美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之一。通過全球化的運營，美光公司制造并向市場推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲器模塊，用于前沿計算、消費品、網(wǎng)絡(luò)和移動便攜產(chǎn)品。美光公司普通股代碼為MU，在紐約證券交易所交易(NYSE)。

Micron Technology(美光科技)：位于美國愛達荷州首府博伊西市，于1978年由Ward Parkinson、Joe Parkinson、Dennis Wilson和Doug Pitman創(chuàng)立，1981年成立自有晶圓制造廠。

LOGO美光科技有限公司(以下簡稱美光科技)是全球最大的半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動、計算機、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供針對性的解決方案。在1990年代初期，美光科技成立Micron Computers(美光電腦)子公司來制造個人電腦，該公司即后來的Micron Electronics(美光電子)。美光1998年亦并購了Rendition公司來制造3D加速芯片。2002年美光卷入了內(nèi)存價格操縱丑聞。美光于2007年3月21日首次在中國西安成立了工廠，主要生產(chǎn)DRAM和NAND快閃存儲器。

日前，臺積電董事長劉德音在出席活動時表示，美光的存儲技術(shù)已經(jīng)超越三星，一向較少評價同業(yè)以及客戶的臺積電一反常態(tài)，引來臺積電與美光加深合作的猜測。目前，在NAND Flash領(lǐng)域，美光確有后來居上的態(tài)勢，美光的176層堆疊3D NAND Flash 開始大量生產(chǎn)，但三星目前仍停留在128層。

而在DRAM技術(shù)方面，美光原落后三星，但如今追趕速度加快。今年第一季已領(lǐng)先三星、SK海力士導(dǎo)入1α制程量產(chǎn)，更預(yù)計搶先在2022年推進到1β制程。臺媒表示，美光與三星的存儲龍頭之爭，未來幾年將很有看頭。在代工方面，三星一直是臺積電的最大競爭對手，但在存儲方面，三星擁有優(yōu)勢，以至于一些業(yè)內(nèi)人士認為，如果三星能夠在代工過程中充分整合存儲優(yōu)勢，將會在與臺積電的對抗中保持競爭力。正是基于此，臺積電似乎正在謀求同美光的深度合作。

臺媒分析指出，臺積電與美光的合作，有其客觀的產(chǎn)業(yè)環(huán)境與條件，一方面是全球存儲三強中，三星及海力士都是與臺灣處于競爭狀態(tài)的韓國企業(yè)，另外日本的鎧俠沒有DRAM ;至于美光目前生產(chǎn)基地幾乎都在臺灣，與臺灣合作有地利之便，因此美光顯然是臺積電現(xiàn)階段的最佳選擇。另一方面，臺積電需要整合邏輯與存儲技術(shù)，美光想要扮演更大的整合角色，加上聯(lián)電與美光的官司訴訟也在日前和解，接下來同美光的合作將可以加速展開。

值得一提的是，劉德音指出，在過去 15 年中，臺積電為業(yè)界提供先進半導(dǎo)體制程，每兩年實現(xiàn)運算效能翻倍。未來隨著人工智能的普及，對運算速度與效率的提升都會有更大需求。

根據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，截至最新，臺積電及其關(guān)聯(lián)公司在126個國家/地區(qū)中，共有66248件專利申請。其中，發(fā)明專利占99.27%。從專利趨勢上來看，臺積電的專利年申請量目前最低867件，最高7109件，整體而言臺積電的專利申請趨勢呈現(xiàn)逐年遞增的趨勢。此外，根據(jù)智慧芽專利行業(yè)基準對比數(shù)據(jù)可知，可以說基本上臺積電上述專利平均價值與行業(yè)專利平均價值相比，臺積電的行業(yè)專利平均價值要高出行業(yè)平均價值不少，只有極少數(shù)低于行業(yè)平均價值，占比30%左右.

到目前為止，美光已經(jīng)將其DRAM生產(chǎn)的很大一部分轉(zhuǎn)移到其1Z制程，該制程為生產(chǎn)存儲器提供了更高的位密度和性能，可以有效地降低成本。因此，目前美光表示，它對利潤率和產(chǎn)品組合感到相當滿意。

美光的1α制程工藝預(yù)計將比1Z的位密度提高40%，這將相應(yīng)地降低生產(chǎn)商的單字節(jié)存儲成本。此外，該技術(shù)據(jù)稱還能降低15%的功耗，以提高存儲器性能。

在美光1α工藝提升的40%位密度中，大約有10%是由DRAM設(shè)計效率驅(qū)動的，這表明非EUV技術(shù)在當前生產(chǎn)過程中還有提升空間。新的1α工藝將如同1Z工藝一樣，繼續(xù)使用6F2位線設(shè)計。目前美光已經(jīng)實施了許多新的工藝制程，以適應(yīng)小尺寸DRAM的制造。

美光DRAM工藝集成副總裁Thy Tran在被媒體采訪時談到，1α工藝的位密度能顯著提高，是因為工藝制程的改進及設(shè)計效率的提升，這實現(xiàn)了矩陣效率的提高，也帶來了10%左右的存儲器性能提升。美光對工藝技術(shù)改進了許多，比如大幅度縮小了位線(bitline)、字線(wordline)和網(wǎng)格(grid)。美光能夠做到這一點，不僅因為對新工藝制程的積極，也因為它整合了全球各地最新、最好的材料，比如更好的導(dǎo)體材料和絕緣體材料。

最后美光通過沉積、修改或選擇性地蝕刻這些新材料來制作設(shè)備，縮小節(jié)距來使電池電容的容量更大。此外，美光還引入了先進的設(shè)備和技術(shù)，來改善圖案層(patterned layer)。DRAM 1α這項新工藝完成于美國愛達荷州博伊西的美光總部，但工藝制程的開發(fā)和制造過程涉及到了全球多個團隊。

美光科技技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer稱，采用了新1α工藝的DRAM器件在應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、邊緣AI和消費電子時，將解決很多問題。一開始，美光會在其位于桃園和臺中的晶圓工廠中，使用1α工藝生產(chǎn)8GB和16GB的DDR4和LPDDR4內(nèi)存，最后該工藝將應(yīng)用所有類型的內(nèi)存。

因為DDR5存儲設(shè)備將具備更復(fù)雜的架構(gòu)，像1α這樣的工藝對于下一代DDR5存儲設(shè)備格外重要。Tran先生說：“我們的1α工藝將逐步部署在我們的產(chǎn)品組合中，并將在2022年成為主要工藝。同時晶圓廠也將逐漸升級，以配合生產(chǎn)，符合行業(yè)需求?！?