以下內(nèi)容中，小編將對(duì)MPS MP5515芯片的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)這款芯片產(chǎn)品的了解，和小編一起來(lái)看看吧。

在掉電釋放方面，在第一個(gè)啟動(dòng)周期和升壓開始切換后，MP5515 注冊(cè)并啟用釋放功能。 一旦輸入功率下降且 DET 下降到 0.99 x VDET-REF，儲(chǔ)能升壓轉(zhuǎn)換器將停止充電并在降壓釋放模式下工作。 同時(shí)，ISOFET 關(guān)閉以防止從 VB 到 VIN 的負(fù)電流。 在降壓模式下，MP5515 將能量從高壓存儲(chǔ)電容器傳輸?shù)降蛪嚎偩€電容器。 調(diào)節(jié)后的總線電壓由 VFBB-REF 和從 VB 到 FBB 的電阻分壓器決定。圖 4 顯示了詳細(xì)的系統(tǒng)關(guān)閉過(guò)程。 降壓模式具有最大電流限制功能來(lái)限制釋放電流。 在每個(gè)降壓模式開關(guān)周期中，在電感電流降至 6.5A 谷值電流之前，高側(cè)開關(guān)不會(huì)打開，通常情況下。

對(duì)于輸入恢復(fù)啟動(dòng)，如果輸入電源出現(xiàn)故障并恢復(fù)，MP5515 仍處于降壓釋放模式。 當(dāng) STRG 放電且 VB 降至 VB_UVLO 時(shí)，MP5515 從恢復(fù)的 VIN 電源重新啟動(dòng)，這是一個(gè)具有 TPOR 延遲的新輸入電源啟動(dòng)周期。

在輸入電流限制方面，輸入電流限制仔細(xì)控制 ISOFET 的輸入浪涌電流，以防止從 VIN 到 VB 的浪涌電流。 內(nèi)部 DVDT 位或外部 DVDT 電容可以設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間。 除了軟啟動(dòng)過(guò)程之外，ILIM 還可以通過(guò)在 ILIM 和 AGND 之間連接一個(gè)電阻來(lái)設(shè)置電流限制來(lái)限制穩(wěn)態(tài)電流。ILIM 上的電壓在正常應(yīng)用中低于 1.09V。 如果外部對(duì)ILIM施加大于1.5V的電壓，則ISOFET關(guān)斷，MP5515進(jìn)入降壓過(guò)程。當(dāng) VB 負(fù)載接近 ILIM 閾值時(shí)，在每個(gè)升壓刷新周期中，輸入電流很容易觸發(fā)限流以及系統(tǒng)中斷。為了避免在這種情況下連續(xù)觸發(fā) ILIM 中斷，在每個(gè)升壓刷新周期內(nèi)，輸入過(guò)流中斷都會(huì)被自動(dòng)屏蔽。 屏蔽時(shí)間取決于升壓切換時(shí)間。一旦觸發(fā)輸入過(guò)流閾值且 FBB 降至 VFBB-REF，備用降壓轉(zhuǎn)換器開始工作以維持 VB。 一旦 FBB 被充電回 VFBB-REF 的 105%，在這種情況下降壓將再次禁用。 在升壓刷新周期期間，即使觸發(fā)過(guò)流閾值，降壓轉(zhuǎn)換器也不會(huì)啟用。

在反向電流保護(hù) (RCP)方面，當(dāng)輸入電壓超過(guò) VIN UVLO 閾值且 VIN 大于 VB + 0.2V 時(shí)，VIN 至 VB MOSFET 導(dǎo)通。當(dāng) DET 電壓下降時(shí)，該 MOSFET 關(guān)閉，導(dǎo)致 MP5515 進(jìn)入降壓釋放模式，并且在降壓模式結(jié)束之前不會(huì)再次打開。 當(dāng)能量從存儲(chǔ)電容器釋放到 VB 時(shí)，ISOFET 電路應(yīng)用反向電流保護(hù) (RCP)。 通常，從 VB 到 VIN 的 250mA 反向電流會(huì)關(guān)閉 ISOFET。

對(duì)于啟動(dòng)順序，IC使能后，MP5515以TPOR復(fù)位時(shí)間和DVDT軟啟動(dòng)時(shí)間開始工作。在 VB 上升期間，內(nèi)部電荷泵為 CST 電容器充電。 這為熱插拔 MOSFET 提供了驅(qū)動(dòng)源。 DVDT 時(shí)間太短可能會(huì)觸發(fā)輸入限流閾值。太大的 CST 電容器可能會(huì)影響電荷泵的轉(zhuǎn)換速率。 建議使用 10nF CST 電容器。 DVDT軟啟動(dòng)時(shí)，VB電容充電，STRG電容不充電。 VB 充電后，DVDT 電壓充電至約 1.23V 并保持在此飽和電壓。 如果 PFI 為高且 DVDT 飽和，則啟用充電功能且存儲(chǔ)電容器充電至目標(biāo)電壓。

此外，MP5515 具有后備電容器測(cè)試功能，通過(guò)從 STRG 到 RTEST 的一個(gè)外部電阻器對(duì)后備電容器放電。 MOSFET為4.5Ω左右，峰值放電電流必須通過(guò)外接電阻限制在500mA以下，即使是短時(shí)間放電。當(dāng) Start Cap Test 寄存器位被設(shè)置時(shí)，MP5515 禁用升壓充電開關(guān)，RTEST 通過(guò)內(nèi)部 MOSFET (M1) 連接到 GND 以進(jìn)行能量放電。 MP5515 在 FBS 下降到 VFBS-REF 閾值時(shí)啟用 VSTRG ADC 轉(zhuǎn)換(SOC 可以通過(guò) I2C 讀取 STRG 電壓)。 同時(shí)，啟用內(nèi)部計(jì)數(shù)器以測(cè)量放電時(shí)間。計(jì)數(shù)器繼續(xù)直到上限電壓下降到 PGS 閾值電壓以下。當(dāng) VSTRG 降至 PGS 閾值時(shí)，ADC 再次讀取 VSTRG，并設(shè)置 Cap Test Done 寄存器以指示 Cap Test 已完成。 Cap Test Done 產(chǎn)生一個(gè)中斷，通知 SOC 測(cè)試已完成。 SOC 可以讀取備用電壓和計(jì)數(shù)器定時(shí)器寄存器。 根據(jù)初始電壓和終止電壓讀數(shù)，可以確定放電時(shí)間是否可接受。

經(jīng)由小編的介紹，不知道你對(duì)它是否充滿了興趣?如果你想對(duì)它有更多的了解，不妨嘗試度娘更多信息或者在我們的網(wǎng)站里進(jìn)行搜索哦。