2005年1月25日，Actel公司市場(chǎng)副總裁Dennis Kish和Actel中國(guó)區(qū)總經(jīng)理夏明威在北京召開新聞發(fā)布會(huì)，宣布推出推出第三代以Flash為基礎(chǔ)的可編程邏輯方案，也是全球最低成本的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 器件，名為ProASIC3和ProASIC3E系列，成功推動(dòng)該公司進(jìn)入一個(gè)新的競(jìng)爭(zhēng)時(shí)代。ProASIC3/E系列是Actel因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)全功能、高成本效益FPGA的強(qiáng)勁需求而設(shè)計(jì)，主要面向消費(fèi)、汽車及其它成本敏感的應(yīng)用領(lǐng)域。這個(gè)“以價(jià)值為基礎(chǔ)”(value-based) 的區(qū)間在FPGA市場(chǎng)中增長(zhǎng)最快，預(yù)計(jì)今年可達(dá)到5億美元的規(guī)模。

    Actel公司總裁兼首席執(zhí)行長(zhǎng) John East說：“過去10年來，F(xiàn)lash技術(shù)已發(fā)展成突破性的技術(shù)，對(duì)每個(gè)涉及領(lǐng)域都有著深遠(yuǎn)的影響。例如，F(xiàn)lash技術(shù)使到手機(jī)、照相機(jī)和錄像機(jī)的下一代產(chǎn)品發(fā)生了革命性的變化，現(xiàn)在則對(duì)可編程邏輯市場(chǎng)帶來同樣的沖擊。事實(shí)上，F(xiàn)PGA技術(shù)的主流平臺(tái)已出現(xiàn)根本改變，而Actel正好處于領(lǐng)導(dǎo)位置。”

    East續(xù)稱：“新的ProASIC3器件起始價(jià)僅1.5美元，是世界上最低成本的FPGA，而其性能和安全性比同類以SRAM為基礎(chǔ)的產(chǎn)品還優(yōu)勝。以Flash為基礎(chǔ)的FPGA可提供安全、低功耗、上電即行和可重編程的解決方案，透過媲美ASIC的單位成本，實(shí)現(xiàn)FPGA產(chǎn)品能快速推出市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，有助舒緩大批量市場(chǎng)對(duì)ASIC需求的壓力。”

    基于其成功的ProASIC Plus系列，Actel全新的單芯片器件具有64位、66 MHz PCI性能，是業(yè)界首個(gè)具備片上用戶Flash存儲(chǔ)器的FPGA。該器件的系統(tǒng)門密度范圍從3萬至300萬個(gè)，并提供先進(jìn)的安全I(xiàn)SP (系統(tǒng)內(nèi)可編程) 技術(shù)。

    除了單位成本低之外，ProASIC3/E系列還可通過去除系統(tǒng)板上的多種器件，降低系統(tǒng)整體成本。舉例說，該系列器件無需外部引導(dǎo)程序或微控制器來支持器件編程，而其上電即行特性無需外部CPLD即可在上電期間讓系統(tǒng)運(yùn)行起來。器件數(shù)目的減少可節(jié)省線路板空間，從而提高可靠性、簡(jiǎn)化庫(kù)存管理，以及降低總系統(tǒng)成本。

    ProASIC3/E系列提供1024位 (128x8頁) 片上非揮發(fā)性用戶Flash存儲(chǔ)，以及基于多達(dá)6個(gè)板上鎖相環(huán) (PLL) 的時(shí)鐘調(diào)節(jié)電路。這種用戶可用的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器可用于多種系統(tǒng)應(yīng)用，包括IP設(shè)備尋址、用戶喜好選項(xiàng)存儲(chǔ)、系統(tǒng)校準(zhǔn)設(shè)置、設(shè)備序列號(hào)和/或庫(kù)存控制及日期設(shè)定。該器件還帶有高達(dá)504 kb嵌入式真實(shí)雙端口SRAM，以及604個(gè)用戶I/O，達(dá)致66 MHz、64位PCI性能。

    與基于SRAM的FPGA不同，ProASIC3/E帶有安全機(jī)制，可防止外界對(duì)所有編程信息進(jìn)行訪問，而且采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的128位AES算法，確保重編程可以安全地在系統(tǒng)內(nèi)實(shí)行。在支持未來的迭代設(shè)計(jì)及現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)時(shí)，更無需擔(dān)心寶貴的IP會(huì)被損壞或復(fù)制。該系列器件還集成了FlashLock，無需額外成本即可提供可重編程和設(shè)計(jì)安全的獨(dú)特組合。內(nèi)置的解密引擎和基于Flash的AES密匙使得ProASIC3/E成為當(dāng)今市場(chǎng)上功能最齊全的可編程邏輯方案。此外，非揮發(fā)性Flash技術(shù)還為該器件提供了低功耗和上電即行的優(yōu)點(diǎn)。

    ProASIC3/E系列的非揮發(fā)和可重編程特性是通過業(yè)界領(lǐng)先的先進(jìn)Flash LVCMOS工藝實(shí)現(xiàn)，該工藝具有7層金屬 -- 6銅1鋁。標(biāo)準(zhǔn)CMOS設(shè)計(jì)技術(shù)用于實(shí)現(xiàn)PLL等邏輯和控制功能，因此具有可預(yù)測(cè)的性能。精細(xì)顆粒的結(jié)構(gòu)、增強(qiáng)的靈活布局，以及豐富的Flash開關(guān)，這些特點(diǎn)的完美結(jié)合使得該器件在高度擁擠的設(shè)計(jì)中的利用率高達(dá)到100％，并對(duì)性能的影響極微。

ProASIC3特點(diǎn)：
§    3萬至100萬個(gè)系統(tǒng)門
§    18至108 kb真實(shí)雙端口SRAM
§    81至288個(gè)用戶I/O
§    3.3V、64位、66MHz PCI
§    高達(dá)350 MHz外部系統(tǒng)性能
§    1.5V內(nèi)核電壓實(shí)現(xiàn)低功耗
§    1.5V、1.8V、2.5V和3.3V I/O工作電壓
§    可分組 (Bank) 選擇的I/O電壓 － 每芯片多達(dá)4組

ProASIC3E特點(diǎn)：
§    60萬至300萬個(gè)系統(tǒng)門
§    108至504 kb真實(shí)雙端口SRAM
§    多達(dá)604個(gè)用戶I/O
§    3.3V、64位、66MHz PCI
§    高達(dá)350 MHz外部系統(tǒng)性能
§    1.5V內(nèi)核電壓實(shí)現(xiàn)低功耗
§    1.5V、1.8V、2.5V和3.3V I/O工作電壓
§    可分組選擇的I/O電壓 － 每芯片多達(dá)8組 

    ProASIC3E 600器件樣本現(xiàn)已透過Actel的早期存取計(jì)劃供應(yīng)，預(yù)計(jì)到2005年第四季度批量生產(chǎn)。ProASIC3單價(jià)由1.5美元起。