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[導讀]·萊迪思Nex us技術平臺采用三星代工廠28nm FD-SOI工藝,提供解決方案、架構和電路層面的創(chuàng)新,實現(xiàn)低功耗網(wǎng)絡邊緣應用

美國俄勒岡州希爾斯伯勒市——2019年12月10日——萊迪思半導體公司,低功耗可編程器件的領先供應商,今日宣布推出全新低功耗FPGA技術平臺——Lattice Nex us?。該技術平臺旨在為各類應用的開發(fā)人員帶來低功耗、高性能的開發(fā)優(yōu)勢,如物聯(lián)網(wǎng)的AI應用、視頻、硬件安全、嵌入式視覺、5G基礎設施和工業(yè)/汽車自動化等。無論是在解決方案、架構還是電路設計層面,萊迪思Nex us均展現(xiàn)出卓越的創(chuàng)新,能夠大幅降低功耗且提供更高的系統(tǒng)性能。

萊迪思半導體研發(fā)副總裁Steve Douglass表示:“萊迪思Nex us技術平臺增強了FPGA的并行處理和可重新編程能力,并且擁有網(wǎng)絡邊緣AI推理和傳感器管理等當今技術趨勢要求的低功耗高性能特性。該平臺還能加快萊迪思今后發(fā)布新產品的速度。此外,萊迪思Nex us技術平臺還針對快速增長的應用提供易于使用的解決方案集合,即使客戶不擅長FPGA設計,也能幫助他們更快地開發(fā)其系統(tǒng)?!?/span>

萊迪思Nex us技術平臺提供創(chuàng)新的系統(tǒng)級解決方案,提升了易用性。這些解決方案集合了設計軟件、預置的軟IP模塊、評估板、套件和參考設計,幫助客戶更快地構建系統(tǒng)。它們主要針對嵌入式視覺等增長迅猛的應用領域,包括了傳感器橋接、傳感器聚合和圖像處理等解決方案。

萊迪思Nex us技術平臺擁有創(chuàng)新的架構,能在行業(yè)領先的低功耗條件下優(yōu)化系統(tǒng)性能。例如,該平臺優(yōu)化的DSP模塊和更大的片上存儲器可實現(xiàn)低功耗高性能的計算,如AI推理算法,并且運行速度是之前萊迪思FPGA的兩倍而功耗減少一半。

萊迪思Nex us還使用創(chuàng)新的電路設計為客戶提供各類重要功能,包括可編程的功耗與性能優(yōu)化以及針對瞬時啟動應用的快速配置。

萊迪思Nex us是基于三星的28nm耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)工藝技術開發(fā)的。與bulk CMOS工藝相比,這項技術的漏電降低了50%,是萊迪思Nex us低功耗技術平臺的最佳選擇。

Samsung Foundry營銷副總裁Ryan Lee表示:“我們很高興能與萊迪思合作,將28納米FDS制造工藝的優(yōu)勢引入低功耗FPGA市場。萊迪思將其在FPGA架構設計方面的創(chuàng)新和專長與我們行業(yè)領先的差異化代工技術相結合,將在未來幾年繼續(xù)保持在低功耗FPGA領域的領先地位?!?br />


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