不過，國外早在上世紀80年代便開啟了對IGBT的研究生產(chǎn)，要在產(chǎn)品上追上國外先進水平，顯然需要更多時間。

因此，中途比亞迪的IGBT芯片又歷經(jīng)8年，多次迭代，其間，比亞迪還與上海先進半導體在2015年達成了戰(zhàn)略合作，以利用后者的半導體制造技術。

終于在2017年，比亞迪的第四代IGBT研發(fā)成功、投產(chǎn)、裝車。

IGBT 4.0，便被用于比亞迪新一代主力車型——百公里加速時間達到4.5秒的唐。這輛車每一次狂暴的動力輸出背后，都有這枚比亞迪自研的IGBT的功勞。

▲比亞迪唐DM，百公里加速4.5秒

當然，技術是不斷進步的。此前，國外IGBT已經(jīng)經(jīng)歷了六次技術迭代，功率半導體基礎的材料，也從硅（Si）、砷化鎵（GaAs） ，進化到了碳化硅（SiC）?；谔蓟璐蛟斓墓β拾雽w，更能耐高溫，可以承受更高的電壓——這樣，原本耐壓能力不強的MOSFET，在用上碳化硅過后，能夠支持的電壓也能與現(xiàn)今車用的IGBT媲美。

而比亞迪已經(jīng)研發(fā)出了基于碳化硅的MOSFET，明年便會推出搭載這一器件的電動車，車輛的電驅(qū)性能還會提升10%。往后，比亞迪計劃在其新能源車產(chǎn)品中，逐步用碳化硅基的功率半導體替代硅基IGBT。

中國如何突破國外巨頭統(tǒng)治的IGBT市場？

實際上，比亞迪這樣在新能源車用IGBT上取得突破的選手，在國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)確實是鳳毛麟角。

IGBT芯片按工作電壓，大致分為1700V以下、1700V-3300V、3300V-6500V三類。

其中，工作電壓等級在3300-6500V的IGBT主要對應發(fā)電、電力傳輸行業(yè)，1700-3300V的IGBT在高鐵等軌道交通領域應用較多。

而1700V以下用途中，發(fā)展勢頭最猛的新興產(chǎn)業(yè)，正是新能源車。

然而，目前IGBT的主要生產(chǎn)廠家，無一例外是國外公司，英飛凌、三菱、富士、安森美、德儀、ABB等霸占市場。

其中國內(nèi)新能源車領域的IGBT市場，絕大多數(shù)份額仍然被國外半導體巨頭英飛凌占據(jù)——這一數(shù)據(jù)一度達到70%。

在2016年全球銷量TOP10的新能源車，有8款使用了英飛凌的IGBT，其中有我們無比熟悉的Model S/X，以及通用Bolt EV，甚至包括比亞迪的唐與秦，甚至也使用了英飛凌的晶圓生產(chǎn)。英飛凌憑借壟斷優(yōu)勢，攫取高額利潤，IGBT成本居高不下。

而比亞迪的IGBT 4.0推向市場、應用于車型上，則代表了一支重要的國產(chǎn)力量，加入到了這場新能源車核心技術、核心器件的競賽當中來。

在更早之前，中車集團在2014年，完成了高鐵用IGBT的研發(fā)、生產(chǎn)，打破了三菱在這一領域的統(tǒng)治，不僅實現(xiàn)了自產(chǎn)自用，還隨高鐵項目的對外輸出開始向國外供貨。

比亞迪與中車，儼然成為了國產(chǎn)IGBT生產(chǎn)應用的雙子星。

在這背后，國內(nèi)的（高壓）IGBT產(chǎn)業(yè)鏈，在下游急切的應用需求下，也開始逐步建立起來，士蘭微、華微、華虹、先進半導體等等一系列IGBT的IC設計、晶圓制造公司也成長起來，國內(nèi)的IGBT產(chǎn)業(yè)鏈正在初步成型。而比亞迪自身，也表態(tài)將會對外開放其IGBT供貨。

在一個產(chǎn)業(yè)集群形成后，中國的IGBT乃至更多類型的功率半導體，將有更充足的底氣與國外巨頭抗衡。

比亞迪將在材料上進一步突破

最后，比亞迪宣布，在材料上進一步突破，有望于 2019 年推出搭載 SiC 電控的電動車。預計到 2023 年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現(xiàn) SiC 基車用功率半導體對硅基 IGBT 的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升 10 %。

SiC 具備高耐壓、低損耗、高效率的特性，是替代 Si 的第三代半導體材料