根據(jù)印度基金管理公司 Next Orbit Ventures 的一份聲明，該項(xiàng)目將投資約30億美元建立一個65納米的模擬芯片廠。以色列 Tower Semiconductor(高塔半導(dǎo)體)公司表示，它將為該項(xiàng)目提供技術(shù)支持。據(jù)悉，此次建廠計(jì)劃將創(chuàng)造超過1500個直接就業(yè)機(jī)會，以及10000個間接就業(yè)機(jī)會。

據(jù)了解，ISMC是總部位于阿布扎比的Next Orbit Ventures和以色列Tower Semiconductor的合資企業(yè)。根據(jù)印度基金管理公司 Next Orbit Ventures 的一份聲明，該項(xiàng)目將投資約30億美元建立一個65納米的模擬芯片廠。高塔半導(dǎo)體表示，它將為該項(xiàng)目提供技術(shù)支持。

高塔半導(dǎo)體發(fā)言人Shahar Orit對EETimes表示: “如果這個項(xiàng)目能夠?qū)嵤琓ower 將只是一個集成商和技術(shù)合作伙伴。”。Orit拒絕提供細(xì)節(jié)，稱高塔半導(dǎo)體有望被英特爾收購。英特爾也拒絕置評，因?yàn)槭召徃咚慕灰咨形吹玫秸脚鷾?zhǔn)。印度的目標(biāo)是建立一個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。與此同時，包括美國、歐洲和日本在內(nèi)的世界各國也正在計(jì)劃重建其正在衰退的芯片產(chǎn)業(yè)。芯片短缺已經(jīng)給從汽車制造商到半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商在內(nèi)的許多公司造成了數(shù)十億美元的損失。

半導(dǎo)體現(xiàn)在已經(jīng)成為各國爭奪的關(guān)鍵。20日17時22分許，美國總統(tǒng)拜登乘坐“空軍一號”抵達(dá)位于京畿道烏山市的駐韓美軍空軍基地，其上任以來的首次亞洲行正式開啟。他的首個訪問行程是同韓國總統(tǒng)尹錫悅一道參觀位于京畿道平澤市的三星電子半導(dǎo)體工廠，在外媒看來，這項(xiàng)安排傳遞的信號非常明顯——想要“遏制中國”的美國正尋求重組全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，而韓國是其“必須爭取的對象”。拜登20日視察完工廠后發(fā)表講話稱，只有與韓國這樣“同美方共享價(jià)值的同盟和伙伴緊密合作”，加強(qiáng)供應(yīng)鏈，才能令他們國家在21世紀(jì)的競爭中搶占最具優(yōu)勢的地位。24日，拜登還計(jì)劃在訪日期間宣布啟動所謂“印太經(jīng)濟(jì)框架”(IPEF)。不過外界認(rèn)為， 究竟會有多少亞洲國家，尤其是東盟國家對這一框架感興趣需要打上問號?！昂瓦h(yuǎn)處的美國相比，中國就地處亞洲，與本區(qū)域國家經(jīng)貿(mào)關(guān)系緊密?！?

近日，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)公布全球半導(dǎo)體市場2022年第一季度數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)顯示全球半導(dǎo)體市場增速明顯放緩。2022年第一季度全球半導(dǎo)體銷售額為1517億美元，同比增長23%，環(huán)比下降0.5%。2022年3月全球半導(dǎo)體的同比增速從2月的32.4%降至23.0%，國內(nèi)市場從2月的21.8%下降到了17.3%。多位業(yè)內(nèi)人士在接受《中國經(jīng)營報(bào)》記者采訪時表示，半導(dǎo)體市場增速放緩的原因主要是消費(fèi)電子等終端設(shè)備的需求量下降。不過，在全球增速放緩的同時，也要看到行業(yè)還是在增長過程中的，在經(jīng)歷了近幾年近乎瘋狂增長的狀態(tài)后，目前的這種情況屬于正常的行業(yè)周期。在今年上半年價(jià)格上漲動能減緩的背景下，半導(dǎo)體行業(yè)正處在訂單調(diào)整期入口。訂單調(diào)整不僅僅意味著訂單削減，在一些客戶削減訂單的同時，另一些客戶正在增加訂單，但仍面臨產(chǎn)能受限/芯片不足的問題?？傮w而言，目前全球的半導(dǎo)體代工廠8英寸和12英寸節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能利用率仍接近100%。今年下半年，半導(dǎo)體代工廠的產(chǎn)能利用率可能會決定此次周期能否實(shí)現(xiàn)軟著陸(溫和的價(jià)格下滑)。

半導(dǎo)體的技術(shù)在不斷提升。近日，在比利時安特衛(wèi)普舉辦的未來峰會上，IMEC(微電子研究中心)發(fā)布報(bào)告，探討了直至2036年左右的半導(dǎo)體工藝、技術(shù)路線圖。在晶體管技術(shù)層面，IMEC認(rèn)為，現(xiàn)有的FinFET只能維持到N3工藝，之后的N2、A14將轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極、Nanosheet納米片技術(shù)，而再往后的A10、A7會改用Forksheet。A5時代開始必須使用CFET互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管，而到了A2工藝，還要加入Atomic原子通道。不過，芯片設(shè)計(jì)成本確實(shí)在飆升，16/14nm工藝需要1億美元出頭，10nm工藝大約1.8億美元，7nm工藝猛增到近3億美元，5nm工藝則是大約5.5億美元，未來肯定會繼續(xù)暴漲。