今年，頻頻爆出摩爾定律將不再是制造工藝界的神話，雖說(shuō)如此，但新制造工藝的發(fā)展仍然不可忽視。

而在14nm向10nm、7nm發(fā)展的過(guò)程中，解決漏電問(wèn)題就成為了關(guān)鍵。為了解決該問(wèn)題，Intel在其制造工藝中融合了高介電薄膜和金屬門集成電路以解決漏電問(wèn)題;IBM開發(fā)出SOI技術(shù)——在在源極和漏極埋下一層強(qiáng)電介質(zhì)膜來(lái)解決漏電問(wèn)題;此外，還有鰭式場(chǎng)效電晶體技術(shù)——借由增加絕緣層的表面積來(lái)增加電容值，降低漏電流以達(dá)到防止發(fā)生電子躍遷的目的。

10nm登陸戰(zhàn)正當(dāng)酣

處理器工藝的發(fā)展?fàn)縿?dòng)著手機(jī)行業(yè)的步伐，而iPhone 7搭載的性能強(qiáng)勁的A10處理器依然采用的是臺(tái)積電16nm技術(shù)或三星14nm技術(shù)，可以預(yù)見的是10nm技術(shù)將會(huì)在明年參與智能手機(jī)行業(yè)的發(fā)展。

而這三家在10nm的搶灘戰(zhàn)中戰(zhàn)果幾何?根據(jù)相關(guān)消息，臺(tái)積電預(yù)告2017年第二季將會(huì)量產(chǎn)10nm芯片。在今年10月份，三星也對(duì)外宣布其第三代10nm制程，并將之命名為10LPU。據(jù)稱，新工藝能夠帶來(lái)比舊10nm制程更小的10核心尺寸。而作為制造工藝曾經(jīng)的霸主Intel卻在10nm技術(shù)上頻頻跳票，其10nm制程量產(chǎn)時(shí)間確定將延后到2017下半年，首個(gè)10nm工藝的Cannonlake也是姍姍來(lái)遲。但是，從以往的經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，與臺(tái)積電和三星相比，Intel的制造工藝在成本上還是性能上都略勝一籌。誰(shuí)將在10nm登陸戰(zhàn)中成為最后的贏家還真是不容易判斷。而至于，AMD方面要跳過(guò)10nm而直奔7nm那就是另外一個(gè)更遙遠(yuǎn)的故事了。

7nm搶灘贏家將成為制霸關(guān)鍵?

臺(tái)積電內(nèi)部將7nm視為與英特爾和三星最重要的戰(zhàn)役，臺(tái)積電因有10nm制程掌握蘋果、聯(lián)發(fā)科及海思等重要客戶導(dǎo)入的優(yōu)勢(shì)，且7nm在電晶體反應(yīng)速度和功能及功能等表現(xiàn)，比10nm更優(yōu)越，讓臺(tái)積電一線大客戶，甚至包括原本在三星投片的高通，也將大單轉(zhuǎn)回臺(tái)積電，凸顯臺(tái)積電在7nm獲國(guó)際大廠肯定。但是，英特爾已和ARM簽署授權(quán)協(xié)議，在10nm制程提供代工服務(wù)將采用ARM的架構(gòu)，與臺(tái)積電正面交鋒，更讓臺(tái)積電不敢稍有懈怠。據(jù)稱，臺(tái)積電7nm將于明年第1季進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，良率在既定進(jìn)度內(nèi)前進(jìn)，預(yù)定明年第4季投片，2018年起貢獻(xiàn)營(yíng)收，7nm制程的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)則將落在2018年上半。

相比之下，三星導(dǎo)入7nm制程進(jìn)度不如預(yù)期，恐無(wú)法如原先規(guī)劃在明年量產(chǎn)。三星在蘋果A10處理器代工訂單全被臺(tái)積電吃下之后，決定卷土重來(lái)，將重心押在7nm，并且決定提前在7nm導(dǎo)入由ASML開發(fā)最新EUV微影設(shè)備，用在半導(dǎo)體量產(chǎn)制程。三星原預(yù)估，明年上半年裝設(shè)完成并進(jìn)行7nm量產(chǎn)，不過(guò)，半導(dǎo)體設(shè)備商透露，三星7nm研發(fā)進(jìn)度嚴(yán)重落后，明年接單難度甚高。

而Intel方面也表示，7nm制程是決勝關(guān)鍵，7nm的制程技術(shù)與材料將會(huì)有重大改變。相較于其10nm產(chǎn)品，7nm工藝可能還要晚一些，恐怕要等到2020年才能量產(chǎn)了。

不得不說(shuō)三星、臺(tái)積電、Intel等公司在7nm、10nm工藝上的搶灘大戰(zhàn)著實(shí)是一場(chǎng)好戲。