內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來(lái)衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動(dòng)起來(lái)，這一震動(dòng)可以通過(guò)晶片的形變和大小記錄下來(lái)。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來(lái)，這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說(shuō)內(nèi)存無(wú)法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來(lái)決定的。

DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存和DDR3的內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200 / 266 / 333 / 400的工作頻率分別是100 / 133 / 166 / 200 MHz，而等效頻率分別是200 / 266 / 333 / 400 MHz;DDR2 400 / 533 / 667 / 800的工作頻率分別是100 / 133 / 166 / 200 MHz，而等效頻率分別是400 / 533 / 667 / 800 MHz;DDR3 1066 / 1333 / 1600 / 1800 / 2000的工作頻率分別是266 / 333 / 400 / 450 / 500 MHZ，而等效頻率分別是1066 / 1333 / 1600 / 1800 / 2000MHZ。

內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱(chēng)為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過(guò)搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過(guò)才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見(jiàn)，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。

DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit)，同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。嚴(yán)格的說(shuō)，DDR4應(yīng)該叫DDR4 SDRAM，DDR4 SDRAM全稱(chēng)Double Data Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory，即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

直到2014年，DDR4內(nèi)存才首次得到應(yīng)用，首款支持DDR4內(nèi)存的是英特爾旗艦級(jí)x99平臺(tái)，此時(shí)，DDR4在性能和價(jià)格上于高頻率DDR3相比，并沒(méi)有什么優(yōu)勢(shì)，但當(dāng)時(shí)如果用戶(hù)想體驗(yàn)旗艦級(jí)平臺(tái)，只能買(mǎi)高價(jià)位的DDR4，因?yàn)閤99只支持DDR4。

主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能在。

Intel2018年發(fā)布了隸屬于第八代酷睿處理器家族的KBL-G處理器，也就是傳聞已久的Intel CPU+AMD GPU的處理器。KBL-G處理器一共有5款，規(guī)格最高的是i7-8809G，4核心8線(xiàn)程，主頻3.1 GHz，最大睿頻4.2 GHz，8 M三級(jí)緩存，內(nèi)存支持雙通道DDR4-2 400 MHz，并且不鎖倍頻，顯卡搭載的是Radeon RX Vega M GH。