[導(dǎo)讀]2020年全球分立IGBT器件主要供應(yīng)商中,排名前10的分別為:Infineon,F(xiàn)ujiElectric,Mitsubishi,ON,Toshiba,ST,Littlefuse,RenesasElectronics,MagnaChip,HangzhouSilan。2020年全球...
2020年全球分立IGBT器件主要供應(yīng)商中,排名前10的分別為:Infineon,F(xiàn)uji Electric,Mitsubishi,ON,Toshiba,ST,Littlefuse,Renesas Electronics,MagnaChip,Hangzhou Silan。2020年全球分立IGBT器件供應(yīng)商營業(yè)額及排名
IGBT市場分為三部分:分立IGBT器件,IPM和IGBT模塊。其中,IGBT模塊包括:STD PIM CIB模塊。* CIB: Converter Inverter Brake*?PIM: Power Integrated Modules2020年全球分立IGBT器件排名前5的供應(yīng)商所占的市場總份額為67.4%以上,排名前10的供應(yīng)商所占的市場總份額約為85.7%,格局非常明顯。
和2019年相比,2020年全球分立IGBT器件主要供應(yīng)商排名中,6-10名的位置次序沒有變化,國產(chǎn)的Hangzhou Silan依然位于排名的第10位,Infineon排名第一的位置依然無人撼動,Fuji Electric依然位于第二位,而3-5名的位置次序發(fā)生了改變。
這些供應(yīng)商中,排名5-10名的營業(yè)額接近1億美元,和IGBT模塊以及功率MOSFET市場一樣,營業(yè)額在1億美元這個位置,如果想進一步的增加營收,面對的市場和應(yīng)用的競爭將非常激烈,只有依靠內(nèi)部的技術(shù)突破和產(chǎn)品線的拓展,才能往前提升。
OMDIA\IHS及其他的一些全球著名市場研究機構(gòu),在其年度市場調(diào)研報告中,列出了功率MOSFET和IGBT全球主要供應(yīng)商的營業(yè)額、市場份額及排名。數(shù)據(jù)來源于OMDIA\IHS及其他的一些全球著名市場研究機構(gòu)的年度市場調(diào)研報告,通過網(wǎng)上公開的公司信息、行業(yè)信息和行業(yè)報告,查找及整理。
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IGBT是一個發(fā)熱源,其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗,損耗越大,發(fā)熱量自然就會越多。而IGBT的開通與關(guān)斷并不是瞬間完成的,有開通時間與關(guān)斷時間。
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IGBT
在電子系統(tǒng)中,電源如同人體的心臟,為各個元器件提供持續(xù)穩(wěn)定的能量。而電源系統(tǒng)電流的合理分配,更是決定了整個系統(tǒng)能否穩(wěn)定、高效運行的關(guān)鍵因素。不合理的電流分配,可能導(dǎo)致某些元器件供電不足,無法正常工作;也可能使部分器件電流...
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電源系統(tǒng)
器件
電流
在功率電子系統(tǒng)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的驅(qū)動電路設(shè)計直接影響開關(guān)損耗、電磁干擾(EMI)和器件可靠性。門極電阻(Rg)與鉗位二極管(Dclamp)作為驅(qū)動電路的核心元件,其參數(shù)優(yōu)化需平衡開關(guān)速度、電壓尖峰抑...
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IGBT
門極電阻
鉗位二極管
美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn),首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。
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MOSFET
功率器件
IGBT
中國上海,2025年7月8日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,與中國知名OEM廠商奇瑞汽車股份有限公司(以下簡稱“奇瑞”)于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交...
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汽車電子
IGBT
SiC
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
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IGBT
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,功率器件作為核心 “大腦”,其重要性不言而喻?;仡欉^往,IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車的上半場,而如今,SiC 正加速上車,開啟新的發(fā)展周期。
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IGBT
功率器件
SiC
【2025年6月18日, 德國慕尼黑訊】隨著純電動汽車(BEV)和插電式混合動力電動汽車(PHEV)銷量的快速增長,電動汽車市場的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計到 2030 年,電動汽車的生產(chǎn)比例將實現(xiàn)兩位數(shù)增長,從2024年的2...
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IGBT
RC-IGBT
芯片
電動汽車
IGBT常采用的一體式封裝設(shè)計,其中不僅集成了IGBT芯片,還包含了二極管芯片
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IGBT
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)...
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IGBT
FRD
【2025年3月31日, 中國上海訊】三十載精“芯”“質(zhì)”造,闊步新征程。日前,英飛凌無錫工廠迎來了在華運營三十周年的里程碑。歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展,無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一,生產(chǎn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于...
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智能工廠
IGBT
電動汽車
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表,憑借其寬禁帶寬度、高擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速度等卓越特性,在光電子、電力電子、射頻微波等諸多領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而,如同任何新興技術(shù)一樣,氮化鎵器件在...
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氮化鎵
半導(dǎo)體
器件
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,蜂鳴器作為一種能夠發(fā)出聲音信號的器件,被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如電子玩具、報警器、電子設(shè)備的提示音等。其中,有源壓電式蜂鳴器以其只需接上額定直流電壓即可發(fā)聲的特點,受到了工程師們的青睞。那么,有源壓電式蜂...
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蜂鳴器
器件
直流電壓
TDK株式會社(東京證券交易所代碼:6762)新近推出愛普科斯 (EPCOS) EP9系列變壓器(訂購代碼:B82804E)。相比于專為IGBT及FET柵極驅(qū)動電路而設(shè)計現(xiàn)有E10EM系列表面貼裝變壓器,新系列元件尺寸更...
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柵極驅(qū)動變壓器
IGBT
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴,電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及,眾多企業(yè)紛紛入場,試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (C...
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逆變器
IGBT
電動汽車
光隔離器件是一種只允許光沿一個方向通過而在相反方向阻擋光通過的光無源器件。它的作用是防止光路中由于各種原因產(chǎn)生的后向傳輸光對光源以及光路系統(tǒng)產(chǎn)生的不良影響。
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光隔離
器件
在電力電子系統(tǒng)中,特別是使用IGBT或MOSFET等功率元件時,死區(qū)時間非常重要。它確保在一個功率元件關(guān)閉后,另一個元件才能開啟,從而避免同時導(dǎo)通導(dǎo)致的短路風險。?
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IGBT
MOSFET
在下述的內(nèi)容中,小編將會對IGBT的相關(guān)消息予以報道,如果IGBT是您想要了解的焦點之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT
短路保護
一直以來,IGBT都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在,小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)介紹,詳細內(nèi)容請看下文。
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IGBT
開關(guān)特性
MOS
2024年11月26日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。Hybr...
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電動汽車
牽引逆變器
IGBT