韓國(guó)三星電子周四宣布，公司已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。

三星在官方聲明中表示，公司已經(jīng)開(kāi)始在其位于韓國(guó)的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體芯片。與前幾代使用FinFET的芯片不同，3納米芯片采用了新的 GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu)，該架構(gòu)大大改善了功率效率。與傳統(tǒng)的5納米芯片相比，第一代3納米芯片工藝可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并減少16% 的面積。而第二代3納米芯片工藝則可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面積減少35%。

雖然三星沒(méi)有透露其最新代工技術(shù)的客戶(hù)身份，但市場(chǎng)預(yù)計(jì)，三星本身和中國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司上海磐矽半導(dǎo)體將是3納米芯片的首批客戶(hù)。

三星3納米芯片量產(chǎn)使得其生產(chǎn)進(jìn)度略快于同行。在同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)方面，臺(tái)積電和英特爾分別計(jì)劃在今年下半年和明年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。

雖然三星是全球第一個(gè)生產(chǎn)3納米芯片的公司，但臺(tái)積電正計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)2納米芯片的全球首個(gè)批量生產(chǎn)。

在本月初的股東會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音才強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電的先進(jìn)制程的進(jìn)展都按照計(jì)劃發(fā)展中，預(yù)計(jì)2022下半年將量產(chǎn)3納米芯片。與三星不同的是，臺(tái)積電將仍采較為成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET)工藝。一直到2025年量產(chǎn)2納米時(shí)，才會(huì)采用GAA技術(shù)。

在市場(chǎng)份額方面，臺(tái)積電依然牢牢保持的全球市場(chǎng)第一的寶座。根據(jù)TrendForce 的數(shù)據(jù)，目前臺(tái)積電控制著全球54%的芯片合同生產(chǎn)市場(chǎng)，三星以16.3%的市場(chǎng)份額排名第二。

三星在一份聲明中表示，與傳統(tǒng)的5納米芯片相比，新開(kāi)發(fā)的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，并減少16%的面積。

不過(guò)，這家韓國(guó)公司并沒(méi)有透露其最新代工技術(shù)的客戶(hù)，分析人士認(rèn)為，三星本身和相關(guān)中國(guó)企業(yè)預(yù)計(jì)將成為首批客戶(hù)。

今年早些時(shí)候，三星聯(lián)合首席執(zhí)行官Kyung Kye hyun曾表示，其代工業(yè)務(wù)將在中國(guó)尋找新客戶(hù)，因?yàn)槟壳皬钠?chē)制造商到家電產(chǎn)品制造商的公司都急于確保產(chǎn)能，以解決全球芯片持續(xù)短缺的問(wèn)題，該公司預(yù)計(jì)中國(guó)市場(chǎng)將出現(xiàn)高增長(zhǎng)。

據(jù)了解，目前臺(tái)積電仍然是全球最先進(jìn)的代工芯片制造商，控制著全球芯片代工市場(chǎng)約54%的份額，主要客戶(hù)包括蘋(píng)果和高通等。而據(jù)數(shù)據(jù)提供商TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，三星電子以16.3%的市場(chǎng)份額排名第二，遙遙領(lǐng)先于其他對(duì)手。該公司還曾于去年宣布了一項(xiàng)171萬(wàn)億韓元(約合1320億美元)的投資計(jì)劃，期望到2030年超越臺(tái)積電，成為全球最大的邏輯芯片制造商。

“我們將在有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)開(kāi)發(fā)方面繼續(xù)積極創(chuàng)新，”三星公司代工業(yè)務(wù)主管Siyoung Choi評(píng)論道。

雖然三星電子是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司，但根據(jù)臺(tái)積電的計(jì)劃，該公司將在2025年量產(chǎn)2納米芯片。

分析師對(duì)此表示，三星是內(nèi)存芯片市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊，但在更加多樣化的代工業(yè)務(wù)上，三星已經(jīng)被領(lǐng)先者臺(tái)積電超越，這使得三星很難與之競(jìng)爭(zhēng)。

Daol Investment & Securities分析師Kim Yang-jae表示，相對(duì)于內(nèi)存芯片，非內(nèi)存芯片代工業(yè)務(wù)是不同的，種類(lèi)也太多了。目前，內(nèi)存芯片只有兩種類(lèi)型——DRAM和NAND閃存，三星可以專(zhuān)注于這一業(yè)務(wù)，提高效率并大量生產(chǎn)，但該公司不能在一千種不同的非內(nèi)存芯片上做到同樣的效果。

另外，還有分析人士認(rèn)為，在過(guò)去一年左右的時(shí)間里，舊芯片業(yè)務(wù)的收益率低于預(yù)期，也阻礙了三星與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)。不過(guò)，該公司在今年3月份表示，其運(yùn)營(yíng)狀況已逐步改善。

韓聯(lián)社30日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，與前幾代使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的芯片不同，第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術(shù)，大幅提升了效能。與三星5納米工藝相比，第一代3納米工藝可使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。三星表示，將于明年投入的第二代3納米工藝可使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。

三星電子計(jì)劃將3納米制程工藝優(yōu)先應(yīng)用于高性能計(jì)算(HPC)芯片，再擴(kuò)大至移動(dòng)系統(tǒng)芯片(SoC)等。此外，三星電子還計(jì)劃從2025年開(kāi)始生產(chǎn)基于GAA的2納米芯片，力爭(zhēng)在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域趕超臺(tái)積電(TSMC)。

據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)(TrendForce)提供的數(shù)據(jù)，以今年第一季度為準(zhǔn)，臺(tái)積電的全球市場(chǎng)份額以53.6%位居第一，三星電子以16.3%位居第二。據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃下半年起量產(chǎn)3納米芯片，再將GAA技術(shù)應(yīng)用于其2納米工藝。

6月30日消息，三星方面在今日宣布，其公司位于韓國(guó)的華城工廠已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3納米工藝芯片，三星將成為全球首家量產(chǎn)3nm技術(shù)產(chǎn)品的公司。

根據(jù)三星官方公布的信息，三星在3nm工藝上采用了全新的GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu)，相比較于傳統(tǒng)的FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)架構(gòu)有所不同。

三星方面表示，與傳統(tǒng)的 5 納米芯片相比，新開(kāi)發(fā)的第一代 3 納米工藝可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并減少 16% 的面積。而目前三星官方尚未公布此3nm芯片的客戶(hù)。

臺(tái)積電方面則將在今年下半年啟動(dòng)3nm工藝的大規(guī)模量產(chǎn)，仍將會(huì)采用FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)架構(gòu)。

三星電子將在6月30日左右正式發(fā)布其3納米芯片量產(chǎn)消息。三星電子此前公布計(jì)劃，將在今年上半年量產(chǎn)基于全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)的3納米制程產(chǎn)品，2023年推出第二代3納米產(chǎn)品，2025年量產(chǎn)2納米產(chǎn)品。

三星稱(chēng)，與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，GAA技術(shù)將使芯片面積減少45%，同時(shí)性能提高30%，功耗降低50%。

今年5月美國(guó)總統(tǒng)拜登訪韓時(shí)參觀了三星的平澤工廠，三星向其展示了該公司的3納米芯片。