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[導(dǎo)讀]首先來了解什么是線性穩(wěn)壓器,這是一種晶體管運行在線性區(qū)時候,使輸入電壓與輸出電壓有一個壓差,就拿我們熟悉的LM7805來說,這是傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器,這種穩(wěn)壓芯片要求求輸入電壓至少要比輸出電壓高2V左右,否則不能正常輸出;而LDO低壓差線性穩(wěn)壓器只不過是把這個壓差進一步降低,比如WIFI無線模塊需要3.3V,只有輸入5V時候,這個壓差只有1.7V左右,用普通的線性穩(wěn)壓器不能實現(xiàn),那么就要考慮使用LDO低壓差線性穩(wěn)壓器,這時候LDO應(yīng)運而生.

1.前言

首先來了解什么是線性穩(wěn)壓器,這是一種晶體管運行在線性區(qū)時候,使輸入電壓與輸出電壓有一個壓差,就拿我們熟悉的LM7805來說,這是傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器,這種穩(wěn)壓芯片要求求輸入電壓至少要比輸出電壓高2V左右,否則不能正常輸出;而LDO低壓差線性穩(wěn)壓器只不過是把這個壓差進一步降低,比如WIFI無線模塊需要3.3V,只有輸入5V時候,這個壓差只有1.7V左右,用普通的線性穩(wěn)壓器不能實現(xiàn),那么就要考慮使用LDO低壓差線性穩(wěn)壓器,這時候LDO應(yīng)運而生.

LDO的典型特征必須是壓差。畢竟,這是其名稱和首字母縮略詞的來源。

在最基本的層面上,壓差描述了正確調(diào)節(jié)所需的V IN V OUT之間的最小增量。但是,當(dāng)我們合并變量時,它很快就會變得更加微妙。正如我們將看到的,壓差對于獲得高效運行和生成具有有限余量的電壓軌至關(guān)重要。

2.什么是壓降?

壓差電壓 V DO是指輸入電壓 V IN必須保持在所需輸出電壓 V OUT(nom) 以上才能進行適當(dāng)調(diào)節(jié)的最小電壓差。見等式 1:

    (1)

如果 V IN低于此值,線性穩(wěn)壓器將進入壓差操作,不再調(diào)節(jié)所需的輸出電壓。在這種情況下,輸出電壓 V OUT(dropout)將跟蹤 V IN減去壓降電壓(公式 2):

 (2)

舉個例子,考慮一個像TPS799這樣的 LDO調(diào)節(jié) 3.3V。當(dāng)提供 200mA電流時,TPS799的最大壓差規(guī)定為 175mV。只要輸入電壓為 3.475V 或更高,穩(wěn)壓就不會受到影響。但是,將輸入電壓降至 3.375V 會導(dǎo)致 LDO 進入壓差操作并停止調(diào)節(jié),如圖 1 所示。

1:TPS799在壓差模式下運行

盡管它應(yīng)該調(diào)節(jié) 3.3V,但TPS799沒有維持調(diào)節(jié)所需的裕量。結(jié)果,輸出電壓開始跟蹤輸入電壓。

3.什么決定壓降?

LDO 的架構(gòu)主要決定了壓降。要了解原因,讓我們看看 PMOS 和 NMOS LDO 并比較它們的操作。

PMOS LDO

2 顯示了 PMOS LDO 架構(gòu)。為了調(diào)節(jié)所需的輸出電壓,反饋環(huán)路控制漏源電阻或 R DS。隨著 V IN接近 V OUT(nom),誤差放大器將驅(qū)動?xùn)艠O至源極電壓或 V GS,使其更負,以降低 R DS并保持調(diào)節(jié)。

2:PMOS LDO

然而,在某個時刻,誤差放大器輸出將在接地處飽和,并且無法驅(qū)動 V GS更負。R DS已達到其最小值。將此 R DS值與輸出電流或 I OUT相乘,將產(chǎn)生壓差電壓。

請記住,V GS的值越負,實現(xiàn)的R DS越低。通過增加輸入電壓,我們可以獲得更負的 V GS。因此,PMOS 架構(gòu)在較高的輸出電壓下具有較低的壓差。圖 3 說明了這種行為。

3:TPS799的壓差電壓與輸入電壓

如圖 3 所示,隨著輸入電壓(和輸出電壓,就此而言)的增加,TPS799具有較低的壓差。那是因為更高的輸入電壓會產(chǎn)生更負的 V GS

NMOS LDO

NMOS 架構(gòu)的情況下,如圖 4 所示,反饋回路仍然控制 R DS。然而,隨著 V IN接近 V OUT(nom),誤差放大器將增加V GS以降低 R DS并保持調(diào)節(jié)。

4:NMOS LDO

在某一點,V GS不能再增加,因為誤差放大器輸出將在電源電壓或 V IN處飽和。滿足此條件時,R DS處于最小值。將此值與輸出電流或 I OUT相乘,得出壓差電壓。

但是,這會帶來一個問題,因為隨著 V IN接近 V OUT(nom),V GS也會降低,因為誤差放大器輸出在 V IN處飽和。這可以防止超低壓差。

4.偏置 LDO

許多 NMOS LDO 采用稱為偏置電壓或 V BIAS的輔助電源軌,如圖 5 所示。

5:帶有偏置軌的 NMOS LDO

該軌用作誤差放大器的正電源軌,并允許其輸出一直擺動到高于 V IN 的V BIAS。這種類型的配置使 LDO 能夠保持高 V GS,從而在低輸出電壓下實現(xiàn)超低壓差。

有時輔助軌不可用,但仍需要低輸出電壓下的低壓差。在這種情況下,可以用內(nèi)部電荷泵代替 V BIAS,如圖 6 所示。

6:帶有內(nèi)部電荷泵的 NMOS LDO

盡管沒有外部 V BIAS軌,電荷泵將提升 V IN以便誤差放大器可以產(chǎn)生更大的 V GS值。

5.其他變量

除了架構(gòu)之外,dropout 還受到其他一些變量的影響,如表 1 所示。

1:影響壓降的變量

很明顯,dropout 不是一個靜態(tài)值。不過,這些變量不僅會使我們 LDO 選擇復(fù)雜化,還應(yīng)幫助我們我們的特定條件集選擇最佳 LDO


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