入量產(chǎn)

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，該公司采用 ARM Cortex-M0 處理器、以8位元的價(jià)格提供32位元效能的 XMC1000 微控制器(MCU)已進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)，英飛凌也為其推出高度精巧的全新 VQFN (超薄四方扁平無(wú)接腳)系列

IR推出堅(jiān)固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET 為通信電源應(yīng)用提供基準(zhǔn)性能

21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF，為通信應(yīng)用中的DC-DC電源提供基準(zhǔn)性能。IRFH7185TRPbF采用IR全新

MOS管封裝形式簡(jiǎn)介

主板的供電一直是廠商和用戶關(guān)注的焦點(diǎn)，視線從供電相數(shù)開(kāi)始向MOSFET器件轉(zhuǎn)移。這是因?yàn)殡S著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET以及多芯片DrMOS開(kāi)始用

德州儀器推出QFN 封裝、更多模塊設(shè)計(jì)與新軟件

21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布：TI 及其分銷合作伙伴現(xiàn)已開(kāi)始推出基于藍(lán)牙 (Bluetooth®) v4.0 技術(shù)、采用易集成型 QFN 封裝的 CC2560 與 CC2564 無(wú)線器件，以嵌入式應(yīng)用最完整的無(wú)線連接產(chǎn)品組合位居業(yè)界領(lǐng)先

華天科技：高速成長(zhǎng)的封裝上游公司

電子信息類個(gè)股近期的強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)，無(wú)疑成為弱勢(shì)環(huán)境當(dāng)中的一道亮麗風(fēng)景線，而板塊當(dāng)中的一些還沒(méi)有啟動(dòng)的個(gè)股則值得我們深入挖掘。 一、半導(dǎo)體封裝龍頭 公司是國(guó)內(nèi)前三大半導(dǎo)體封裝企業(yè)，面向國(guó)內(nèi)及部分國(guó)際半導(dǎo)

林文伯：矽品Q1營(yíng)收估減3-7% 但目前產(chǎn)能吃緊 訂單須排隊(duì)

IC封測(cè)大廠矽品(2325-TW)今(15)日舉行法說(shuō)會(huì)，董事長(zhǎng)林文伯指出，第 1 季受到記憶體需求減緩，加上新臺(tái)幣走升等因素影響，預(yù)估營(yíng)收將較第 4 季下滑3-7%，毛利率也會(huì)較第 4 季微幅下滑，而就單月?tīng)I(yíng)收走勢(shì)而言， 2 月將