近日，芯片" target="_blank">存儲芯片大廠美光(Micron)發(fā)布表了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，并計劃將這款 232 層堆棧 3D NAND Flash芯片應用于包括固態(tài)硬盤等產(chǎn)品上，預計在 2022 年底左右開始量產(chǎn)。

據(jù)介紹，這款232 層堆棧的 3D NAND Flash采用的是3D TLC 架構(gòu)，原始容量為 1Tb(128GB)。而且，該存儲器基于美光的 CuA 架構(gòu)，并使用 NAND 字符串堆棧技術(shù)，在彼此的頂部建立兩個 3D NAND 陣列。而在 CuA 設計的 232 層堆棧的3D NAND Flash中，將大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺寸，這有望于降低生產(chǎn)成本，使美光能夠?qū)Σ捎眠@些存儲器的設備進行更有競爭力的定價，或者增加其利潤率。

不過，美光并沒有宣布其新的 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片的 I/O 速度或平面數(shù)量，但暗示與現(xiàn)有的 3D NAND Flash相比，新的存儲器將提供更高的性能，這對采用 PCIe 5.0 界面的下一代 SSD 特別有用。此外，美光還強調(diào) 232 層堆棧的 3D NAND Flash將比上一代的產(chǎn)品更功耗更低，使用在低功耗產(chǎn)品上更具節(jié)能優(yōu)勢。

美光是全球最大的半導體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、SSD固態(tài)硬盤和CMOS影像傳感器，總公司(Micron Technology, Inc.)設于美國西北部愛達荷州的首府博伊西。2022年，美光已加入名為 Mitre Engenuity 的半導體聯(lián)盟，目的是增強美國半導體行業(yè)的彈性。建立一個更強大的美國半導體行業(yè)，在美國培育先進的制造業(yè)，并在全球競爭加劇的背景下保護知識產(chǎn)權(quán)。

數(shù)字存儲器的價格將呈現(xiàn)上升趨勢，與過去的周期性形成鮮明對比。數(shù)字存儲器已經(jīng)成為我們以數(shù)據(jù)為中心的生活的支柱——無論是我們的5G手機還是云中采用的人工智能，所有額外的數(shù)據(jù)都需要存儲在數(shù)字存儲器上(NAND或非易失性閃存)，然后進行處理(DRAM或動態(tài)隨機存取存儲器)。簡而言之，數(shù)字存儲器在消費者和企業(yè)的生活中扮演著越來越重要的角色。數(shù)字存儲器的供應已經(jīng)從無數(shù)努力跟上快速變化的技術(shù)格局的玩家，整合到一個紀律嚴明的供應商寡頭壟斷的局面，這些供應商渴望從當今制造DRAM/NAND所需的巨額資本支出中獲得可觀的回報。DRAM/NAND的成本結(jié)構(gòu)遠比投入成本更依賴于制造效率。美光對其成本基礎的控制比其他消費品公司更強，后者面臨著無數(shù)的原材料投入。與卡夫亨氏(Kraft Heinz)或麥當勞等可能因各種原材料價格上漲而面臨利潤壓縮的公司相比，這使得美光維持/提高利潤的運營風險要小得多。美光的評級(EV/EBITDA比率)異常低，尤其是考慮到其未來的收益狀況。在市場評級下調(diào)的情況下，這都會為美光投資者帶來出色的風險回報主張。

2022 財年第二財季，美光科技收入為 78 億美元，較上年同期增長 25%，高于該公司 75 億美元的目標。GAAP 下凈利潤 22.6 億美元，或每股攤薄收益 2.00 美元;Non- GAAP 下凈利潤為 24.4 億美元，或每股攤薄收益 2.14 美元，高于上年同期的 98 美分，也高于公司預估的 1.95 美元。GAAP 下，該公司每股收益為 2 美元，高于上年同期的 53 美分。Non- GAAP 下，毛利率從第一財季的 47% 和 2020 年同期的 32.9% 上升至 47.8%。第二財季，DRAM 收入較上年同期增長 29%，占總收入的 73%。NAND 閃存的收入增長了 19%。第二財季 DRAM 的平均售價環(huán)比下降了 5% 左右，而 NAND 的平均售價則上升了 5% 左右。與數(shù)據(jù)中心應用程序相關(guān)的收入在本季度增長了 60% 以上，而個人電腦需求也隨著企業(yè)電腦銷量的增長而有所改善。美光科技表示，在汽車零部件領(lǐng)域的收入創(chuàng)下了紀錄，而工業(yè)領(lǐng)域的收入增長了約 60%。

美光補充稱，該公司在本財年 “有望實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的收入和強勁的盈利”，在本財年下半年 “將實現(xiàn)出貨量增長強勁”。該公司預計，2022 年 DRAM 的位元成長率將在 15% 至 15% 之間，NAND 內(nèi)存的位元成長率需求約為 30%。